| 講演名 | 2021-06-22 ［依頼講演］二次元材料をチャネルとするFET 若林 整(東工大), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | SDM2021-24 |
| 発行日 | 2021-06-15 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2021/6/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online Virtual Meeting |
| テーマ（和） | MOSデバイス・メモリ高性能化−材料・プロセス技術 （応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催） |
| テーマ（英） | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
| 委員長氏名（和） | 平野 博茂(タワー パートナーズ セミコンダクター) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerPartners Semiconductor) |
| 副委員長氏名（和） | 大見 俊一郎(東工大) |
| 副委員長氏名（英） | Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［依頼講演］二次元材料をチャネルとするFET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Lecture] FET characteristics with 2D channel |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 若林 整 / Hitoshi Wakabayashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 発表年月日 | 2021-06-22 |
| 資料番号 | SDM2021-24 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | SDM-71 |
| ページ範囲 | pp.13-15(SDM), |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2021-06-15 (SDM) |