| 講演名 | 2021-10-21 スパッタリング法を用いて形成した酸化ガリウム薄膜の基礎評価 今泉 文伸(小山高専), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | SDM2021-45 |
| 発行日 | 2021-10-14 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2021/10/21(から1日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 委員長氏名（和） | 平野 博茂(タワー パートナーズ セミコンダクター) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerPartners Semiconductor) |
| 副委員長氏名（和） | 大見 俊一郎(東工大) |
| 副委員長氏名（英） | Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | スパッタリング法を用いて形成した酸化ガリウム薄膜の基礎評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of Gallium Oxide Thin Film Deposited by Sputtering Method |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 今泉 文伸 / Fuminobu Imaizumi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 小山工業高等専門学校(略称：小山高専) National Institute of Technology, Oyama College(略称：NIT, Oyama college) |
| 発表年月日 | 2021-10-21 |
| 資料番号 | SDM2021-45 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | SDM-212 |
| ページ範囲 | pp.5-7(SDM), |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2021-10-14 (SDM) |