| 講演名 | 2021-10-27 Cu-TSVのためのSiNx膜の低温堆積法に関する検討 佐藤 勝(北見工大), 武山 真弓(北見工大), |
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| 抄録(和) | 3次元集積回路におけるCuを用いたシリコン貫通ビアでは、絶縁膜の200℃以下での堆積法を実現することが望まれている。そこで本研究では、反応性スパッタ法とラジカル処理を組み合わせた堆積法とその得られたSiNx膜の特性について検討した。その結果、通常の反応性スパッタ法と比べて、反応性スパッタ法とラジカル処理を組み合わせた堆積法の方が、良好なSiNx膜が得られることが明らかとなった。このことから、反応性スパッタ法とラジカル処理を組み合わせた堆積法は、絶縁膜の低温作製の堆積法の１つとなり得る可能性がある。 |
| 抄録(英) | For Cu through silicon via in the 3D-LSI, It is desired to realize a deposition method of an insulating film less than 200℃. In this study, deposition method combining reactive sputtering and radical treatment and characteristics of SiNx films of this method were examined. As a result, it was clarified that an excellent SiNx film can be obtained by the deposition method combining the reactive sputtering method and the radical treatment as compared with the usual reactive sputtering method. Therefore, a deposition method that combines a reactive sputtering method and a radical treatment may be one of the deposition methods of SiNx film for low-temperature preparation. |
| キーワード(和) | 3次元集積回路 / シリコン貫通ビア / 反応性スパッタ / ラジカル処理 / 低温作製 / SiNx膜 |
| キーワード(英) | 3D-LSI / through silicon via / reactive sputtering / radical treatment / low temperature deposition / SiNx film |
| 資料番号 | CPM2021-21 |
| 発行日 | 2021-10-20 (CPM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CPM |
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| 開催期間 | 2021/10/27(から1日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 機能性材料(半導体、磁性体、誘電体、透明導電体・半導体、等)薄膜プロセス/材料/デバイス，一般 |
| テーマ（英） | Functional materials (semiconductors, magnetic materials, dielectrics, transparent conductors / semiconductors, etc.) thin film processes / materials / devices, etc. |
| 委員長氏名（和） | 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 委員長氏名（英） | Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 中澤 日出樹(弘前大) |
| 副委員長氏名（英） | Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 寺迫 智昭(愛媛大) / 武山 真弓(北見工大) |
| 幹事氏名（英） | Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech) |
| 幹事補佐氏名（和） | 木村 康男(東京工科大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 番場 教子(信州大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Noriko Bamba(Shinshu Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Cu-TSVのためのSiNx膜の低温堆積法に関する検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on the low-temperature deposition method of SiNx film for Cu-TSV |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 3次元集積回路 / 3D-LSI |
| キーワード(2)（和/英） | シリコン貫通ビア / through silicon via |
| キーワード(3)（和/英） | 反応性スパッタ / reactive sputtering |
| キーワード(4)（和/英） | ラジカル処理 / radical treatment |
| キーワード(5)（和/英） | 低温作製 / low temperature deposition |
| キーワード(6)（和/英） | SiNx膜 / SiNx film |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 佐藤 勝 / Masaru Sato |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学(略称：北見工大) Kitami Institute of Technology(略称：Kitami Inst. of Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi B. Takeyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学(略称：北見工大) Kitami Institute of Technology(略称：Kitami Inst. of Tech.) |
| 発表年月日 | 2021-10-27 |
| 資料番号 | CPM2021-21 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | CPM-220 |
| ページ範囲 | pp.5-7(CPM), |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2021-10-20 (CPM) |