講演名 2020-11-27
量子殻活性層およびトンネル接合を有するナノワイヤ発光デバイス実現に向けた結晶成長に関する検討
宮本 義也(名城大), 曽根 直樹(名城大), Weifang Lu(名城大), 奥田 廉士(名城大), 伊藤 和真(名城大), 奥野 浩司(名城大), 飯田 一喜(名城大), 上山 智(名城大), 竹内 哲也(名城大), 岩谷 素顕(名城大), 赤﨑 勇(名城大/名古屋大・赤﨑記念研究センター),
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抄録(和) 本研究ではコアシェル型GaNナノワイヤを用いた発光デバイスの実現に向けて、埋め込みn-GaN層の成長を検討した。ナノインプリントにより選択成長用マスクを形成させたn-GaNテンプレート基板およびGaN基板上にMOVPE法を用いてn-GaNナノワイヤを成長させ、これを覆うように量子殻活性層(multiple-quantum-shell; MQS)、p-GaN層、トンネル接合層を成長させた。そして、その上にn-GaNによる埋め込み成長を実施した。埋め込みn-GaN層に2段階成長を採用することで、表面平坦性が向上することをSEM観察にて確認した。また、ELによって発光特性を評価したところ、比較的低電圧での電流注入と発光を確認できた。
抄録(英) In this work, we investigated the growth conditions of n-GaN cap layer for nanowire-based laser diodes. The selective-area growth of the MQS/nanowire core-shell structures on patterned n-GaN/sapphire and GaN substrate was performed by metalorganic vapour phase epitaxy. Further, the core-shell structures were covered with the tunnel junction and the n-GaN cap layer. A two-step growth of n-GaN cap layer was carried out under various growth conditions. The improvement in surface flatness and void reduction in between the nanowires was confirmed by scanning electron microscope observation. In addition, reasonably low operating voltage and distinct light emission were observed in the electroluminescence measurements.
キーワード(和) ナノワイヤ / MOVPE
キーワード(英) Nanowire / MOVPE / GaN / Light emitter
資料番号 ED2020-19,CPM2020-40,LQE2020-70
発行日 2020-11-19 (ED, CPM, LQE)

研究会情報
研究会 LQE / CPM / ED
開催期間 2020/11/26(から2日開催)
開催地(和) オンライン開催
開催地(英) Online
テーマ(和) 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般
テーマ(英)
委員長氏名(和) 八坂 洋(東北大) / 武山 真弓(北見工大) / 須原 理彦(都立大)
委員長氏名(英) Hiroshi Yasaka(Tohoku Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Michihiko Suhara(TMU)
副委員長氏名(和) 梅沢 俊匡(NICT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 藤代 博記(東京理科大)
副委員長氏名(英) Toshitada Umezawa(NICT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science)
幹事氏名(和) 永井 正也(阪大) / 瀬川 徹(NTT) / 中澤 日出樹(弘前大) / 岩田 達哉(富山県立大) / 小谷 淳二(富士通研)
幹事氏名(英) Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Toru Segawa(NTT) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tatsuya Iwata(Toyama Pref. Univ.) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.)
幹事補佐氏名(和) 藤田 和上(浜松ホトニクス) / 西山 伸彦(東工大) / 木村 康男(東京工科大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 堤 卓也(NTT)
幹事補佐氏名(英) Kazuue Fujita(Hamamatsu) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Takuya Tsutsumi(NTT)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices
本文の言語 JPN
タイトル(和) 量子殻活性層およびトンネル接合を有するナノワイヤ発光デバイス実現に向けた結晶成長に関する検討
サブタイトル(和)
タイトル(英) Study on crystal growth for nanowire-based light emitter including multiple-quantum-shell and tunnel junction
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) ナノワイヤ / Nanowire
キーワード(2)(和/英) MOVPE / MOVPE
キーワード(3)(和/英) / GaN
キーワード(4)(和/英) / Light emitter
第 1 著者 氏名(和/英) 宮本 義也 / Yoshiya Miyamoto
第 1 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ.)
第 2 著者 氏名(和/英) 曽根 直樹 / Naoki Sone
第 2 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ.)
第 3 著者 氏名(和/英) Weifang Lu / Weifang Lu
第 3 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ.)
第 4 著者 氏名(和/英) 奥田 廉士 / Renji Okuda
第 4 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ.)
第 5 著者 氏名(和/英) 伊藤 和真 / Kazuma Ito
第 5 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ.)
第 6 著者 氏名(和/英) 奥野 浩司 / Koji Okuno
第 6 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ.)
第 7 著者 氏名(和/英) 飯田 一喜 / Kazuyoshi Iida
第 7 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ.)
第 8 著者 氏名(和/英) 上山 智 / Satoshi Kamiyama
第 8 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ.)
第 9 著者 氏名(和/英) 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi
第 9 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ.)
第 10 著者 氏名(和/英) 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya
第 10 著者 所属(和/英) 名城大学(略称:名城大)
Meijo University(略称:Meijo Univ.)
第 11 著者 氏名(和/英) 赤﨑 勇 / Isamu Akasaki
第 11 著者 所属(和/英) 名城大学/名古屋大・赤﨑記念研究センター(略称:名城大/名古屋大・赤﨑記念研究センター)
Meijo University/Akasaki Research Center, Nagoya Univ.(略称:Meijo Univ./Akasaki Research Center, Nagoya Univ.)
発表年月日 2020-11-27
資料番号 ED2020-19,CPM2020-40,LQE2020-70
巻番号(vol) vol.120
号番号(no) ED-254,CPM-255,LQE-256
ページ範囲 pp.71-74(ED), pp.71-74(CPM), pp.71-74(LQE),
ページ数 4
発行日 2020-11-19 (ED, CPM, LQE)