| 講演名 | 2020-11-27 AlGaN/GaN SG-HEMTと比べてMIS-HEMTの優れた高周波特性に関する研究 バラトフ アリ(福井大), 小澤 渉至(福井大), 山下 隼平(福井大), アスバル ジョエル タクラ(福井大), 徳田 博邦(福井大), 葛原 正明(関西学院大), |
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| 抄録(和) | 小信号特性の場合にはMIS構造がSG構造より優れた特性を示していることを複数の研究者から報告されている。しかし、大信号特性との比較に関する報告が少ない。本研究ではZrO2とSiO2のMIS-HEMTとSG-HEMTを半絶縁性SiCの上にAl0.25Ga0.75N/GaNエピウェーハを用いて試作した。s-パラメータ測定とロードプル測定を行い、MIS構造とSG構造の大信号特性を比較した。それぞれのサンプルの高電界電子ドリフト速度も測定し、構造による特性変化の原因について考察した。 |
| 抄録(英) | Several groups have reported improved performance in GaN-based transistors employing metal-insulator-semiconductor (MIS) structures over their Schottky-gate (SG) device counterparts. However, to the best of authors’ knowledge, large signal characteristics of those devices are rarely discussed or compared. In this study we have fabricated (ZrO2, SiO2) MIS and SiN passivated SG HEMTs, using Al0.25Ga0.75N/GaN epitaxially grown on semi-insulating SiC substrates. S-parameters were measured and subsequent de-embedding calculations were performed to quantify parasitic components. Alongside with small signal parameters, large signal load-pull measurements were performed. Electron mobility of gateless devices was also measured and compared. |
| キーワード(和) | AlGaN/GaN HEMT / MIS-HEMT / 高周波特性 / s-パラメータ / LP測定 |
| キーワード(英) | AlGaN/GaN HEMT / MIS-HEMT / high frequency performance / s-parameters / LP measurements |
| 資料番号 | ED2020-16,CPM2020-37,LQE2020-67 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / CPM / ED |
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| 開催期間 | 2020/11/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 八坂 洋(東北大) / 武山 真弓(北見工大) / 須原 理彦(都立大) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshi Yasaka(Tohoku Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Michihiko Suhara(TMU) |
| 副委員長氏名（和） | 梅沢 俊匡(NICT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 藤代 博記(東京理科大) |
| 副委員長氏名（英） | Toshitada Umezawa(NICT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) |
| 幹事氏名（和） | 永井 正也(阪大) / 瀬川 徹(NTT) / 中澤 日出樹(弘前大) / 岩田 達哉(富山県立大) / 小谷 淳二(富士通研) |
| 幹事氏名（英） | Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Toru Segawa(NTT) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tatsuya Iwata(Toyama Pref. Univ.) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 藤田 和上(浜松ホトニクス) / 西山 伸彦(東工大) / 木村 康男(東京工科大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 堤 卓也(NTT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Kazuue Fujita(Hamamatsu) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Takuya Tsutsumi(NTT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | AlGaN/GaN SG-HEMTと比べてMIS-HEMTの優れた高周波特性に関する研究 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improved performance in GaN-based HEMTs with insulated gate structures |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | AlGaN/GaN HEMT / AlGaN/GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | MIS-HEMT / MIS-HEMT |
| キーワード(3)（和/英） | 高周波特性 / high frequency performance |
| キーワード(4)（和/英） | s-パラメータ / s-parameters |
| キーワード(5)（和/英） | LP測定 / LP measurements |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | バラトフ アリ / Ali Baratov |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) University of Fukui(略称：Univ. of Fukui) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小澤 渉至 / Takashi Ozawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) University of Fukui(略称：Univ. of Fukui) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山下 隼平 / Shunpei Yamashita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) University of Fukui(略称：Univ. of Fukui) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | アスバル ジョエル タクラ / Joel T. Asubar |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) University of Fukui(略称：Univ. of Fukui) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 徳田 博邦 / Hirokuni Tokuda |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) University of Fukui(略称：Univ. of Fukui) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 葛原 正明 / Masaaki Kuzuhara |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 関西学院大学(略称：関西学院大) Kwansei Gakuin University(略称：Kwansei Gakuin Univ.) |
| 発表年月日 | 2020-11-27 |
| 資料番号 | ED2020-16,CPM2020-37,LQE2020-67 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | ED-254,CPM-255,LQE-256 |
| ページ範囲 | pp.60-62(ED), pp.60-62(CPM), pp.60-62(LQE), |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |