| 講演名 | 2021-11-26 低損傷コンタクトレス光電気化学エッチングを利用したリセスゲート AlGaN/GaN HEMTs の作製 渡久地 政周(北大), 三輪 和希(北大), 堀切 文正(サイオクス), 福原 昇(サイオクス), 成田 好伸(サイオクス), 市川 磨(サイオクス), 磯野 僚多(サイオクス), 田中 丈士(サイオクス), 佐藤 威友(北大), |
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| 抄録(和) | コンタクトレス光電気化学(CL-PEC)エッチングを用いて、リセスゲート型AlGaN/GaN高電子移動度トランジスタ(HEMTs)の作製を行った。リセス構造作製時、エッチング時間を増加させても、AlGaN層の残存膜厚が6nmを下回らない自己停止現象を確認した。リセスゲート型ショットキーHEMTs・MIS-HEMTsは、それぞれプレーナー型と比較して、閾値電圧の正方向シフト、ドレインリーク電流の減少、SS値の向上が見られた。加えて、両リセスデバイスとも、プレーナーデバイスと比較すると閾値電圧のばらつきが非常に小さく、その標準偏差σは、リセスショットキーが5.46mV、リセスMISが16.7mVであった。これらの結果は、CL-PECエッチングプロセスが、リセスゲート型AlGaN/GaN HEMTsの高品質かつ均一的作製の両立に有望であることを示唆している。 |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | 窒化物半導体 / 高電子移動度トランジスタ / ゲートリセス構造 / 光電気化学エッチング / 自己停止 |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | ED2021-34,CPM2021-68,LQE2021-46 |
| 発行日 | 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / CPM / LQE |
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| 開催期間 | 2021/11/25(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤代 博記(東京理科大) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 梅沢 俊匡(NICT) |
| 委員長氏名（英） | Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Toshitada Umezawa(NICT) |
| 副委員長氏名（和） | 葛西 誠也(北大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 高原 淳一(阪大) |
| 副委員長氏名（英） | Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Junichi Takahara(Osaka Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 小谷 淳二(富士通研) / 堤 卓也(NTT) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 武山 真弓(北見工大) / 瀬川 徹(NTT) / 藤田 和上(浜松ホトニクス) |
| 幹事氏名（英） | Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Takuya Tsutsumi(NTT) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech) / Toru Segawa(NTT) / Kazuue Fujita(Hamamatsu Photonics) |
| 幹事補佐氏名（和） | 磯野 僚多(サイオクス) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 番場 教子(信州大) / 田中 信介(富士通) / 西山 伸彦(東工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Ryota Isonoi(SCIOCS) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) / Shinsuke Tanaka(Fujitsu) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 低損傷コンタクトレス光電気化学エッチングを利用したリセスゲート AlGaN/GaN HEMTs の作製 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Fabrication of Recessed-gate AlGaN/GaN HEMTs using Low-damage Contactless Photo-Electrochemical Etching |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化物半導体 |
| キーワード(2)（和/英） | 高電子移動度トランジスタ |
| キーワード(3)（和/英） | ゲートリセス構造 |
| キーワード(4)（和/英） | 光電気化学エッチング |
| キーワード(5)（和/英） | 自己停止 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 渡久地 政周 / Masachika Toguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 三輪 和希 / Kazuki Miwa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 堀切 文正 / Fumimasa Horikiri |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社サイオクス(略称：サイオクス) SCIOCS Co., Ltd.(略称：SCIOCS) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 福原 昇 / Noboru Fukuhara |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 株式会社サイオクス(略称：サイオクス) SCIOCS Co., Ltd.(略称：SCIOCS) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 成田 好伸 / Yoshinobu Narita |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社サイオクス(略称：サイオクス) SCIOCS Co., Ltd.(略称：SCIOCS) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 市川 磨 / Osamu Ichikawa |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 株式会社サイオクス(略称：サイオクス) SCIOCS Co., Ltd.(略称：SCIOCS) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 磯野 僚多 / Ryota Isono |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 株式会社サイオクス(略称：サイオクス) SCIOCS Co., Ltd.(略称：SCIOCS) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 田中 丈士 / Takeshi Tanaka |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 株式会社サイオクス(略称：サイオクス) SCIOCS Co., Ltd.(略称：SCIOCS) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 佐藤 威友 / Taketomo Sato |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 北海道大学(略称：北大) Hokkaido University(略称：Hokkaido Univ.) |
| 発表年月日 | 2021-11-26 |
| 資料番号 | ED2021-34,CPM2021-68,LQE2021-46 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | ED-259,CPM-260,LQE-261 |
| ページ範囲 | pp.87-90(ED), pp.87-90(CPM), pp.87-90(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) |