講演名 2021-06-22
アプリケーション特性に起因するTaOx ReRAMセルの信頼性ばらつきを許容する高速ストレージ
松井 千尋(東大), 竹内 健(東大),
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抄録(和) ストレージアプリケーションに起因してTaOx ReRAMセルにはさまざまなエラーが発生するため,エラーを訂正するためにストレージ性能が低下する.ReRAMメモリデバイスで発生するエラーをシステム・回路・デバイスの各レベルで許容し,高速化する手法を提案する.その結果,ストレージ性能7倍,消費エネルギー90%削減,メモリセル面積8.5%削減した.
抄録(英) Storage application induces various types or errors in TaOx ReRAM cells and the storage performance degrades. To improve storage performance, this paper proposes a method to tolerate errors in ReRAM devices at each system, circuit, and device level. As a result, storage performance improves by 7.0 times, energy consumption and memory cell area is reduced by 90% and 8.5%, respectively.
キーワード(和) ReRAM / 信頼性 / ストレージ
キーワード(英) ReRAM / Reliability / Storage
資料番号 SDM2021-27
発行日 2021-06-15 (SDM)

研究会情報
研究会 SDM
開催期間 2021/6/22(から1日開催)
開催地(和) オンライン開催
開催地(英) Online Virtual Meeting
テーマ(和) MOSデバイス・メモリ高性能化−材料・プロセス技術 (応用物理学会 シリコンテクノロジー分科会との合同開催)
テーマ(英) Material Science and Process Technology for MOS Devices and Memories
委員長氏名(和) 平野 博茂(タワー パートナーズ セミコンダクター)
委員長氏名(英) Hiroshige Hirano(TowerPartners Semiconductor)
副委員長氏名(和) 大見 俊一郎(東工大)
副委員長氏名(英) Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.)
幹事氏名(和) 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大)
幹事氏名(英) Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.)
幹事補佐氏名(和) 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大)
幹事補佐氏名(英) Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Silicon Device and Materials
本文の言語 JPN
タイトル(和) アプリケーション特性に起因するTaOx ReRAMセルの信頼性ばらつきを許容する高速ストレージ
サブタイトル(和)
タイトル(英) Application-induced TaOx ReRAM Cell Reliability Variation Tolerated High-speed Storage
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ReRAM / ReRAM
キーワード(2)(和/英) 信頼性 / Reliability
キーワード(3)(和/英) ストレージ / Storage
第 1 著者 氏名(和/英) 松井 千尋 / Chihiro Matsui
第 1 著者 所属(和/英) 東京大学(略称:東大)
The University of aTokyo(略称:Univ. Tokyo)
第 2 著者 氏名(和/英) 竹内 健 / Ken Takeuchi
第 2 著者 所属(和/英) 東京大学(略称:東大)
The University of aTokyo(略称:Univ. Tokyo)
発表年月日 2021-06-22
資料番号 SDM2021-27
巻番号(vol) vol.121
号番号(no) SDM-71
ページ範囲 pp.21-22(SDM),
ページ数 2
発行日 2021-06-15 (SDM)