講演名 | 2021-06-22 アプリケーション特性に起因するTaOx ReRAMセルの信頼性ばらつきを許容する高速ストレージ 松井 千尋(東大), 竹内 健(東大), |
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抄録(和) | ストレージアプリケーションに起因してTaOx ReRAMセルにはさまざまなエラーが発生するため,エラーを訂正するためにストレージ性能が低下する.ReRAMメモリデバイスで発生するエラーをシステム・回路・デバイスの各レベルで許容し,高速化する手法を提案する.その結果,ストレージ性能7倍,消費エネルギー90%削減,メモリセル面積8.5%削減した. |
抄録(英) | Storage application induces various types or errors in TaOx ReRAM cells and the storage performance degrades. To improve storage performance, this paper proposes a method to tolerate errors in ReRAM devices at each system, circuit, and device level. As a result, storage performance improves by 7.0 times, energy consumption and memory cell area is reduced by 90% and 8.5%, respectively. |
キーワード(和) | ReRAM / 信頼性 / ストレージ |
キーワード(英) | ReRAM / Reliability / Storage |
資料番号 | SDM2021-27 |
発行日 | 2021-06-15 (SDM) |
研究会情報 | |
研究会 | SDM |
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開催期間 | 2021/6/22(から1日開催) |
開催地(和) | オンライン開催 |
開催地(英) | Online Virtual Meeting |
テーマ(和) | MOSデバイス・メモリ高性能化−材料・プロセス技術 (応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催) |
テーマ(英) | Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories |
委員長氏名(和) | 平野 博茂(タワー パートナーズ セミコンダクター) |
委員長氏名(英) | Hiroshige Hirano(TowerPartners Semiconductor) |
副委員長氏名(和) | 大見 俊一郎(東工大) |
副委員長氏名(英) | Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
幹事氏名(和) | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
幹事氏名(英) | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
幹事補佐氏名(和) | 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) |
幹事補佐氏名(英) | Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) |
講演論文情報詳細 | |
申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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本文の言語 | JPN |
タイトル(和) | アプリケーション特性に起因するTaOx ReRAMセルの信頼性ばらつきを許容する高速ストレージ |
サブタイトル(和) | |
タイトル(英) | Application-induced TaOx ReRAM Cell Reliability Variation Tolerated High-speed Storage |
サブタイトル(和) | |
キーワード(1)(和/英) | ReRAM / ReRAM |
キーワード(2)(和/英) | 信頼性 / Reliability |
キーワード(3)(和/英) | ストレージ / Storage |
第 1 著者 氏名(和/英) | 松井 千尋 / Chihiro Matsui |
第 1 著者 所属(和/英) | 東京大学(略称:東大) The University of aTokyo(略称:Univ. Tokyo) |
第 2 著者 氏名(和/英) | 竹内 健 / Ken Takeuchi |
第 2 著者 所属(和/英) | 東京大学(略称:東大) The University of aTokyo(略称:Univ. Tokyo) |
発表年月日 | 2021-06-22 |
資料番号 | SDM2021-27 |
巻番号(vol) | vol.121 |
号番号(no) | SDM-71 |
ページ範囲 | pp.21-22(SDM), |
ページ数 | 2 |
発行日 | 2021-06-15 (SDM) |