| 講演名 | 2021-10-27 プラズマ化学気相成長法によるSi及びN添加ダイヤモンドライクカーボン膜の光学的特性および電気的特性に及ぼすH?及びAr希釈の効果 佐々木 祐弥(弘前大), 長内 公哉(弘前大), 大谷 優介(弘前大), 室野 優太(弘前大), 佐藤 聖能(弘前大), 小林 康之(弘前大), 遠田 義晴(弘前大), 鈴木 裕史(弘前大), 中澤 日出樹(弘前大), |
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| 抄録(和) | 希釈ガスにAr及びH?を用いたプラズマ化学気相成長法によりケイ素(Si)及び窒素(N)を添加したダイヤモンドライクカーボン(Si-N-DLC)膜を作製し、水素流量比 [H?/(H?+Ar)] が化学結合状態、内部応力、光学的特性および電気的特性に及ぼす影響を調べた。Si-N-DLC膜の内部応力および光学バンドギャップは水素流量比の増加に伴い減少した。光学バンドギャップの増加は、C 1s内殻準位XPSスペクトル解析から推測されたsp? C=C結合の減少によるものと考えられる。光照射下でSi-N-DLC/p型Siヘテロ接合の電流電圧特性を調べた結果、水素流量比の増加に伴い開放電圧が増加した。また、フィルファクタは水素流量比に関わらず0.25付近で一定であった。 |
| 抄録(英) | We have deposited silicon and nitrogen doped diamond-like carbon (Si?N?DLC) films by radio frequency plasma-enhanced chemical vapor deposition using H? and Ar as dilution gases. We investigated the influence of H? flow ratio [H?/(H?+Ar)] on the chemical bonding, internal stress, and optical and electrical properties of the Si-N-DLC films. The internal stress and optical bandgap of the Si-N-DLC films increased with increasing H? flow ratio. The increase in the optical bandgap is primarily due to a decrease in sp? C=C bonding fraction, as estimated from C 1s core-level spectra. We examined the current-voltage characteristics of Si-N-DLC/p-type Si heterojunctions under light illumination. We found that the open-circuit voltage of the heterojunctions increased with increasing H? flow ratio. The fill factor remained almost constant at about 0.25 with the H? flow ratio. |
| キーワード(和) | ダイヤモンドライクカーボン / 太陽電池 / プラズマ化学気相成長 / ケイ素 / 窒素 |
| キーワード(英) | Diamond-like carbon / Solar cell / Plasma-enhanced chemical vapor deposition / Silicon / Nitrogen |
| 資料番号 | CPM2021-26 |
| 発行日 | 2021-10-20 (CPM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2021/10/27(から1日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス，一般 |
| テーマ（英） | Functional materials (semiconductors, magnetic materials, dielectrics, transparent conductors / semiconductors, etc.) thin film processes / materials / devices, etc. |
| 委員長氏名（和） | 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 委員長氏名（英） | Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 中澤 日出樹(弘前大) |
| 副委員長氏名（英） | Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 寺迫 智昭(愛媛大) / 武山 真弓(北見工大) |
| 幹事氏名（英） | Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech) |
| 幹事補佐氏名（和） | 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 番場 教子(信州大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | プラズマ化学気相成長法によるSi及びN添加ダイヤモンドライクカーボン膜の光学的特性および電気的特性に及ぼすH?及びAr希釈の効果 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Effects of H2 and Ar dilution on the optical and electrical properties of Si and N doped diamond-like carbon films by plasma-enhanced chemical vapor deposition |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ダイヤモンドライクカーボン / Diamond-like carbon |
| キーワード(2)（和/英） | 太陽電池 / Solar cell |
| キーワード(3)（和/英） | プラズマ化学気相成長 / Plasma-enhanced chemical vapor deposition |
| キーワード(4)（和/英） | ケイ素 / Silicon |
| キーワード(5)（和/英） | 窒素 / Nitrogen |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐々木 祐弥 / Yuya Sasaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 長内 公哉 / Hiroya Osanai |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大谷 優介 / Yusuke Ohtani |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 室野 優太 / Yuta Murono |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 佐藤 聖能 / Masayoshi Sato |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 小林 康之 / Yasuyuki Kobayashi |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 遠田 義晴 / Yoshiharu Enta |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 鈴木 裕史 / Yushi Suzuki |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 中澤 日出樹 / Hideki Nakazawa |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 弘前大学(略称：弘前大) Hirosaki University(略称：Hirosaki Univ.) |
| 発表年月日 | 2021-10-27 |
| 資料番号 | CPM2021-26 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | CPM-220 |
| ページ範囲 | pp.23-28(CPM), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2021-10-20 (CPM) |