| 講演名 | 2020-11-26 選択再成長オーミックコンタクトを用いた高耐圧AlGaNチャネルHFET 井上 暁喜(名工大), 原田 紘希(名工大), 山中 瑞樹(名工大), 江川 孝志(名工大), 三好 実人(名工大), |
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| 抄録(和) | 四元混晶AlGaInNバリア層と選択的に再成長したn+-GaNコンタクト層を採用したAl0.19Ga0.81NチャネルMIS-HFETを作製した。オーミックコンタクト層は局所的なリセスエッチングとそれに続く有機金属化学気相成長法(MOCVD)による高濃度Siドープn+-GaN層の再成長プロセスからなる選択再成長(SAG)技術により形成した。SAGコンタクト層を採用することにより，コンタクト抵抗は10.5 Ωmmから2.5Ωmmと大幅に減少した。また、作製したMIS-HFETは，ON状態のデバイス性能が大幅に向上し、優れたピンチオフ特性を示した。ゲート長が1.5 ?m及びドレイン-ソース間距離が9.5 ?mのデバイスは、約300 mAmm-1以上の高いドレイン電流密度を示し、ドレイン-ソース間抵抗は約25 Ω mmであった。さらに、ゲート-ドレイン間距離が10 ?mのとき1220 Vという高いOFF状態での絶縁破壊電圧を示した。 |
| 抄録(英) | Al0.19Ga0.81N-channel metal-insulator-semiconductor (MIS) HFETs employing a quaternary AlGaInN barrier layer and a selectively regrown n+-GaN contact layer were fabricated. The ohmic contacts were formed via the self-alignment selective-area growth (SAG) process consisting of the local-area recess etching and subsequent refilling process with a highly-Si-doped n+-GaN layer by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). The contact resistance is drastically reduced from 10.5 Ωmm to 2.5 Ωmm by using the self-alignment SAG contacts. In addition, the fabricated MIS-HFETs exhibited good pinch-off characteristics with highly improved on-state performance. That is, the device with a gate length of 1.5 μm and a drain-to-source length of 9.5 μm exhibited a high drain current density of over 300 mAmm-1 with a drain-to-source resistance of approximately 25 Ω mm. Furthermore, the fabricated devices also show a high off-state breakdown voltage of 1220 V at a gate-to-drain length of 10 μm. |
| キーワード(和) | Ⅲ族窒化物 / AlGaNチャネル / AlGaInN / HFET / 高絶縁破壊電圧 |
| キーワード(英) | Group-III nitrides / AlGaN-channel / AlGaInN / HFET / High breakdown voltage |
| 資料番号 | ED2020-7,CPM2020-28,LQE2020-58 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / CPM / ED |
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| 開催期間 | 2020/11/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 八坂 洋(東北大) / 武山 真弓(北見工大) / 須原 理彦(都立大) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshi Yasaka(Tohoku Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Michihiko Suhara(TMU) |
| 副委員長氏名（和） | 梅沢 俊匡(NICT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 藤代 博記(東京理科大) |
| 副委員長氏名（英） | Toshitada Umezawa(NICT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) |
| 幹事氏名（和） | 永井 正也(阪大) / 瀬川 徹(NTT) / 中澤 日出樹(弘前大) / 岩田 達哉(富山県立大) / 小谷 淳二(富士通研) |
| 幹事氏名（英） | Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Toru Segawa(NTT) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tatsuya Iwata(Toyama Pref. Univ.) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 藤田 和上(浜松ホトニクス) / 西山 伸彦(東工大) / 木村 康男(東京工科大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 堤 卓也(NTT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Kazuue Fujita(Hamamatsu) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Takuya Tsutsumi(NTT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 選択再成長オーミックコンタクトを用いた高耐圧AlGaNチャネルHFET |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | High-breakdown-voltage AlGaN channel HFETs with selective-area regrowth ohmic contacts |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | Ⅲ族窒化物 / Group-III nitrides |
| キーワード(2)（和/英） | AlGaNチャネル / AlGaN-channel |
| キーワード(3)（和/英） | AlGaInN / AlGaInN |
| キーワード(4)（和/英） | HFET / HFET |
| キーワード(5)（和/英） | 高絶縁破壊電圧 / High breakdown voltage |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 井上 暁喜 / Akiyoshi Inoue |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NIT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 原田 紘希 / Hiroki Harada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NIT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 山中 瑞樹 / Mizuki Yamanaka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NIT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi Egawa |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NIT) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 三好 実人 / Makoto Miyoshi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NIT) |
| 発表年月日 | 2020-11-26 |
| 資料番号 | ED2020-7,CPM2020-28,LQE2020-58 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | ED-254,CPM-255,LQE-256 |
| ページ範囲 | pp.25-28(ED), pp.25-28(CPM), pp.25-28(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |