| 講演名 | 2021-11-26 表面処理の異なるAu/Ni/n-GaNショットキー電極の界面顕微光応答法による評価 塩島 謙次(福井大), 田中 亮(富士電機), 高島 信也(富士電機), 上野 勝典(富士電機), 江戸 雅晴(富士電機), |
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| 抄録(和) | 界面顕微光応答法(SIPM)を用いて，n-GaNに電極を蒸着する前の表面処理に着目して、面内均一性、熱的安定性を評価した。n-GaN表面に対して、(I)無処理(as-grown)、(II)アルカリ溶液処理、及び(III)塩酸系溶液処理後に電極形成し、その後400℃の熱処理を実施した。試料IIでは障壁高さ、n値の電極間ばらつきが小さく、電極面内のばらつきも小さい。熱処理後の逆方向電流は熱電界放出理論に従うまで低下した。試料Iでも同様な特性が得られたが、電極面内のばらつきは試料IIに劣る。試料IIIでは電極間、および面内のばらつきが大きく、熱処理後の逆方向電流の減少も十分ではなかった。これらの結果においてSIPM法がプロセス技術の影響を2次元的に評価できることを実証した。 |
| 抄録(英) | We report the basic electrical characteristics and uniformity of 25 Au/Ni Schottky barrier diodes (SBDs) with three different surface treatments ((I) no treatment (as-grown), (II) alkaline solution, and (III) HCl related solution). The SBDs with (II) showed small diode-to-diode variation in the Schottky barrier height and the ideality factor, and good uniformity over the electrode. In addition, after post-metallization annealing at 400 °C, the reverse biased current significantly reduced to the prediction by the thermionic field emission model. The similar characteristics were obtained for the SBDs with (I), however the uniformity over the electrode became worse after the annealing. For the SBDs with (III), the diode-to-diode variation was originally large, and the reverse biased current did not significantly reduce. |
| キーワード(和) | ショットキー接触 / GaN / 表面処理 / 電極形成後熱処理 / 界面顕微光応答法 |
| キーワード(英) | Schottky contacts / GaN / surface treatment / post-metallization annealing / scanning internal photoemission microscopy |
| 資料番号 | ED2021-28,CPM2021-62,LQE2021-40 |
| 発行日 | 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / CPM / LQE |
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| 開催期間 | 2021/11/25(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光、電子デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 藤代 博記(東京理科大) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 梅沢 俊匡(NICT) |
| 委員長氏名（英） | Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Toshitada Umezawa(NICT) |
| 副委員長氏名（和） | 葛西 誠也(北大) / 中澤 日出樹(弘前大) / 高原 淳一(阪大) |
| 副委員長氏名（英） | Seiya Sakai(Hokkaido Univ.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Junichi Takahara(Osaka Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 小谷 淳二(富士通研) / 堤 卓也(NTT) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 武山 真弓(北見工大) / 瀬川 徹(NTT) / 藤田 和上(浜松ホトニクス) |
| 幹事氏名（英） | Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Takuya Tsutsumi(NTT) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech) / Toru Segawa(NTT) / Kazuue Fujita(Hamamatsu Photonics) |
| 幹事補佐氏名（和） | 磯野 僚多(サイオクス) / 山本 佳嗣(三菱電機) / 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 番場 教子(信州大) / 田中 信介(富士通) / 西山 伸彦(東工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Ryota Isonoi(SCIOCS) / Yoshitugu Yamamoto(Mitsubishi Electric) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) / Shinsuke Tanaka(Fujitsu) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 表面処理の異なるAu/Ni/n-GaNショットキー電極の界面顕微光応答法による評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Two-dimensional characterization of Au/Ni/n-GaN Schottky contacts with different surface treatments by scanning internal photoemission microscopy |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ショットキー接触 / Schottky contacts |
| キーワード(2)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(3)（和/英） | 表面処理 / surface treatment |
| キーワード(4)（和/英） | 電極形成後熱処理 / post-metallization annealing |
| キーワード(5)（和/英） | 界面顕微光応答法 / scanning internal photoemission microscopy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) University of Fukui(略称：Univ. of Fukui) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田中 亮 / Ryo Tanaka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 富士電機(株)(略称：富士電機) Fuji electric corporation(略称：Fuji electric co.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 高島 信也 / Shinya Takashima |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 富士電機(株)(略称：富士電機) Fuji electric corporation(略称：Fuji electric co.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 上野 勝典 / Katsunori Ueno |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 富士電機(株)(略称：富士電機) Fuji electric corporation(略称：Fuji electric co.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 江戸 雅晴 / Edo Masaharu |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 富士電機(株)(略称：富士電機) Fuji electric corporation(略称：Fuji electric co.) |
| 発表年月日 | 2021-11-26 |
| 資料番号 | ED2021-28,CPM2021-62,LQE2021-40 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | ED-259,CPM-260,LQE-261 |
| ページ範囲 | pp.63-66(ED), pp.63-66(CPM), pp.63-66(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2021-11-18 (ED, CPM, LQE) |