| 講演名 | 2021-01-25 MOSゲート型パワー半導体におけるセルフターンオン現象の解析とモデル化 西尾 貴植(九工大), 大村 一郎(九工大), |
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| 抄録(和) | パワー半導体を用いたスイッチング電源やモータドライブなどの高速スイッチング回路では、急峻に立ち上がる電圧によるセルフターンオン現象が損失増大や故障の原因になっている。本研究では、従来の原因から視点を変え、スイッチング時の主回路電流によってゲート寄生インダクタンスに発生した電圧がセルフターンオンを引き起こすと仮定し、TCADシミュレーションで解析した。さらにセルフターンオンを防止する回路設計指針を示した。 |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | セルフターンオン / 誤点弧 |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | EE2020-31 |
| 発行日 | 2021-01-18 (EE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EE |
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| 開催期間 | 2021/1/25(から1日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 回路技術及び高効率エネルギー変換技術関連、一般 |
| テーマ（英） | DC/DC converter, New circuit for power conversion and control, others |
| 委員長氏名（和） | 末次 正(福岡大) |
| 委員長氏名（英） | Tadashi Suetsugu(Fukuoka Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 関屋 大雄(千葉大) / 廣瀬 圭一(NTTファシリティーズ) |
| 副委員長氏名（英） | Hiroo Sekiya(Chiba Univ.) / Keiichi Hirose(NTT Facilities) |
| 幹事氏名（和） | 坂井 栄治(崇城大) / 松井 信正(長崎総科大) |
| 幹事氏名（英） | Eiji Sakai(Sojo Univ.) / Nobumasa Matsui(Nagasaki Inst. of Applied Science) |
| 幹事補佐氏名（和） | 米澤 遊(富士通アドバンストテクノロジ) / 古川 雄大(福岡大学) / 湯淺 一史(NTTファシリティーズ) |
| 幹事補佐氏名（英） | Yuu Yonezawa(FUJITSU Advanced Technologies) / Yudai Furukawa(Fukuoka Univ.) / Kazufumi Yuasa(NTT Facilities) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Energy Engineering in Electronics and Communications |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | MOSゲート型パワー半導体におけるセルフターンオン現象の解析とモデル化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Analysis and modeling of self-turn-on phenomenon of MOS gate type power semiconductors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | セルフターンオン |
| キーワード(2)（和/英） | 誤点弧 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 西尾 貴植 / Takanao Nishio |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 九州工業大学(略称：九工大) Kyushu Institute of Technology(略称：Kyutech) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 大村 一郎 / Ichiro Omura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 九州工業大学(略称：九工大) Kyushu Institute of Technology(略称：Kyutech) |
| 発表年月日 | 2021-01-25 |
| 資料番号 | EE2020-31 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | EE-340 |
| ページ範囲 | pp.43-46(EE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2021-01-18 (EE) |