| 講演名 | 2021-11-11 ［招待講演］シリコンIGBTの新展開 平本 俊郎(東大), 更屋 拓哉(東大), |
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| 抄録(和) | パワーエレクトロニクス分野では，シリコンIGBT (insulated gate bipolar transistors)の重要性がますます高まっている．本稿では，シリコンIGBTの更なる性能向上策として，我々が取り組んできたスケーリングIGBTおよび両面ゲートIGBTについて紹介する． |
| 抄録(英) | A silicon IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistors) still remains the main stream power transistor and is widely used in power electronics equipment. In this paper, recent progress of the emerging IGBT technologies, scaling IGBT and double-gate IGBTs, are presented. |
| キーワード(和) | パワーエレクトロニクス / パワートランジスタ / IGBT / シリコン / 両面ゲート / スケーリング |
| キーワード(英) | Power Electronics / Power Transistor / IGBT / Silicon / Double Gate / Scaling |
| 資料番号 | SDM2021-53 |
| 発行日 | 2021-11-04 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2021/11/11(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit simulation, etc. |
| 委員長氏名（和） | 平野 博茂(タワー パートナーズ セミコンダクター) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerPartners Semiconductor) |
| 副委員長氏名（和） | 大見 俊一郎(東工大) |
| 副委員長氏名（英） | Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］シリコンIGBTの新展開 |
| サブタイトル（和） | スケーリングIGBTと両面ゲートIGBT |
| タイトル（英） | [Invited Talk] New Development of Silicon IGBT |
| サブタイトル（和） | Scaling IGBT and Double-Gate IGBT |
| キーワード(1)（和/英） | パワーエレクトロニクス / Power Electronics |
| キーワード(2)（和/英） | パワートランジスタ / Power Transistor |
| キーワード(3)（和/英） | IGBT / IGBT |
| キーワード(4)（和/英） | シリコン / Silicon |
| キーワード(5)（和/英） | 両面ゲート / Double Gate |
| キーワード(6)（和/英） | スケーリング / Scaling |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 平本 俊郎 / Toshiro Hiramoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：UTokyo) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 更屋 拓哉 / Takuya Saraya |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京大学(略称：東大) The University of Tokyo(略称：UTokyo) |
| 発表年月日 | 2021-11-11 |
| 資料番号 | SDM2021-53 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | SDM-235 |
| ページ範囲 | pp.1-6(SDM), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2021-11-04 (SDM) |