| 講演名 | 2020-11-27 周期的スロット構造を用いたInGaN量子井戸波長可変単一モードレーザの初期評価 上向井 正裕(阪大), 樋口 晃大(阪大), 谷川 智之(阪大), 片山 竜二(阪大), |
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| 抄録(和) | GaNやAlNなどの窒化物半導体は高い光学非線形性を有することから，高効率非線形光学デバイスへの応用が期待されている．励起光源として400 nm帯InGaN量子井戸単一モードレーザを用いれば，200 nm帯深紫外光発生や800 nm帯スクイーズド光発生が可能となる．一般に高効率波長変換デバイスの波長許容幅は非常に狭く，励起光源には波長可変特性が必須となる．近年，比較的長い周期構造を有する400 nm帯単一モードレーザの報告がいくつか出てきたものの，波長可変レーザの報告は皆無である．本研究では，複数の溝を周期的に設けたスロット構造を有する新規InGaN単一モードレーザの設計・作製を行い，周期的スロット構造領域に電流注入を行うことで波長可変単一モード発振を実現したので報告する． |
| 抄録(英) | Nitride semiconductors such as GaN and AlN have strong optical nonlinearity, and they can be applied to nonlinear optical devices. 200-nm band deep UV light and 800-nm band squeezed light can be obtained from such devices pumped by 400-nm band InGaN QW single-mode lasers. In order to pump the high-efficiency wavelength conversion devices having a narrow wavelength bandwidth, wavelength tunable single-mode lasers are required. In this work, we design and fabricate an InGaN single-mode laser with a periodically slotted structure, and demonstrate wavelength tunable single-mode lasing by current injection to the periodic structures. |
| キーワード(和) | 窒化物半導体 / 半導体レーザ / 波長可変 / 単一モードレーザ / スロットレーザ |
| キーワード(英) | Nitride semiconductors / Semiconductor lasers / Wavelength tuning / Single-mode lasers / Slotted lasers |
| 資料番号 | ED2020-21,CPM2020-42,LQE2020-72 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / CPM / ED |
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| 開催期間 | 2020/11/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 八坂 洋(東北大) / 武山 真弓(北見工大) / 須原 理彦(都立大) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshi Yasaka(Tohoku Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Michihiko Suhara(TMU) |
| 副委員長氏名（和） | 梅沢 俊匡(NICT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 藤代 博記(東京理科大) |
| 副委員長氏名（英） | Toshitada Umezawa(NICT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) |
| 幹事氏名（和） | 永井 正也(阪大) / 瀬川 徹(NTT) / 中澤 日出樹(弘前大) / 岩田 達哉(富山県立大) / 小谷 淳二(富士通研) |
| 幹事氏名（英） | Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Toru Segawa(NTT) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tatsuya Iwata(Toyama Pref. Univ.) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 藤田 和上(浜松ホトニクス) / 西山 伸彦(東工大) / 木村 康男(東京工科大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 堤 卓也(NTT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Kazuue Fujita(Hamamatsu) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Takuya Tsutsumi(NTT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 周期的スロット構造を用いたInGaN量子井戸波長可変単一モードレーザの初期評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | First demonstration of InGaN QW tunable single-mode laser with periodically slotted structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 窒化物半導体 / Nitride semiconductors |
| キーワード(2)（和/英） | 半導体レーザ / Semiconductor lasers |
| キーワード(3)（和/英） | 波長可変 / Wavelength tuning |
| キーワード(4)（和/英） | 単一モードレーザ / Single-mode lasers |
| キーワード(5)（和/英） | スロットレーザ / Slotted lasers |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 上向井 正裕 / Masahiro Uemukai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 大阪大学(略称：阪大) Osaka University(略称：Osaka Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 樋口 晃大 / Akihiro Higuchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学(略称：阪大) Osaka University(略称：Osaka Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 谷川 智之 / Tomoyuki Tanikawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 大阪大学(略称：阪大) Osaka University(略称：Osaka Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 片山 竜二 / Ryuji Katayama |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 大阪大学(略称：阪大) Osaka University(略称：Osaka Univ.) |
| 発表年月日 | 2020-11-27 |
| 資料番号 | ED2020-21,CPM2020-42,LQE2020-72 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | ED-254,CPM-255,LQE-256 |
| ページ範囲 | pp.79-82(ED), pp.79-82(CPM), pp.79-82(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |