| 講演名 | 2020-11-26 高電子移動度トランジスタのための原子層平滑なAlNテンプレート上へのGaN成長 白土 達也(三重大), 上杉 謙次郎(三重大), 窪谷 茂幸(三重大), 正直 花奈子(三重大), 三宅 秀人(三重大), |
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| 抄録(和) | 本研究では，低転位で良好な表面平坦性を有するアニール処理スパッタAlNテンプレート上にMOVPE法を用いて膜厚10?80 nmのGaN薄膜を成長させ，キャリアガスが表面モフォロジーへ与える影響を調べた．結果，H2キャリアガスで成長させたGaN表面には，成長初期の顕著な三次元成長を反映してバンチングしたステップテラス構造とピットが形成された．一方，N2キャリアガスで成長させた場合は過飽和度の上昇に伴いGaNの堆積反応が促進され，平坦性の高い表面モフォロジーが得られた．表面平坦性良好なN2キャリアガスGaN上にAlGaNバリア層，GaNキャップ層を積層し，Hall効果測定によってHall移動度とキャリア濃度を評価した．結果，最も良い移動度として770 cm2 V-1s-1が得られた． |
| 抄録(英) | We investigated the effect of carrier gas on GaN surface morphology. Bunched step-and-terrace structures and pits were formed on the GaN surface grown with H2 carrier gas, reflecting the 3D growth in the initial stage. Meanwhile, relatively flat surface was achieved with N2 carrier gas, since the deposition reaction of GaN was promoted according to the increase of the supersaturation. Furthermore, on the GaN which was grown under N2 carrier gas and has a flat surface morphology, the AlGaN barrier layer and GaN cap layer were sequentially stacked. Then, Hall mobility and carrier concentration were evaluated by Hall effect measurement. As a result, 770 cm2 V-1s-1 was obtained as the highest value. |
| キーワード(和) | GaN / 有機金属気相成長法 / キャリアガス / 2DEG / 電子移動度 |
| キーワード(英) | GaN / MOVPE / Carrier gas / 2DEG / Electron mobility |
| 資料番号 | ED2020-11,CPM2020-32,LQE2020-62 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / CPM / ED |
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| 開催期間 | 2020/11/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 八坂 洋(東北大) / 武山 真弓(北見工大) / 須原 理彦(都立大) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshi Yasaka(Tohoku Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Michihiko Suhara(TMU) |
| 副委員長氏名（和） | 梅沢 俊匡(NICT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 藤代 博記(東京理科大) |
| 副委員長氏名（英） | Toshitada Umezawa(NICT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) |
| 幹事氏名（和） | 永井 正也(阪大) / 瀬川 徹(NTT) / 中澤 日出樹(弘前大) / 岩田 達哉(富山県立大) / 小谷 淳二(富士通研) |
| 幹事氏名（英） | Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Toru Segawa(NTT) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tatsuya Iwata(Toyama Pref. Univ.) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 藤田 和上(浜松ホトニクス) / 西山 伸彦(東工大) / 木村 康男(東京工科大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 堤 卓也(NTT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Kazuue Fujita(Hamamatsu) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Takuya Tsutsumi(NTT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 高電子移動度トランジスタのための原子層平滑なAlNテンプレート上へのGaN成長 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Growth of GaN on AlN template with atomic-level flatness for High Electron Mobility Transistor |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | 有機金属気相成長法 / MOVPE |
| キーワード(3)（和/英） | キャリアガス / Carrier gas |
| キーワード(4)（和/英） | 2DEG / 2DEG |
| キーワード(5)（和/英） | 電子移動度 / Electron mobility |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 白土 達也 / Tatsuya Shirato |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 上杉 謙次郎 / Kenjiro Uesugi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 窪谷 茂幸 / Shigeyuki Kuboya |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 正直 花奈子 / Kanako Shojiki |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 発表年月日 | 2020-11-26 |
| 資料番号 | ED2020-11,CPM2020-32,LQE2020-62 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | ED-254,CPM-255,LQE-256 |
| ページ範囲 | pp.41-44(ED), pp.41-44(CPM), pp.41-44(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |