| 講演名 | 2020-11-20 Si光変調器の高消光比化 小島 大輝(早大), 藤方 潤一(NEC), 北 智洋(早大), |
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| 抄録(和) | 近年, 実用化されつつあるデジタルコヒーレント光通信では高消光比を持つSi光変調器が求められている. 本研究では消光比を減少させる要因を解決し, デジタルコヒーレント光通信での使用が可能な25 dB以上の消光比を持つ高消光比Si光変調器の実現を目標とした. 消光比を制限する要因としてSiのキャリアプラズマ効果に伴う吸収の増加, 3 dBカプラの製造誤差による分岐比の変動, TM偏光成分の混入が考えられる. これらの問題を解決するために熱光学式MZI光スイッチと偏光子を導入することで40 dB以上の高い消光比を得ることに成功した. |
| 抄録(英) | In recent years, digital coherent optical transmission systems have been put to practical use, and Si modulators with a high extinction ratio are required for coherent system. In this study, we have study to reduce the extinction ratio and have developed a Si modulator with a high extinction ratio of more than 25 dB. The factors limiting the extinction ratio are the intensity absorption due to the carrier plasma effect and the inclusion of TM polarization components. A high extinction ratio of more than 40 dB was successfully achieved by introducing a thermo-optical MZI optical switch to compensate power imbalance due to carrier plasma effect and a polarizer. |
| キーワード(和) | シリコンフォトニクス / 光変調器 / 高消光比 |
| キーワード(英) | Silicon photonics / Optical modulators / High extinction ratio |
| 資料番号 | OPE2020-70,LQE2020-50 |
| 発行日 | 2020-11-13 (OPE, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | OPE / LQE |
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| 開催期間 | 2020/11/20(から1日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 学生によるポスターセッション（パッシブ/アクティブ光デバイス関連技術，一般） |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 中川 剛二(富士通) / 八坂 洋(東北大) |
| 委員長氏名（英） | Goji Nakagawa(Fujitsu) / Hiroshi Yasaka(Tohoku Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | 石榑 祟明(慶大) / 梅沢 俊匡(NICT) |
| 副委員長氏名（英） | Takaaki Ishigure(Keio Univ.) / Toshitada Umezawa(NICT) |
| 幹事氏名（和） | 三浦 健太(群馬大) / 大道 浩児(フジクラ) / 永井 正也(阪大) / 瀬川 徹(NTT) |
| 幹事氏名（英） | Kenta Miura(Gunma Univ.) / Koji Omichi(Fujikura) / Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Toru Segawa(NTT) |
| 幹事補佐氏名（和） | 藤方 潤一(光電子融合基盤技術研究所) / 渡邉 俊夫(鹿児島大) / 藤田 和上(浜松ホトニクス) / 西山 伸彦(東工大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Junichi Fujikata(PETRA) / Toshio Watanabe(Kagoshima Univ.) / Kazuue Fujita(Hamamatsu) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on OptoElectronics / Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Si光変調器の高消光比化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Increasing the Extinction Ratio of Si Optical Modulators |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | シリコンフォトニクス / Silicon photonics |
| キーワード(2)（和/英） | 光変調器 / Optical modulators |
| キーワード(3)（和/英） | 高消光比 / High extinction ratio |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 小島 大輝 / Hiroki Kojima |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 早稲田大学(略称：早大) Waseda University(略称：Waseda Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 藤方 潤一 / Jun-ichi Hujikata |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 日本電気株式会社(略称：NEC) NEC(略称：NEC) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 北 智洋 / Tomohiro Kita |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 早稲田大学(略称：早大) Waseda University(略称：Waseda Univ.) |
| 発表年月日 | 2020-11-20 |
| 資料番号 | OPE2020-70,LQE2020-50 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | OPE-243,LQE-244 |
| ページ範囲 | pp.125-128(OPE), pp.125-128(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-13 (OPE, LQE) |