| 講演名 | 2021-05-27 抵抗変化型メモリのためのZr/ZrOx/Pt構造の電気的特性評価 川合 祐貴(北見工大), 佐藤 勝(北見工大), 武山 真弓(北見工大), |
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| 抄録(和) | 抗変化型メモリは、次世代の不揮発性メモリとして注目されている。しかしながら、フォーミングに高電圧が必要なことやフォーミングによって動作電流が増大し、消費電力の増加が見込まれるなどの課題が存在する。本研究では、膜厚の異なるZrOx 膜を用いてZr/ZrOx/Pt構造を作製し、そのI-V特性を評価した。その結果Zr/ZrOx/Pt構造で10nmのZrOx 膜を用いた場合にフォーミング動作が必要なく、抵抗変化型メモリの動作をする素子が得られた。またこのZr/ZrOx/Pt構造は、低電圧(< 5 V)、低電流(< 100 nA)で動作することが明らかとなった。 |
| 抄録(英) | Resistive random access memory is attracting attention as the next generation non-volatile memory. However, there are various issues such as increased operating voltage, and current, and high power consumption due to the forming process. In this study, we prepared the Zr/ZrOx/Pt structure using ZrOx films with different film thickness and examined I-V characteristics of Zr/ZrOx/Pt structure. As a result, we can obtain forming free RRAM device using Zr/ZrOx/Pt structure with 10 nm thick ZrOx film. Also, both low operating voltage (< 5 V) and the low operating current (< 100 nA) are demonstrated in Zr/ZrOx/Pt structures. |
| キーワード(和) | 抵抗変化型メモリ / 不揮発性メモリ / フォーミング / ZrOx膜 |
| キーワード(英) | Resistive random access memory / non-volatile memories / Forming process / ZrOx film |
| 資料番号 | ED2021-3,CPM2021-3,SDM2021-14 |
| 発行日 | 2021-05-20 (ED, CPM, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | ED / SDM / CPM |
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| 開催期間 | 2021/5/27(から1日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 機能性デバイス材料・作製・特性評価および関連技術 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 須原 理彦(都立大) / 平野 博茂(タワー パートナーズ セミコンダクター) / 武山 真弓(北見工大) |
| 委員長氏名（英） | Michihiko Suhara(TMU) / Hiroshige Hirano(TowerPartners Semiconductor) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) |
| 副委員長氏名（和） | 藤代 博記(東京理科大) / 大見 俊一郎(東工大) / 中村 雄一(豊橋技科大) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) / Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 岩田 達哉(富山県立大) / 小谷 淳二(富士通研) / 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) / 中澤 日出樹(弘前大) |
| 幹事氏名（英） | Tatsuya Iwata(Toyama Pref. Univ.) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) / Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 堤 卓也(NTT) / 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) / 木村 康男(東京工科大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 廣瀬 文彦(山形大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takuya Tsutsumi(NTT) / Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electron Devices / Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Committee on Component Parts and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 抵抗変化型メモリのためのZr/ZrOx/Pt構造の電気的特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of I-V Characteristics of Zr/ZrOx/Pt Structure for Resistive Random Access Memory |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 抵抗変化型メモリ / Resistive random access memory |
| キーワード(2)（和/英） | 不揮発性メモリ / non-volatile memories |
| キーワード(3)（和/英） | フォーミング / Forming process |
| キーワード(4)（和/英） | ZrOx膜 / ZrOx film |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 川合 祐貴 / Yuki Kawai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 北見工業大学(略称：北見工大) Kitami Institute of Technology(略称：Kitami Inst. of Tech.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 佐藤 勝 / Masaru Sato |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 北見工業大学(略称：北見工大) Kitami Institute of Technology(略称：Kitami Inst. of Tech.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 武山 真弓 / Mayumi B. Takeyama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 北見工業大学(略称：北見工大) Kitami Institute of Technology(略称：Kitami Inst. of Tech.) |
| 発表年月日 | 2021-05-27 |
| 資料番号 | ED2021-3,CPM2021-3,SDM2021-14 |
| 巻番号（vol） | vol.121 |
| 号番号（no） | ED-44,CPM-45,SDM-46 |
| ページ範囲 | pp.11-14(ED), pp.11-14(CPM), pp.11-14(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2021-05-20 (ED, CPM, SDM) |