| 講演名 | 2021-03-01 0.5μm CMOS/SOIを用いた高周波ゲートドライバーのシミュレーションによる検討 大谷 圭佑(九工大), 中山 未菜美(九工大), 有吉 和麻(九工大), 松本 聡(九工大), |
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| 抄録(和) | 近年、電子機器・通信機器の小型化・高性能化に伴い、電源の小型化が要求されている。電源の小型化としてスイッチング周波数の高周波化が効果的である。GaNパワーデバイスは高周波において高効率であり、高温動作においても優れている。また、薄層SOIはリーク電流を減らし、ラッチアップを抑制することができるため、高温動作に適している。本論文では薄層SOIパワーMOFETをモデル化し、SOIを用いたGaNパワーデバイス用高周波ゲートドライバーのシミュレーションを行った結果を報告する。 |
| 抄録(英) | In recent years, with the miniaturization and high performance of electronic devices and communication devices, miniaturization of power sources has been required. Increasing the switching frequency is effective as a miniaturization of the power supply. GaN power devices are highly efficient at high frequencies and are also excellent at high temperatures. In addition, thin-layer SOI is suitable for high-temperature operation because it can reduce leakage current and suppress latch-up. In this paper, we model a thin-layer SOI power MOFET and report the results of simulating a high-frequency gate driver for GaN power devices using SOI. |
| キーワード(和) | GaN / ゲートドライバ / SOI |
| キーワード(英) | GaN / gate driver / SOI |
| 資料番号 | EE2020-47 |
| 発行日 | 2021-02-22 (EE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EE / IEE-SPC |
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| 開催期間 | 2021/3/1(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | スイッチング電源、半導体電力変換技術、電力系統技術 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 末次 正(福岡大) / 船渡 寛人(宇都宮大学) |
| 委員長氏名（英） | Tadashi Suetsugu(Fukuoka Univ.) / 船渡 寛人(宇都宮大学) |
| 副委員長氏名（和） | 関屋 大雄(千葉大) / 廣瀬 圭一(NTTファシリティーズ) / 藤井 幹介(富士電機（株）) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroo Sekiya(Chiba Univ.) / Keiichi Hirose(NTT Facilities) / 藤井 幹介(富士電機（株）) |
| 幹事氏名（和） | 坂井 栄治(崇城大) / 松井 信正(長崎総科大) / 伊東 淳一(長岡技術科学大学) / 磯部 高範(筑波大学) |
| 幹事氏名（英） | Eiji Sakai(Sojo Univ.) / Nobumasa Matsui(Nagasaki Inst. of Applied Science) / 伊東 淳一(長岡技術科学大学) / 磯部 高範(筑波大学) |
| 幹事補佐氏名（和） | 米澤 遊(富士通アドバンストテクノロジ) / 古川 雄大(福岡大学) / 湯淺 一史(NTTファシリティーズ) / 図子 祐輔(日産自動車（株）) / 高見 弘(芝浦工業大学) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yuu Yonezawa(FUJITSU Advanced Technologies) / Yudai Furukawa(Fukuoka Univ.) / Kazufumi Yuasa(NTT Facilities) / 図子 祐輔(日産自動車（株）) / 高見 弘(芝浦工業大学) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Energy Engineering in Electronics and Communications / Technical Meeting on Semiconductor Power Converter |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 0.5μm CMOS/SOIを用いた高周波ゲートドライバーのシミュレーションによる検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Examination by simulation of high frequency gate driver using 0.5 μm CMOS/SOI |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ゲートドライバ / gate driver |
| キーワード(3)（和/英） | SOI / SOI |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 大谷 圭佑 / Keisuke Otani |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州工業大学(略称：九工大) Kyusyu Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中山 未菜美 / Minami Nakayama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州工業大学(略称：九工大) Kyusyu Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 有吉 和麻 / Kazuma Ariyoshi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 九州工業大学(略称：九工大) Kyusyu Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 松本 聡 / Satoshi Matsumoto |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 九州工業大学(略称：九工大) Kyusyu Institute of Technology(略称：KIT) |
| 発表年月日 | 2021-03-01 |
| 資料番号 | EE2020-47 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | EE-387 |
| ページ範囲 | pp.39-43(EE), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2021-02-22 (EE) |