| 講演名 | 2020-11-27 ナノストライプパターン加工した低転位密度AlNテンプレート上へのMOVPE成長と結晶性評価 伊庭 由季乃(三重大), 正直 花奈子(三重大), 窪谷 茂幸(三重大), 上杉 謙次郎(三重大), 肖 世玉(三重大), 三宅 秀人(三重大), |
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| 抄録(和) | Face-to-face配置でアニールしたスパッタAlNテンプレート（FFA Sp-AlN）に周期300 nmと深さ120 nmのナノストライプパターンを形成したテンプレート（ナノパターン加工FFA Sp-AlN）上に有機金属気相成長法（MOVPE法）によりAlN膜を形成した．そのあと，MOVPE成長条件が与える結晶品質への影響を解明した．その結果，AlN膜の原子的に平坦な表面は，ナノパターン加工FFA Sp-AlN上でV/III比が221，成長速度が2.3 ?m/hr以上で達成できることがわかった．さらに，1300oCの高い成長温度（Tg）は横方向成長を促進し，総膜厚1 ?mで会合したAlN膜を実現した．また，貫通転位密度（TDD）は6.0×108 cm-2と推定された．この値から，適切なMOVPE成長条件によりTDDが低いナノパターン加工FFA Sp-AlNテンプレート上のAlN膜が形成されたと考えられる． |
| 抄録(英) | We conducted metalorganic vapor phase epitaxial (MOVPE) growth of AlN films on face-to-face annealed sputtered AlN templates (FFA Sp-AlN) having nano-striped pattern. Then, the effect of the MOVPE growth conditions for the crystallinity was elucidated. As a result, it was found that the atomically flat surface of AlN can be achieved with V/III ratio of 221 and growth-rate of above 2.3 ?m/hr on nano-patterned FFA Sp-AlN. In addition, the high growth temperature (Tg) of 1300oC enhanced the lateral growth, and the threading dislocation density (TDD) was estimated to be 6.0×108 cm−2. This value proved that AlN films on nano-patterned FFA Sp-AlN templates with low TDDs were achieved with the appropriate MOVPE growth conditions. |
| キーワード(和) | 有機金属気相成長法 / スパッタリング法 / ナノパターン加工基板 / 貫通転位密度 / AlN |
| キーワード(英) | MOVPE / Sputtering / Nano-Patterned Substrate / Threading Dislocation Density / AlN |
| 資料番号 | ED2020-24,CPM2020-45,LQE2020-75 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / CPM / ED |
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| 開催期間 | 2020/11/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 八坂 洋(東北大) / 武山 真弓(北見工大) / 須原 理彦(都立大) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshi Yasaka(Tohoku Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Michihiko Suhara(TMU) |
| 副委員長氏名（和） | 梅沢 俊匡(NICT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 藤代 博記(東京理科大) |
| 副委員長氏名（英） | Toshitada Umezawa(NICT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) |
| 幹事氏名（和） | 永井 正也(阪大) / 瀬川 徹(NTT) / 中澤 日出樹(弘前大) / 岩田 達哉(富山県立大) / 小谷 淳二(富士通研) |
| 幹事氏名（英） | Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Toru Segawa(NTT) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tatsuya Iwata(Toyama Pref. Univ.) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 藤田 和上(浜松ホトニクス) / 西山 伸彦(東工大) / 木村 康男(東京工科大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 堤 卓也(NTT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Kazuue Fujita(Hamamatsu) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Takuya Tsutsumi(NTT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ナノストライプパターン加工した低転位密度AlNテンプレート上へのMOVPE成長と結晶性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | MOVPE Growth on Low-dislocation-density AlN Templates with Nano-Striped Patterns and Crystalline-Quality Evaluations |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 有機金属気相成長法 / MOVPE |
| キーワード(2)（和/英） | スパッタリング法 / Sputtering |
| キーワード(3)（和/英） | ナノパターン加工基板 / Nano-Patterned Substrate |
| キーワード(4)（和/英） | 貫通転位密度 / Threading Dislocation Density |
| キーワード(5)（和/英） | AlN / AlN |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 伊庭 由季乃 / Yukino Iba |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 正直 花奈子 / Kanako Shojiki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 窪谷 茂幸 / Shigeyuki Kuboya |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 上杉 謙次郎 / Kenjiro Uesugi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 肖 世玉 / Shiyu Xiao |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 発表年月日 | 2020-11-27 |
| 資料番号 | ED2020-24,CPM2020-45,LQE2020-75 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | ED-254,CPM-255,LQE-256 |
| ページ範囲 | pp.91-94(ED), pp.91-94(CPM), pp.91-94(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |