| 講演名 | 2021-11-26 界面顕微光応答法によるSiC、GaN、α-Ga?O?ショットキー接触の面内均一性評価 川角 優斗(福井大), 堀切 文正(サイオクス), 福原 昇(サイオクス), 三島 友義(法政大), 四戸 孝(FLOSFIA), 塩島 謙次(福井大), |
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| 抄録(和) | 界面顕微光応答法(SIPM)を用いて，Ni/SiC，Ni/GaN，Cu/Ti/α-Ga2O3ショットキー接触の電極面内における均一性を評価した．はじめに，装置の安定性を評価するためにレーザー光を走査せずにSIPM測定を行い，ショットキー障壁高さ(qφB)のエネルギー分解能が0.2 meV以下であることを明らかにした．次に，上記3種のショットキー接触の電極面内でレーザーを走査してSIPM測定を行った．1つの電極(直径200 〜 400 μm)内のqφBの標準偏差はそれぞれ0.84，3.22，5.11 meVであることを測定した．本SIPM装置が3つのワイドバンドギャップ半導体におけるショットキー接触の均一性評価に十分な精度を有することも実証した． |
| 抄録(英) | Uniformity characterization of Ni/SiC, Ni/GaN, and Cu/Ti/$alpha$-Ga2O3 Schottky contacts was performed by scanning internal photoemission microscopy (SIPM). First, we performed SIPM measurement without scanning a laser beam to characterize stability of this measurement system, and revealed the energy resolution of Schottky barrier height (q$phi$B) was less than 0.2 meV. Then, SIPM measurement was performed by scanning a laser beam in the electrodes of three kinds of Schottky contacts. Standard deviations of q$phi$B were 0.84, 3.22, and 5.11 meV, respectively. These values were more than four times larger than that in the fix-pointed measurement. Therefore, we demonstrated that this measurement has sufficient accuracy to characterize the uniformity of these Schottky contacts. In addition, we found that these Schottky contacts exhibit a standard deviation of q$phi$B below 10 meV. |
| キーワード(和) | ショットキー接触 / SiC / GaN / α-Ga2O3 / 界面顕微光応答法 |
| キーワード(英) | Schottky contacts / SiC / GaN / α-Ga2O3 / scanning internal photoemission microscopy |
| 資料番号 | ED2021-29,CPM2021-63,LQE2021-41 |
| 発行日 | 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / CPM / LQE |
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| 開催期間 | 2021/11/25(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤代 博記(東京理科大) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 梅沢 俊匡(NICT) |
| 委員長氏名（英） | Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Toshitada Umezawa(NICT) |
| 副委員長氏名（和） | 葛西 誠也(北大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 高原 淳一(阪大) |
| 副委員長氏名（英） | Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Junichi Takahara(Osaka Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 小谷 淳二(富士通研) / 堤 卓也(NTT) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 武山 真弓(北見工大) / 瀬川 徹(NTT) / 藤田 和上(浜松ホトニクス) |
| 幹事氏名（英） | Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Takuya Tsutsumi(NTT) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech) / Toru Segawa(NTT) / Kazuue Fujita(Hamamatsu Photonics) |
| 幹事補佐氏名（和） | 磯野 僚多(サイオクス) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 番場 教子(信州大) / 田中 信介(富士通) / 西山 伸彦(東工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Ryota Isonoi(SCIOCS) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) / Shinsuke Tanaka(Fujitsu) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 界面顕微光応答法によるSiC、GaN、α-Ga?O?ショットキー接触の面内均一性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Uniformity characterization of SiC, GaN, α-Ga?O? Schottky contacts using scanning internal photoemission microscopy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ショットキー接触 / Schottky contacts |
| キーワード(2)（和/英） | SiC / SiC |
| キーワード(3)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(4)（和/英） | α-Ga2O3 / α-Ga2O3 |
| キーワード(5)（和/英） | 界面顕微光応答法 / scanning internal photoemission microscopy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 川角 優斗 / Yuto Kawasumi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学大学院工学研究科(略称：福井大) University of Fukui(略称：Univ. of Fukui) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 堀切 文正 / Fumimasa Horikiri |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社サイオクス(略称：サイオクス) SCIOCS Co.(略称：SCIOCS Co.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 福原 昇 / Noboru Fukuhara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 株式会社サイオクス(略称：サイオクス) SCIOCS Co.(略称：SCIOCS Co.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 三島 友義 / Tomoyoshi Mishima |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 法政大学(略称：法政大) Hosei University(略称：Hosei Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 四戸 孝 / Takashi Shinohe |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 株式会社FLOSFIA(略称：FLOSFIA) FLOSFIA INC.(略称：FLOSFIA INC.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 福井大学大学院工学研究科(略称：福井大) University of Fukui(略称：Univ. of Fukui) |
| 発表年月日 | 2021-11-26 |
| 資料番号 | ED2021-29,CPM2021-63,LQE2021-41 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | ED-259,CPM-260,LQE-261 |
| ページ範囲 | pp.67-70(ED), pp.67-70(CPM), pp.67-70(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) |