| 講演名 | 2021-11-26 光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製 伊藤 滉朔(北大), 小松 祐斗(北大), 渡久地 政周(北大), 井上 暁喜(名工大), 田中 さくら(名工大), 三好 実人(名工大), 佐藤 威友(北大), |
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| 抄録(和) | 低損傷加工技術である光電気化学（PEC）エッチング法を，AlGaInN/AlGaN MIS HFETのゲートリセス加工に適用した．PEC反応電流（エッチング速度）は時間の経過とともに減少し，反応電流が0に漸近する「自己停止」特性を示した． AFM観察の結果，エッチング深さ13.2 nm（初期膜厚：20 nm）に対し，表面ラフネスはRMS値：1.89 nmであり，良好な表面モホロジーが得られた．リセス加工面に形成したMISゲートHFETは良好なピンチオフ特性を示し，しきい値電圧はバリア層の厚さに依存して0 V付近までシフトした． |
| 抄録(英) | We utilized photo-electrochemical (PEC) etching for fabrication of recessed-gate AlGaInN/AlGaN MIS HFETs. The PEC reaction currents, corresponding to the etching rate, decreased with time and reached to 0, showing the self-stopping of the etching reaction. From the AFM measurement, the etching depth and RMS value of 5×5 ?m region was 13.2 nm and 1.89 nm, respectively, and good surface morphology was obtained. Furthermore, The MIS gate HFET formed with the recessed etching showed good pinch-off characteristics, and the threshold voltage shifted to around 0 V depending on the thickness of the barrier layer. |
| キーワード(和) | 窒化物半導体 / ヘテロ構造トランジスタ / リセスゲート構造 / 光電気化学エッチング |
| キーワード(英) | Nitride semiconductors / HFET / Recessed-gate / photo-electrochemical etching |
| 資料番号 | ED2021-35,CPM2021-69,LQE2021-47 |
| 発行日 | 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / CPM / LQE |
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| 開催期間 | 2021/11/25(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤代 博記(東京理科大) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 梅沢 俊匡(NICT) |
| 委員長氏名（英） | Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Toshitada Umezawa(NICT) |
| 副委員長氏名（和） | 葛西 誠也(北大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 高原 淳一(阪大) |
| 副委員長氏名（英） | Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Junichi Takahara(Osaka Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 小谷 淳二(富士通研) / 堤 卓也(NTT) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 武山 真弓(北見工大) / 瀬川 徹(NTT) / 藤田 和上(浜松ホトニクス) |
| 幹事氏名（英） | Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Takuya Tsutsumi(NTT) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech) / Toru Segawa(NTT) / Kazuue Fujita(Hamamatsu Photonics) |
| 幹事補佐氏名（和） | 磯野 僚多(サイオクス) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 番場 教子(信州大) / 田中 信介(富士通) / 西山 伸彦(東工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Ryota Isonoi(SCIOCS) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) / Shinsuke Tanaka(Fujitsu) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaN HFETの作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Recessed-gate AlGaInN/AlGaN HFETs utilizing a photo-electrochemical (PEC) etching. |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化物半導体 / Nitride semiconductors |
| キーワード(2)（和/英） | ヘテロ構造トランジスタ / HFET |
| キーワード(3)（和/英） | リセスゲート構造 / Recessed-gate |
| キーワード(4)（和/英） | 光電気化学エッチング / photo-electrochemical etching |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 伊藤 滉朔 / Kosaku Ito |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター(略称：北大) Research Center For Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小松 祐斗 / Yuto Komatsu |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター(略称：北大) Research Center For Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 渡久地 政周 / Masachika Toguchi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター(略称：北大) Research Center For Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 井上 暁喜 / Akiyoshi Inoue |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. of Tech) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 田中 さくら / Sakura Tanaka |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. of Tech) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 三好 実人 / Makoto Miyoshi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：Nagoya Inst. of Tech) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 佐藤 威友 / Taketomo Sato |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 北海道大学量子集積エレクトロニクス研究センター(略称：北大) Research Center For Integrated Quantum Electronics, Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 発表年月日 | 2021-11-26 |
| 資料番号 | ED2021-35,CPM2021-69,LQE2021-47 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | ED-259,CPM-260,LQE-261 |
| ページ範囲 | pp.91-94(ED), pp.91-94(CPM), pp.91-94(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) |