講演名 2020-11-27
AlGaN系UV-B LDにおける導波路層の構造検討
田中 隼也(名城大), 佐藤 恒輔(旭化成), 安江 信次(名城大), 荻野 雄矢(名城大), 山田 和輝(名城大), 石塚 彩花(名城大), 大森 智也(名城大), 手良村 昌平(名城大), 岩山 章(名城大), 三宅 秀人(三重大), 岩谷 素顕(名城大), 竹内 哲也(名城大), 上山 智(名城大), 赤﨑 勇(名城大),
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抄録(和) 本グループでは昨年度、UV-B領域の電流注入型半導体レーザの実現を報告した。今後、低閾値電流密度化が最重要課題となっている。本研究では、高い光閉じ込め係数Γが得られ低閾値電流密度化が期待できるGRIN-SCH構造の電流注入型レーザを作製し、発振波長302nmの室温パルスレーザ動作を確認した。さらに端面への誘電体多層膜コートにより700 ?mの共振器において閾値電流密度は24kA/cm2まで低減を確認した。
抄録(英) Recently, the group reported the realization of current injection semiconductor lasers in the UV-B region. In the future, reducing the threshold current density will be the most important issue. In this study, we fabricated a GRIN-SCH structure current injection laser that can obtain a high light confinement coefficient Γ and can be expected to have a low threshold current density, and confirmed the operation of a room temperature pulsed laser with oscillation. Wavelength of 302 nm. Furthermore, it was confirmed that the threshold current density was reduced to 24 kA/cm2 by double-side facet coating at a cavity length of 700 ?m.
キーワード(和) MOVPE / AlGaN / UV-B半導体レーザ / GRIN-SCH
キーワード(英) MOVPE / AlGaN / UV-B laser diode / GRIN-SCH
資料番号 ED2020-20,CPM2020-41,LQE2020-71
発行日 2020-11-19 (ED, CPM, LQE)

研究会情報
研究会 LQE / CPM / ED
開催期間 2020/11/26(から2日開催)
開催地(和) オンライン開催
開催地(英) Online
テーマ(和) 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般
テーマ(英)
委員長氏名(和) 八坂 洋(東北大) / 武山 真弓(北見工大) / 須原 理彦(都立大)
委員長氏名(英) Hiroshi Yasaka(Tohoku Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Michihiko Suhara(TMU)
副委員長氏名(和) 梅沢 俊匡(NICT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 藤代 博記(東京理科大)
副委員長氏名(英) Toshitada Umezawa(NICT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science)
幹事氏名(和) 永井 正也(阪大) / 瀬川 徹(NTT) / 中澤 日出樹(弘前大) / 岩田 達哉(富山県立大) / 小谷 淳二(富士通研)
幹事氏名(英) Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Toru Segawa(NTT) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tatsuya Iwata(Toyama Pref. Univ.) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.)
幹事補佐氏名(和) 藤田 和上(浜松ホトニクス) / 西山 伸彦(東工大) / 木村 康男(東京工科大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 堤 卓也(NTT)
幹事補佐氏名(英) Kazuue Fujita(Hamamatsu) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Takuya Tsutsumi(NTT)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices
本文の言語 JPN
タイトル(和) AlGaN系UV-B LDにおける導波路層の構造検討
サブタイトル(和)
タイトル(英) Optimization of the optical waveguide layer in AlGaN-based UV-B LD
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) MOVPE / MOVPE
キーワード(2)(和/英) AlGaN / AlGaN
キーワード(3)(和/英) UV-B半導体レーザ / UV-B laser diode
キーワード(4)(和/英) GRIN-SCH / GRIN-SCH
第 1 著者 氏名(和/英) 田中 隼也 / Shunya Tanaka
第 1 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ.)
第 2 著者 氏名(和/英) 佐藤 恒輔 / Kosuke Sato
第 2 著者 所属(和/英) 旭化成 先端デバイス技術開発センター(略称:旭化成)
Advanced Devices Technology Center, Asahi-Kasei(略称:Asahi-Kasei)
第 3 著者 氏名(和/英) 安江 信次 / Shinji Yasue
第 3 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ.)
第 4 著者 氏名(和/英) 荻野 雄矢 / Yuya Ogino
第 4 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ.)
第 5 著者 氏名(和/英) 山田 和輝 / Kazuki Yamada
第 5 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ.)
第 6 著者 氏名(和/英) 石塚 彩花 / Sayaka Ishizuka
第 6 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ.)
第 7 著者 氏名(和/英) 大森 智也 / Tomoya Omori
第 7 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ.)
第 8 著者 氏名(和/英) 手良村 昌平 / Shohei Teramura
第 8 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ.)
第 9 著者 氏名(和/英) 岩山 章 / Sho Iwayama
第 9 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ.)
第 10 著者 氏名(和/英) 三宅 秀人 / Hideto Miyake
第 10 著者 所属(和/英) 三重大学(略称:三重大)
Mie University(略称:Mie Univ.)
第 11 著者 氏名(和/英) 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya
第 11 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ.)
第 12 著者 氏名(和/英) 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi
第 12 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ.)
第 13 著者 氏名(和/英) 上山 智 / Satoshi Kamiyama
第 13 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ.)
第 14 著者 氏名(和/英) 赤﨑 勇 / Isamu Akasaki
第 14 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ.)
発表年月日 2020-11-27
資料番号 ED2020-20,CPM2020-41,LQE2020-71
巻番号(vol) vol.120
号番号(no) ED-254,CPM-255,LQE-256
ページ範囲 pp.75-78(ED), pp.75-78(CPM), pp.75-78(LQE),
ページ数 4
発行日 2020-11-19 (ED, CPM, LQE)