| 講演名 | 2021-10-21 電流計測プラットフォームを応用したSiN膜中トラップ放電電流の統計的計測 齊藤 宏河(東北大), 鈴木 勇人(東北大), 朴 賢雨(東北大), 黒田 理人(東北大), 寺本 章伸(広島大), 諏訪 智之(東北大), 須川 成利(東北大), |
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| 抄録(和) | 本稿では，$10^{-17}$ Aの高精度で絶縁膜に生じる電流を計測可能な電流計測プラットフォームを応用した，SiN膜中トラップ放電電流の統計的計測について報告する．開発した電流計測プラットフォームは，10 μmピッチで形成された384×360 セルの共通読み出し回路部と，その上に簡単なプロセスにより形成する絶縁膜部で構成されている．絶縁膜部の上部電極に電圧を印加することで，各セルの絶縁膜に生じる電流を高速かつ高精度で統計的に計測することができる．今回，我々はplasma-enhanced CVD (PECVD)によって形成したSiN膜のMIMキャパシタにおけるトラップ特性を，Discharge Current Transient Spectroscopy (DCTS)を用いることで統計的に計測した．絶縁膜厚や電極面積の形成条件を変えて作成し，トラップのエネルギー準位と密度の分布を検証した． |
| 抄録(英) | A current measurement platform to measure current across dielectrics with a high precision of $10^{-17}$ A applied for statistical measurement of discharge current due to traps in SiN dielectrics are presented. The developed platform consists of a common readout circuit part with 384×360 cells formed at 10 μm pitch and a dielectric part formed on the circuit part by a simple process. By applying a voltage to the top electrode of the dielectric part, a current across dielectrics of each cell can be statistically measured with high speed and high precision. We statistically measured the trap property of SiN films in MIM capacitors formed by plasma-enhanced CVD (PECVD) by Discharge Current Transient Spectroscopy (DCTS). The distributions of energy levels and densities of traps under different formation conditions with dielectric film thicknesses and electrode areas are verified. |
| キーワード(和) | キャパシタ / SiN / トラップ / DCTS / 電流計測 / プラットフォーム |
| キーワード(英) | Capacitor / SiN / Trap / DCTS / Current measurement / Platform |
| 資料番号 | SDM2021-51 |
| 発行日 | 2021-10-14 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2021/10/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 委員長氏名（和） | 平野 博茂(タワー パートナーズ セミコンダクター) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerPartners Semiconductor) |
| 副委員長氏名（和） | 大見 俊一郎(東工大) |
| 副委員長氏名（英） | Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 電流計測プラットフォームを応用したSiN膜中トラップ放電電流の統計的計測 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Current Measurement Platform Applied for Statistical Measurement of Discharge Current due to Traps in SiN Dielectrics |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | キャパシタ / Capacitor |
| キーワード(2)（和/英） | SiN / SiN |
| キーワード(3)（和/英） | トラップ / Trap |
| キーワード(4)（和/英） | DCTS / DCTS |
| キーワード(5)（和/英） | 電流計測 / Current measurement |
| キーワード(6)（和/英） | プラットフォーム / Platform |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 齊藤 宏河 / Koga Saito |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 鈴木 勇人 / Hayato Suzuki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 朴 賢雨 / Hyeonwoo Park |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 黒田 理人 / Rihito Kuroda |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 寺本 章伸 / Akinobu Teramoto |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 広島大学(略称：広島大) Hiroshima University(略称：Hiroshima Univ.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 諏訪 智之 / Tomoyuki Suwa |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 須川 成利 / Shigetoshi Sugawa |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 東北大学(略称：東北大) Tohoku University(略称：Tohoku Univ.) |
| 発表年月日 | 2021-10-21 |
| 資料番号 | SDM2021-51 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | SDM-212 |
| ページ範囲 | pp.23-26(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2021-10-14 (SDM) |