講演名 2021-11-25
InGaN量子井戸におけるPLスペクトル温度変化の理論モデル解析
袴田 舜也(金沢工大), 藤田 貴志(金沢工大), 渡邊 龍一(金沢工大), 山口 敦史(金沢工大),
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抄録(和) InGaN量子井戸は、In組成を変化させることで可視光全域の光を出すことができるが、緑色より長波長側では効率が落ちてしまうという問題点がある。これを解決するためには電子状態やキャリアダイナミクスの理解が重要となる。そこで本研究では、In組成が系統的に異なる試料シリーズのPLスペクトルの温度変化を一つのモデルで説明しようと試みた。In組成揺らぎによるバンドギャップの揺らぎとキャリアの局在を考慮した理論モデルを構築し、実験結果をフィッティングした。その結果全温度領域でPLスペクトルをフィッティングすることができ、パラメータの値も妥当な値となった。
抄録(英) InGaN quantum-well (QW) light-emitting devices can cover the entire visible spectrum in principle, by changing the In composition, but there is a problem that the efficiency drops in longer wavelength region. In order to solve this problem, it is important to understand the electronic structures and carrier dynamics in InGaN QWs. In this study, we have tried to reproduce the experimental results of temperature-dependent PL spectra for a series of InGaN-QW samples with different In compositions by using a single theoretical model. We have newly constructed a theoretical model that takes into account the band gap fluctuation due to the In composition fluctuation and the carrier localization, and have fitted it to the experimental results. As a result, the PL spectra have been fitted in the whole temperature range and the values of the parameters were reasonable.
キーワード(和) InGaN量子井戸 / PLスペクトル / 温度依存性 / 組成揺らぎ
キーワード(英) InGaN quantum well / PL spectrum / temperature dependence / alloy fluctuation
資料番号 ED2021-23,CPM2021-57,LQE2021-35
発行日 2021-11-18 (ED, CPM, LQE)

研究会情報
研究会 ED / CPM / LQE
開催期間 2021/11/25(から2日開催)
開催地(和) オンライン開催
開催地(英) Online
テーマ(和) 窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般
テーマ(英)
委員長氏名(和) 藤代 博記(東京理科大) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 梅沢 俊匡(NICT)
委員長氏名(英) Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Toshitada Umezawa(NICT)
副委員長氏名(和) 葛西 誠也(北大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 高原 淳一(阪大)
副委員長氏名(英) Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Junichi Takahara(Osaka Univ.)
幹事氏名(和) 小谷 淳二(富士通研) / 堤 卓也(NTT) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 武山 真弓(北見工大) / 瀬川 徹(NTT) / 藤田 和上(浜松ホトニクス)
幹事氏名(英) Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Takuya Tsutsumi(NTT) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech) / Toru Segawa(NTT) / Kazuue Fujita(Hamamatsu Photonics)
幹事補佐氏名(和) 磯野 僚多(サイオクス) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 番場 教子(信州大) / 田中 信介(富士通) / 西山 伸彦(東工大)
幹事補佐氏名(英) Ryota Isonoi(SCIOCS) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) / Shinsuke Tanaka(Fujitsu) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics
本文の言語 JPN
タイトル(和) InGaN量子井戸におけるPLスペクトル温度変化の理論モデル解析
サブタイトル(和)
タイトル(英) Theoretical modeling of temperature-dependent PL spectra in InGaN quantum wells
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) InGaN量子井戸 / InGaN quantum well
キーワード(2)(和/英) PLスペクトル / PL spectrum
キーワード(3)(和/英) 温度依存性 / temperature dependence
キーワード(4)(和/英) 組成揺らぎ / alloy fluctuation
第 1 著者 氏名(和/英) 袴田 舜也 / Shunya Hakamata
第 1 著者 所属(和/英) 金沢工業大学(略称:金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology(略称:KIT)
第 2 著者 氏名(和/英) 藤田 貴志 / Takashi Fujita
第 2 著者 所属(和/英) 金沢工業大学(略称:金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology(略称:KIT)
第 3 著者 氏名(和/英) 渡邊 龍一 / Ryuichi Watanabe
第 3 著者 所属(和/英) 金沢工業大学(略称:金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology(略称:KIT)
第 4 著者 氏名(和/英) 山口 敦史 / Atsushi A Yamaguchi
第 4 著者 所属(和/英) 金沢工業大学(略称:金沢工大)
Kanazawa Institute of Technology(略称:KIT)
発表年月日 2021-11-25
資料番号 ED2021-23,CPM2021-57,LQE2021-35
巻番号(vol) vol.121
号番号(no) ED-259,CPM-260,LQE-261
ページ範囲 pp.41-44(ED), pp.41-44(CPM), pp.41-44(LQE),
ページ数 4
発行日 2021-11-18 (ED, CPM, LQE)