| 講演名 | 2021-01-25 カスコード接続した分極超接合GaN-FETのターンオン過程の解析 新井 大輔(名大), 神山 祐輔(パウデック), 八木 修一(パウデック), 河合 弘治(パウデック), 成井 啓修(パウデック), 今岡 淳(名大), 山本 真義(名大), |
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| 抄録(和) | ノーマリーオン型で1200V耐圧の分極超接合GaN-FETを低耐圧Si-MOSFETとカスコード接続し，抵抗負荷でスイッチングさせ，ターンオン過程を解析した．通常のカスコード接続では，高耐圧デバイスのゲートをグランドに落とす．しかし分極超接合GaN-FETの場合，ゲートリーク電流が増加しない範囲でゲート電位を定電圧源によってクランプしておくとターンオンが速くなることが実験とシミュレーションから分かった．シミュレーションによると，ゲート電位を定電圧源を使ってクランプするとターンオン時にホールがすばやく供給され，ターンオンが速くなることが明らかになった． |
| 抄録(英) | The turn-on transient of the cascode connected Polarization Super-Junction (PSJ) GaN-FET with 1200V class has been investigated. For standard cascode connection the gate of the high voltage device is connected to GND. However, for PSJ-FET experiments and device simulations both showed that faster turn-on is achieved when the gate voltage is clamped by the voltage source. The device simulations indicated that clamped gate voltage for PSJ-FET enhances the return of the holes to the on-state from the off-state which accelerates the turn-on transient. |
| キーワード(和) | GaN / HEMT / Polarization Super-Junction / cascode / switching / turn-on |
| キーワード(英) | GaN / HEMT / Polarization Super-Junction / cascode / switching / turn-on |
| 資料番号 | EE2020-32 |
| 発行日 | 2021-01-18 (EE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EE |
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| 開催期間 | 2021/1/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 回路技術及び高効率エネルギー変換技術関連、一般 |
| テーマ（英） | DC/DC converter, New circuit for power conversion and control, others |
| 委員長氏名（和） | 末次 正(福岡大) |
| 委員長氏名（英） | Tadashi Suetsugu(Fukuoka Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 関屋 大雄(千葉大) / 廣瀬 圭一(NTTファシリティーズ) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroo Sekiya(Chiba Univ.) / Keiichi Hirose(NTT Facilities) |
| 幹事氏名（和） | 坂井 栄治(崇城大) / 松井 信正(長崎総科大) |
| 幹事氏名（英） | Eiji Sakai(Sojo Univ.) / Nobumasa Matsui(Nagasaki Inst. of Applied Science) |
| 幹事補佐氏名（和） | 米澤 遊(富士通アドバンストテクノロジ) / 古川 雄大(福岡大学) / 湯淺 一史(NTTファシリティーズ) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yuu Yonezawa(FUJITSU Advanced Technologies) / Yudai Furukawa(Fukuoka Univ.) / Kazufumi Yuasa(NTT Facilities) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Energy Engineering in Electronics and Communications |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | カスコード接続した分極超接合GaN-FETのターンオン過程の解析 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis on the turn-on transient of cascode connected Polarization Super-Junction GaN-FET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | HEMT / HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | Polarization Super-Junction / Polarization Super-Junction |
| キーワード(4)（和/英） | cascode / cascode |
| キーワード(5)（和/英） | switching / switching |
| キーワード(6)（和/英） | turn-on / turn-on |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 新井 大輔 / Daisuke Arai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 神山 祐輔 / Yusuke Kamiyama |
| 第 2 著者 所属（和/英） | パウデック(略称：パウデック) POWDEC(略称：POWDEC) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 八木 修一 / Shuichi Yagi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | パウデック(略称：パウデック) POWDEC(略称：POWDEC) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 河合 弘治 / Hiroji Kawai |
| 第 4 著者 所属（和/英） | パウデック(略称：パウデック) POWDEC(略称：POWDEC) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 成井 啓修 / Hironobu Narui |
| 第 5 著者 所属（和/英） | パウデック(略称：パウデック) POWDEC(略称：POWDEC) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 今岡 淳 / Jun Imaoka |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 山本 真義 / Masayoshi Yamamoto |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 発表年月日 | 2021-01-25 |
| 資料番号 | EE2020-32 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | EE-340 |
| ページ範囲 | pp.47-52(EE), |
| ページ数 | 6 |
| 発行日 | 2021-01-18 (EE) |