| 講演名 | 2020-11-27 スパッタ法AlNバッファ層を用いたサファイア基板上へのh-BNの堆積と高温アニールによる結晶性向上 形岡 遼志(三重大), 小泉 晴比古(三重大), 岩山 章(三重大), 三宅 秀人(三重大), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 六方晶窒化ホウ素(h-BN)は，二次元層状物質で，歪み緩和層や剥離層としての機能が期待されている．従来，h-BNは有機金属気相成長法(MOVPE)や分子線エピタキシー法(MBE)などの結晶成長法を用いて作製されてきた．本研究室では，サファイア基板上にスパッタリング法を用いて堆積させた窒化アルミニウム(AlN)にface-to-face 高温アニール(FFA)処理を行うことで，高い結晶性を達成している．本研究では，サファイア基板上にスパッタリング法を用いて堆積させたBNにFFA処理を行うことで，h-BNの結晶性向上を目指した．1700 oC, 3.0時間のFFA処理を行うことで，h-BNの結晶性は向上し，Raman散乱分光測定の半値全幅で17 cm-1を得た． |
| 抄録(英) | Hexagonal boron nitride(h-BN) is a two-dimensional layered materials and is expected to functions as a strain relaxation layer and a release layer. Conventionally, h-BN has been produced by using a crystal growth method such as metalorganic vapor phase epitaxy (MOVPE) or molecular beam epitaxy (MBE). We have achieved high crystal quality of sputtered AlN on sapphire substrates by high-temperature face-to-face annealing (FFA). In this work, we aimed to the crystal quality improvement of sputtered h-BN on sapphire substrates by FFA. After 1700 oC, 3.0 hours of FFA, crystal quality of h-BN was improved and full-width at half maximum of Raman scattering was 17 cm-1. |
| キーワード(和) | 六方晶窒化ホウ素 / 二次元材料 / スパッタリング法 / face-to-face 高温アニール / 深紫外LED |
| キーワード(英) | Hexagonal boron nitride / 2D materials / Sputter / face-to-face High-Temperature Annealing / Ultraviolet LED |
| 資料番号 | ED2020-22,CPM2020-43,LQE2020-73 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / CPM / ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2020/11/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 八坂 洋(東北大) / 武山 真弓(北見工大) / 須原 理彦(都立大) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshi Yasaka(Tohoku Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Michihiko Suhara(TMU) |
| 副委員長氏名（和） | 梅沢 俊匡(NICT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 藤代 博記(東京理科大) |
| 副委員長氏名（英） | Toshitada Umezawa(NICT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) |
| 幹事氏名（和） | 永井 正也(阪大) / 瀬川 徹(NTT) / 中澤 日出樹(弘前大) / 岩田 達哉(富山県立大) / 小谷 淳二(富士通研) |
| 幹事氏名（英） | Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Toru Segawa(NTT) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tatsuya Iwata(Toyama Pref. Univ.) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 藤田 和上(浜松ホトニクス) / 西山 伸彦(東工大) / 木村 康男(東京工科大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 堤 卓也(NTT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Kazuue Fujita(Hamamatsu) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Takuya Tsutsumi(NTT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | スパッタ法AlNバッファ層を用いたサファイア基板上へのh-BNの堆積と高温アニールによる結晶性向上 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Crystalline Quality Improvement of Sputtered h-BN on Sapphire by High-Temperature Annealing |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 六方晶窒化ホウ素 / Hexagonal boron nitride |
| キーワード(2)（和/英） | 二次元材料 / 2D materials |
| キーワード(3)（和/英） | スパッタリング法 / Sputter |
| キーワード(4)（和/英） | face-to-face 高温アニール / face-to-face High-Temperature Annealing |
| キーワード(5)（和/英） | 深紫外LED / Ultraviolet LED |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 形岡 遼志 / Ryoji Kataoka |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 小泉 晴比古 / Haruhiko Koizumi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 岩山 章 / Sho Iwayama |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 三宅 秀人 / Hideto Miyake |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 三重大学(略称：三重大) Mie University(略称：Mie Univ.) |
| 発表年月日 | 2020-11-27 |
| 資料番号 | ED2020-22,CPM2020-43,LQE2020-73 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | ED-254,CPM-255,LQE-256 |
| ページ範囲 | pp.83-86(ED), pp.83-86(CPM), pp.83-86(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |