講演名 2021-10-08
Fe-N薄膜におけるγ'相の形成と磁歪
前田 悠良(横浜国大), 今村 光佑(横浜国大), 大竹 充(横浜国大), 川井 哲郎(横浜国大), 二本 正昭(横浜国大), 桐野 文良(東京藝術大), 稲葉 信幸(山形大),
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抄録(和) 反応性スパッタリング法によりMgO単結晶基板上にFe-N薄膜を形成し,基板温度がγ’-Fe4N相の形成に及ぼす影響について調べた.また,γ’相の磁歪定数λ100およびλ111を実験的に明らかにした.基板温度がRTの場合,γ’とα’’相から構成される多結晶膜が形成された,200 °C形成した膜はγ’相の多結晶に加えて,γ’相のエピタキシャル結晶から構成された.400 °Cまで基板温度を増加させると,γ’相の単結晶膜が得られた.しかしながら,基板温度を600 °Cまで更に上昇させると,α相の単結晶膜が形成された.400 °C程度の基板温度がγ’相の単結晶膜の形成には有効であることが分かった.γ’相の単結晶膜は,?75×10?6の大きな負のλ100と+220×10?6の大きな正のλ111を示した.本研究により,γ’-Fe4N相はレアメタルフリー磁歪材料の有力候補のひとつであることが明らかになった.
抄録(英) Fe-N thin films are prepared on MgO single-crystal substrates by reactive sputtering. The influence of substrate temperature on the γ'-Fe4N phase formation is investigated. Furthermore, the magnetostriction coefficients, λ100 and λ111, of γ' phase are experimentally determined. A poly-crystalline film composed of γ' and α" phases is formed when the substrate temperature is RT. The film prepared at 200 °C involves γ' epitaxial crystal in addition to γ' poly-crystal, whereas that prepared at 400 °C consists of only γ' single-crystal. However when the substrate temperature increases up to 600 °C, a single-crystal film composed of α phase is formed. A moderate substrate temperature of about 400 °C is effective in the formation of γ' single-crystal film. The γ' single-crystal film shows a large positive λ100 value of ?75×10?6 and a large negative λ111 value of +220×10?6. The present study has shown that γ'-Fe4N phase is one of the strong candidates for future rare-metal free magnetostrictive materials.
キーワード(和) γ'-Fe4N相 / 単結晶薄膜 / 巨大磁歪
キーワード(英) γ'-Fe4N phase / Single-Crystal Thin Film / Large Magnetostriction
資料番号 MRIS2021-7
発行日 2021-10-01 (MRIS)

研究会情報
研究会 MRIS / ITE-MMS
開催期間 2021/10/8(から1日開催)
開催地(和) オンライン開催
開催地(英) Online
テーマ(和) ヘッド,スピントロニクス,固体メモリ, 媒体, 一般
テーマ(英) Recording Head, Spintronics, Solid State Memory, Media, etc.
委員長氏名(和) 吉田 周平(近畿大) / 町田 賢司(NHK)
委員長氏名(英) Shuhei Yoshida(Kinki Univ.) / Kenji Machida(NHK)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和) 田河 育也(東北工大) / 荒井 礼子(産総研) / 吉村 哲(秋田大) / 武者 敦史(富士フイルム) / 文仙 正俊(福岡大) / 船橋 信彦(NHK)
幹事氏名(英) Ikuya Tagawa(Tohoku Inst. of Tech.) / Hiroko Arai(AIST) / Satoru Yoshimura(Akita Univ.) / Atsushi Musha(Fujifilm Corp.) / Masatoshi Bunsen(Fukuoka Univ.) / Nobuhiko Funabashi(NHK)
幹事補佐氏名(和) 仲村 泰明(愛媛大) / 平山 義幸(サムスン日本研究所)
幹事補佐氏名(英) Yasuaki Nakamura(Ehime Univ.) / Yoshiyuki Hirayama(Samsung)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Magnetic Recording & Information Storage / Technical Group on Multi-media Storage
本文の言語 JPN
タイトル(和) Fe-N薄膜におけるγ'相の形成と磁歪
サブタイトル(和)
タイトル(英) γ' Phase Formation and Magnetostriction in Fe-N Thin Films
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) γ'-Fe4N相 / γ'-Fe4N phase
キーワード(2)(和/英) 単結晶薄膜 / Single-Crystal Thin Film
キーワード(3)(和/英) 巨大磁歪 / Large Magnetostriction
第 1 著者 氏名(和/英) 前田 悠良 / Yura Maeda
第 1 著者 所属(和/英) 横浜国立大学(略称:横浜国大)
Yokohama National University(略称:Yokohama Nat. Univ.)
第 2 著者 氏名(和/英) 今村 光佑 / Kosuke Imamura
第 2 著者 所属(和/英) 横浜国立大学(略称:横浜国大)
Yokohama National University(略称:Yokohama Nat. Univ.)
第 3 著者 氏名(和/英) 大竹 充 / Mitsuru Ohtake
第 3 著者 所属(和/英) 横浜国立大学(略称:横浜国大)
Yokohama National University(略称:Yokohama Nat. Univ.)
第 4 著者 氏名(和/英) 川井 哲郎 / Tetsuroh Kawai
第 4 著者 所属(和/英) 横浜国立大学(略称:横浜国大)
Yokohama National University(略称:Yokohama Nat. Univ.)
第 5 著者 氏名(和/英) 二本 正昭 / Masaaki Futamoto
第 5 著者 所属(和/英) 横浜国立大学(略称:横浜国大)
Yokohama National University(略称:Yokohama Nat. Univ.)
第 6 著者 氏名(和/英) 桐野 文良 / Fumiyoshi Kirino
第 6 著者 所属(和/英) 東京藝術大学(略称:東京藝術大)
Tokyo University of the Arts(略称:Tokyo Univ. Arts)
第 7 著者 氏名(和/英) 稲葉 信幸 / Nobuyuki Inaba
第 7 著者 所属(和/英) 山形大学(略称:山形大)
Yamagata University(略称:Yamagata Univ.)
発表年月日 2021-10-08
資料番号 MRIS2021-7
巻番号(vol) vol.121
号番号(no) MRIS-193
ページ範囲 pp.6-10(MRIS),
ページ数 5
発行日 2021-10-01 (MRIS)