| 講演名 | 2020-11-26 Niナノインクを用いた印刷法で形成したn-GaNショットキー接触の二次元特性 川角 優斗(福井大), 安井 悠人(福井大), 柏木 行康(大阪産業技術研), 玉井 聡行(大阪産業技術研), 塩島 謙次(福井大), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | 界面顕微光応答法（SIPM）を用いて，Niナノインクを用いた印刷法で形成したn-GaNショットキー接触の二次元評価を行った．アニール温度400 ℃では，直列抵抗が大きく，電極全体で光電子収率（Y）の不均一がみられた．500 ℃では，ショットキー障壁高さ(qφB)が1.21 eVと大きく，n値が1.13と小さい良好なI-V特性が得られ，高い均一性を示した．アニール温度が600 ℃Cに上昇すると，NiとGaNの界面反応に起因するリーク電流の大きなI-V特性が得られた．本研究で得られたqφBは従来の電子ビーム蒸着法で形成したNi/n-GaNショットキー接触で得られる値(qφB = 1.15 eV)と同等であり，Niナノインクの印刷がn-GaN上のショットキー接触の形成に有望であることを示した． |
| 抄録(英) | Two-dimensional characterization of n-GaN Schottky contacts formed by printing method using Ni nanoink was performed by scanning internal photoemission microscopy (SIPM). The sample annealed at 400 ℃ showed a large series resistance and nonuniformity over the electrode. The sample annealed at 500 ℃ obtained better I-V characteristics with a large q$phi$B value of 1.21 eV, a small n-value of 1.13 and better uniformity. However, when annealing temperature increased to 600 ℃, the I-V characteristics became leaky due to the interfacial reaction between Ni and GaN. The q$phi$B value obtained in this study was comparable with that a conventional evaporated Ni contact, and SIPM indicated that the printing method using nanoink is a candidate to form Schottky contacts on n-GaN. |
| キーワード(和) | GaN / ショットキー接触 / プリンテッドエレクトロニクス / 界面顕微光応答法 |
| キーワード(英) | GaN / Schottky contact / printed electronics / scanning internal photoemission microscopy |
| 資料番号 | ED2020-10,CPM2020-31,LQE2020-61 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / CPM / ED |
|---|---|
| 開催期間 | 2020/11/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 八坂 洋(東北大) / 武山 真弓(北見工大) / 須原 理彦(都立大) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshi Yasaka(Tohoku Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Michihiko Suhara(TMU) |
| 副委員長氏名（和） | 梅沢 俊匡(NICT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 藤代 博記(東京理科大) |
| 副委員長氏名（英） | Toshitada Umezawa(NICT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) |
| 幹事氏名（和） | 永井 正也(阪大) / 瀬川 徹(NTT) / 中澤 日出樹(弘前大) / 岩田 達哉(富山県立大) / 小谷 淳二(富士通研) |
| 幹事氏名（英） | Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Toru Segawa(NTT) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tatsuya Iwata(Toyama Pref. Univ.) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 藤田 和上(浜松ホトニクス) / 西山 伸彦(東工大) / 木村 康男(東京工科大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 堤 卓也(NTT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Kazuue Fujita(Hamamatsu) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Takuya Tsutsumi(NTT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices |
|---|---|
| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Niナノインクを用いた印刷法で形成したn-GaNショットキー接触の二次元特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Two-Dimensional Characterization of n-GaN Schottky Contacts Printed by Using Ni Nanoink |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN / GaN |
| キーワード(2)（和/英） | ショットキー接触 / Schottky contact |
| キーワード(3)（和/英） | プリンテッドエレクトロニクス / printed electronics |
| キーワード(4)（和/英） | 界面顕微光応答法 / scanning internal photoemission microscopy |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 川角 優斗 / Yuto Kawasumi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) University of Fukui(略称：Univ. of Fukui) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 安井 悠人 / Yuto Yasui |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) University of Fukui(略称：Univ. of Fukui) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 柏木 行康 / Yukiyasu Kashiwagi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪産業技術研究所(略称：大阪産業技術研) Osaka Research Institute of Industrial Science and Technology(略称：ORIST) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 玉井 聡行 / Toshiyuki Tamai |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪産業技術研究所(略称：大阪産業技術研) Osaka Research Institute of Industrial Science and Technology(略称：ORIST) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 塩島 謙次 / Kenji Shiojima |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 福井大学(略称：福井大) University of Fukui(略称：Univ. of Fukui) |
| 発表年月日 | 2020-11-26 |
| 資料番号 | ED2020-10,CPM2020-31,LQE2020-61 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | ED-254,CPM-255,LQE-256 |
| ページ範囲 | pp.37-40(ED), pp.37-40(CPM), pp.37-40(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |