| 講演名 | 2020-11-20 RAS法を用いて作製した(Er,Y)2SiO5の評価 霞 朋樹(電通大), 田中 康仁(シンクロン/電通大), 一色 秀夫(電通大), |
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| 抄録(和) | 集積回路の金属配線による問題を解決するため，光集積回路の実現に向けて，集積可能な光デバイスの研究が進められている．その中で，Si基板上に集積可能で，既にあるCMOSプロセスの技術で光集積回路形成が可能であるシリコンフォトニクスが注目されている．シリコンフォトニクスに用いる光増幅媒質として(Er,Y)2SiO5結晶があるが，これまでデバイス作製に適した作製方法がなかった．本研究ではRAS(Radical Assisted Sputtering)法を基に多元系で組成比の制御性がよく，デバイス開発に適した作製方法を開発し，室温下で優れた発光特性を持ち高配向な(Er,Y)2SiO5結晶を作製した． |
| 抄録(英) | Research on integrated optical devices is underway toward the realization of optical integrated circuits. Among them, Si Photonics, which can be integrated on a Si substrate and can form an optical integrated circuit by the existing CMOS process technology, is attracting attention. There is a (Er,Y)2SiO5 crystal as an optical amplification medium used for Si Photonics, but until now there has been no suitable fabrication method for device fabrication. In this research, based on the RAS (Radical Assisted Sputtering) method, we have developed a fabrication method that is multidimensional and has good controllability of composition ratio and is suitable for device development. It has excellent luminescence characteristics at room temperature and is highly oriented (Er,Y)2SiO5 crystals were prepared. |
| キーワード(和) | シリコンフォトニクス / RAS / (Er,Y)2SiO5 |
| キーワード(英) | Si Photonics / RAS / (Er,Y)2SiO5 |
| 資料番号 | OPE2020-69,LQE2020-49 |
| 発行日 | 2020-11-13 (OPE, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE / LQE |
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| 開催期間 | 2020/11/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 学生によるポスターセッション（パッシブ/アクティブ光デバイス関連技術，一般） |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 中川 剛二(富士通) / 八坂 洋(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Goji Nakagawa(Fujitsu) / Hiroshi Yasaka(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 石榑 祟明(慶大) / 梅沢 俊匡(NICT) |
| 副委員長氏名（英） | Takaaki Ishigure(Keio Univ.) / Toshitada Umezawa(NICT) |
| 幹事氏名（和） | 三浦 健太(群馬大) / 大道 浩児(フジクラ) / 永井 正也(阪大) / 瀬川 徹(NTT) |
| 幹事氏名（英） | Kenta Miura(Gunma Univ.) / Koji Omichi(Fujikura) / Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Toru Segawa(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 藤方 潤一(光電子融合基盤技術研究所) / 渡邉 俊夫(鹿児島大) / 藤田 和上(浜松ホトニクス) / 西山 伸彦(東工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Junichi Fujikata(PETRA) / Toshio Watanabe(Kagoshima Univ.) / Kazuue Fujita(Hamamatsu) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on OptoElectronics / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | RAS法を用いて作製した(Er,Y)2SiO5の評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Evaluation of (Er,Y)2SiO5 crystal prepared by Programmable Radical Assisted Sputtering |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンフォトニクス / Si Photonics |
| キーワード(2)（和/英） | RAS / RAS |
| キーワード(3)（和/英） | (Er,Y)2SiO5 / (Er,Y)2SiO5 |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 霞 朋樹 / Tomoki Kasumi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) The University of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 田中 康仁 / Yasuhito Tanaka |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 株式会社 シンクロン/電気通信大学(略称：シンクロン/電通大) SHINCRON Co./The University of Electro-Communications(略称：SHINCRON/UEC) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 一色 秀夫 / Hideo Isshiki |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 電気通信大学(略称：電通大) The University of Electro-Communications(略称：UEC) |
| 発表年月日 | 2020-11-20 |
| 資料番号 | OPE2020-69,LQE2020-49 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | OPE-243,LQE-244 |
| ページ範囲 | pp.122-124(OPE), pp.122-124(LQE), |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2020-11-13 (OPE, LQE) |