| 講演名 | 2021-10-14 RF電力増幅器の利得増加現象を再現するAM-AMビヘイビアモデル 田中 聡(村田製作所), |
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| 抄録(和) | 5G(第5世代)携帯電話では，PAPR(peak to average power ratio)の大きなQAM(quadrature amplitude modulation)変調が適用される．このため，携帯電話端末用PA(Power Amplifier)には高い線形性が要求される．現在携帯電話端末用PAには化合物HBT(hetero bipolar transistor)が広く適用されている．HBTを適用した1段PAでは出力電力増加に伴い信号源からベースまでの利得が減少する．逆にベースから出力までの利得が出力電力増加に伴い増加する．HBTを適用したPAではこの互いに逆の特性を持つ2つの特性を合わせたものが全体特性になる．このようなPAの特性把握には利得増加・減少の両方の特性を表現できるPA特性の簡単な記載であるAM(amplitude modulation)-AMビヘイビアモデルが有用である．これまで報告されているモデルはPAが飽和した時の利得減少については良く表現できているが出力電力増加時に生じる利得増加については表現できるものがなかった．本報告ではガウス関数を用いて利得増加を表現できるモデルを提案する． |
| 抄録(英) | In 5G (5th Generation) mobile phone, QAM (quadrature amplitude modulation) which has high PAPR (peak to average power ratio) is applied. Therefore, PA (power amplifier) is required to achieve high linearity. Recently HBT (hetero bipolar transistor) is widely applied to PAs for mobile phone terminals. In the single-stage PA to which HBT is applied, the gain from the signal source to the base decreases as the output power increase. On the other hand, the gain from the base to the output increases as the output power increases. In a PA with HBT applied, the combined characteristics of two characteristics having the opposite characteristics to each other become the overall characteristics. An AM (amplitude modulation)-AM behavior model that can express both the increase and decrease of gain is useful for grasping the characteristics of such PA. The model reported so far has been well expressed for PA saturation, that is, a decrease in gain, but there was no expression of the increase in gain generated when the output power was increased. In this report, a model that can express the increase in gain using gaussian functions is proposed. |
| キーワード(和) | 携帯電話 / 電力増幅器 / 非線形 / ビヘイビアモデル / AM-AM |
| キーワード(英) | Mobile Phone / Power Amplifier / Non-Linear / Behavior Model / AM-AM |
| 資料番号 | CAS2021-20,NLP2021-18 |
| 発行日 | 2021-10-07 (CAS, NLP) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | CAS / NLP |
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| 開催期間 | 2021/10/14(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 佐藤 弘樹(ソニーLSIデザイン) / 高坂 拓司(中京大) |
| 委員長氏名（英） | Hiroki Sato(Sony LSI Design) / Takuji Kosaka(Chukyo Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 前田 義信(新潟大) / 常田 明夫(熊本大) |
| 副委員長氏名（英） | Yoshinobu Maeda(Niigata Univ.) / Akio Tsuneda(Kumamoto Univ.) |
| 幹事氏名（和） | 下田 真二(ソニーLSIデザイン) / 伊藤 尚(富山高専) / 松下 春奈(香川大) / 吉岡 大三郎(崇城大) |
| 幹事氏名（英） | Shinji Shimoda(Sony LSI Design) / Nao Ito(NIT, Toyama college) / Haruna Matsushita(Kagawa Univ.) / Daizaburo Yoshioka(Sojo Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 山口 基(テクノプロ) / 中村 洋平(日立) / 佐藤 隆英(山梨大) / 相原 康敏(村田製作所) / 加藤 秀行(大分大) / 横井 裕一(長崎大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Motoi Yamaguchi(TECHNOPRO) / Yohei Nakamura(Hitachi) / Takahide Sato(Univ. of Yamanashi) / Yasutoshi Aibara(Murata Manufacturing) / Hideyuki Kato(Oita Univ.) / Yuichi Yokoi(Nagasaki Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Circuits and Systems / Technical Committee on Nonlinear Problems |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RF電力増幅器の利得増加現象を再現するAM-AMビヘイビアモデル |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | AM-AM Behavior Model that Reproduces the Gain Increase Phenomenon of RF Power Amplifier |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 携帯電話 / Mobile Phone |
| キーワード(2)（和/英） | 電力増幅器 / Power Amplifier |
| キーワード(3)（和/英） | 非線形 / Non-Linear |
| キーワード(4)（和/英） | ビヘイビアモデル / Behavior Model |
| キーワード(5)（和/英） | AM-AM / AM-AM |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田中 聡 / Satoshi Tanaka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 株式会社 村田製作所(略称：村田製作所) Murata Manufacturing Co., Ltd.(略称：Murata) |
| 発表年月日 | 2021-10-14 |
| 資料番号 | CAS2021-20,NLP2021-18 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | CAS-196,NLP-197 |
| ページ範囲 | pp.17-22(CAS), pp.17-22(NLP), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2021-10-07 (CAS, NLP) |