講演名 | 2021-06-22 [依頼講演]デバイス応用に向けた強誘電性HfO2の理解をめざして 鳥海 明(*), |
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資料番号 | SDM2021-26 |
発行日 | 2021-06-15 (SDM) |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 2021/6/22(から1日開催) |
開催地(和) | オンライン開催 |
開催地(英) | Online Virtual Meeting |
テーマ(和) | MOSデバイス・メモリ高性能化−材料・プロセス技術 (応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催) |
テーマ(英) | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
委員長氏名(和) | 平野 博茂(タワー パートナーズ セミコンダクター) |
委員長氏名(英) | Hiroshige Hirano(TowerPartners Semiconductor) |
副委員長氏名(和) | 大見 俊一郎(東工大) |
副委員長氏名(英) | Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
幹事氏名(和) | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
幹事氏名(英) | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
幹事補佐氏名(和) | 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) |
幹事補佐氏名(英) | Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | [依頼講演]デバイス応用に向けた強誘電性HfO2の理解をめざして |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | [Invited Lecture] For understanding ferroelectric HfO2 toward its device applications |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | |
第 1 著者 氏名(和/英) | 鳥海 明 / Akira Toriumi |
第 1 著者 所属(和/英) | *(略称:*) *(略称:*) |
発表年月日 | 2021-06-22 |
資料番号 | SDM2021-26 |
巻番号(vol) | vol.121 |
号番号(no) | SDM-71 |
ページ範囲 | pp.17-20(SDM), |
ページ数 | 4 |
発行日 | 2021-06-15 (SDM) |