講演名 2021-03-02
高い注入障壁を有するNPD/mCP界面をもつ積層薄膜のキャリア輸送特性
佐藤 涼(愛知工大), 清家 善之(愛知工大), 森 竜雄(愛知工大),
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抄録(和) 正孔側輸送材料としてα-NPDとmCPを用いて、外部量子効率が10%を超えるTADF有機ELを作製した報告がある。α-NPD/mCP間に正孔障壁(~0.7eV)が存在するので、α-NPDとmCPの積層薄膜の正孔伝導を調べた。一般にITO/FSAM/α-NPD(50nm)/Alの正孔電導は空間電荷制限電流(SCLC)で説明できる。α-NPD(50nm)/mCP (10nm)でも、電圧の2乗に比例するSCLCが観測された。これはα-NPD層のSCLCとmCP層のトンネル電導を組み合わせた電導モデルによって説明できることを明らかにした。α-NPD上に堆積したmCP層の厚さが30nm、50nmと増加すると、電流は徐々に減少していく。この結果は、10nmのmCP層の正孔電導がトンネリング過程によるものであることを裏付けるものである。
抄録(英) We studied the electrical conduction of the bilayer specimen of N,N′-bis(naphthalen-1-yl)-N,N′- bis(phenyl)benzidine (α-NPD) and 1,3-bis(N-carbazolyl) benzene (mCP). The electrical conduction of ITO/FSAM/α-NPD(50 nm)/Al can be explained by a space charge-limited current (SCLC). In the α-NPD(50 nm)/mCP(10 nm) specimen, the current shows the similar to that of the α-NPD (50nm) specimen in spite of the existence of hole barrier between α-NPD/mCP. The current in the α-NPD/mCP specimen is also proportional to the square voltage. We propose the conduction model combined with SCLC in the α-NPD layer and the tunneling in the mCP layer.
キーワード(和) mCP / α-NPD / SCLC / トンネリング / 正孔輸送
キーワード(英) mCP / α-NPD / SCLC model / tunneling / hole transport
資料番号 OME2020-28
発行日 2021-02-22 (OME)

研究会情報
研究会 OME / IEE-DEI
開催期間 2021/3/1(から2日開催)
開催地(和) オンライン開催
開催地(英) Online
テーマ(和) 有機材料・薄膜、有機デバイス、一般
テーマ(英) Organic Molecular Electronics
委員長氏名(和) 真島 豊(東工大) / 早川 直樹(名古屋大学)
委員長氏名(英) Yutaka Majima(Tokyo Inst. of Tech.) / 早川 直樹(名古屋大学)
副委員長氏名(和) 山田 俊樹(NICT)
副委員長氏名(英) Toshiki Yamada(NICT)
幹事氏名(和) 梶井 博武(阪大) / 田口 大(東工大) / 関口 洋逸(住友電気工業) / 髙橋 俊裕(電力中央研究所)
幹事氏名(英) Hirotake Kajii(Osaka Univ.) / Dai Taguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / 関口 洋逸(住友電気工業) / 髙橋 俊裕(電力中央研究所)
幹事補佐氏名(和) 嘉治 寿彦(東京農工大) / 清家 善之(愛知工大) / 早瀬 悠二(富士電機) / 村上 義信(豊橋技術科学大学)
幹事補佐氏名(英) Toshihiko Kaji(Tokyo Univ. of Agriculture and Tech.) / Yoshiyuki Seike(Aichi Inst. of Tech.) / 早瀬 悠二(富士電機) / 村上 義信(豊橋技術科学大学)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Organic Molecular Electronics / Technical Meeting on Dielectrics and Electrical Insulation
本文の言語 JPN
タイトル(和) 高い注入障壁を有するNPD/mCP界面をもつ積層薄膜のキャリア輸送特性
サブタイトル(和)
タイトル(英) Carrier Conduction Mechanism of Bilayer Films with High Barrier Height at the NPD/mCP Interface
サブタイトル(和) *
キーワード(1)(和/英) mCP / mCP
キーワード(2)(和/英) α-NPD / α-NPD
キーワード(3)(和/英) SCLC / SCLC model
キーワード(4)(和/英) トンネリング / tunneling
キーワード(5)(和/英) 正孔輸送 / hole transport
第 1 著者 氏名(和/英) 佐藤 涼 / Ryo Sato
第 1 著者 所属(和/英) 愛知工業大学(略称:愛知工大)
AICHI INSTITUTE OF TECHNOLOGY(略称:AIT)
第 2 著者 氏名(和/英) 清家 善之 / Yoshiyuki Seike
第 2 著者 所属(和/英) 愛知工業大学(略称:愛知工大)
AICHI INSTITUTE OF TECHNOLOGY(略称:AIT)
第 3 著者 氏名(和/英) 森 竜雄 / Tatsuo Mori
第 3 著者 所属(和/英) 愛知工業大学(略称:愛知工大)
AICHI INSTITUTE OF TECHNOLOGY(略称:AIT)
発表年月日 2021-03-02
資料番号 OME2020-28
巻番号(vol) vol.120
号番号(no) OME-383
ページ範囲 pp.35-38(OME),
ページ数 4
発行日 2021-02-22 (OME)