| 講演名 | 2020-12-10 入力電力レベル適応自己ゲートバイアス調整型広ダイナミックレンジ高効率整流器 山崎 純(電通大), 石川 亮(電通大), 本城 和彦(電通大), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | RFエナジーハーベスティングや無線電力伝送において，送受間の距離や環境で受信電力レベルが変化することから，広いダイナミックレンジで動作する整流器の開発が求められている．増幅器との時間反転双対性に基づいて設計されたトランジスタ整流器の特徴として，ゲート電圧を閾値電圧から下げていくとRF-DC変換効率のピークが入力電力の大きい方へシフトしていくことが挙げられる．本稿ではゼロ閾値GaAs HEMTを用いた高効率整流器と，その整流器とは別に，入力電力に応じて適切なゲートバイアス電圧を印加するためのバイアス用整流器の2つを組み合わせることで，広ダイナミックレンジ動作を実現する回路構成を提案する．試作した広ダイナミックレンジ整流器では，9dBm~24dBmと0dBm~25dBmの入力電力の範囲においてそれぞれ70%以上と60%以上のRF-DC変換効率を達成した． |
| 抄録(英) | In RF energy harvesting and wireless power transfer, it is required to develop rectifiers having wide dynamic range characteristic since a received power level varies with a distance between transmitters and receivers and environment. In transistor rectifiers designed based on time-reversal duality with amplifiers, a peak of the RF-DC conversion efficiency tends to shift to the higher input power region by decreasing the gate-bias voltage from the threshold voltage. In this report, to utilize the above characteristic, a wide-dynamic-range high-efficiency rectifier configuration combining a main rectifier for operating high efficiency and a sub rectifier for applying an appropriate gate-bias voltage to the main rectifier according to input power has been proposed. A fabricated rectifier with zero-threshold GaAs HEMTs exhibited a RF-to-DC power conversion efficiency of more than 60% and 70% for an input power from 0 to 25 dBm and 9 to 24 dBm, respectively. |
| キーワード(和) | エナジーハーベスティング / 無線電力伝送 / トランジスタ整流器 |
| キーワード(英) | Energy harvesting / Wireless power transfer / Transistor rectifier |
| 資料番号 | MW2020-72 |
| 発行日 | 2020-12-03 (MW) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | MW |
|---|---|
| 開催期間 | 2020/12/10(から1日開催) |
| 開催地（和） | 富士通研究所 (厚木)オンライン併催 |
| 開催地（英） | |
| テーマ（和） | 計測技術/一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 古神 義則(宇都宮大) |
| 委員長氏名（英） | Yoshinori Kogami(Utsunomiya Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 河合 正(兵庫県立大) / 大久保 賢祐(岡山県立大) / 新庄 真太郎(三菱電機) |
| 副委員長氏名（英） | Tadashi Kawai(Univ. of Hyogo) / Kensuke Okubo(Okayama Prefectural Univ.) / Shintaro Shinjo(Mitsubishi Electric) |
| 幹事氏名（和） | 佐藤 優(富士通研) / 大平 昌敬(埼玉大) |
| 幹事氏名（英） | Masaru Sato(Fujitsu Labs.) / Masataka Ohira(Saitama Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 高野 恭弥(東京理科大) / 長谷川 直輝(ソフトバンク) |
| 幹事補佐氏名（英） | Kyoya Takano(Tokyo Univ. of Science) / Naoki Hasegawa(Softbank) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Microwaves |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 入力電力レベル適応自己ゲートバイアス調整型広ダイナミックレンジ高効率整流器 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-Efficiency Wide-Dynamic-Power-Range Rectifier with Adaptive Self-Gate-Biasing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | エナジーハーベスティング / Energy harvesting |
| キーワード(2)（和/英） | 無線電力伝送 / Wireless power transfer |
| キーワード(3)（和/英） | トランジスタ整流器 / Transistor rectifier |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山崎 純 / Jun Yamazaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) The University of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 石川 亮 / Ryo Ishikawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) The University of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 本城 和彦 / Kazuhiko Honjo |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) The University of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 発表年月日 | 2020-12-10 |
| 資料番号 | MW2020-72 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | MW-280 |
| ページ範囲 | pp.7-11(MW), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2020-12-03 (MW) |