| 講演名 | 2020-11-27 GaNトンネル接合を備えたLEDにおける横方向Mg活性化の最適化 田先 美貴子(名城大), 清原 一樹(名城大), 小田原 麻人(名城大), 伊藤 太一(名城大), 竹内 哲也(名城大), 上山 智(名城大), 岩谷 素顕(名城大), 赤﨑 勇(名大), |
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| 抄録(和) | GaNトンネル接合を有する電流狭窄構造は、LEDやレーザダイオードに利用されている。上部n-GaN層がトンネル接合とp型層を厚く覆っているため、横方向Mg活性化として、高温（725℃）長時間（30分）の熱アニールが必要である。本報告では、酸素および窒素雰囲気下で様々な温度、時間にて上記Mg活性化を行い、より高い発光強度が得られるMg活性化条件（酸素雰囲気下725℃×45分と800℃×15分）を明らかにした。一方で、酸素雰囲気下でアニールすると、nコンタクト抵抗が増大してしまうことも見出した。 |
| 抄録(英) | Current confinement structures with GaN tunnel junctions have been utilized in LEDs and laser diodes. In such devices, a lateral Mg activation with high annealing temperature (725℃) and long time (30min) is required. In this study, we carried out Mg activations under various conditions, such as temperatures, time, and atmospheric gases (O2 or N2). We then found that higher light output power values were obtained by using 725℃ for 45min and 800℃ for 15min under oxygen gas. On the other hand, n-contact resistances were increased by the annealing under oxygen gas. |
| キーワード(和) | GaNトンネル接合 / 横方向Mg活性化 / 熱アニール |
| キーワード(英) | GaN tunnel junctions / lateral Mg activation / annealing |
| 資料番号 | ED2020-18,CPM2020-39,LQE2020-69 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / CPM / ED |
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| 開催期間 | 2020/11/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 八坂 洋(東北大) / 武山 真弓(北見工大) / 須原 理彦(都立大) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshi Yasaka(Tohoku Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Michihiko Suhara(TMU) |
| 副委員長氏名（和） | 梅沢 俊匡(NICT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 藤代 博記(東京理科大) |
| 副委員長氏名（英） | Toshitada Umezawa(NICT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) |
| 幹事氏名（和） | 永井 正也(阪大) / 瀬川 徹(NTT) / 中澤 日出樹(弘前大) / 岩田 達哉(富山県立大) / 小谷 淳二(富士通研) |
| 幹事氏名（英） | Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Toru Segawa(NTT) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tatsuya Iwata(Toyama Pref. Univ.) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 藤田 和上(浜松ホトニクス) / 西山 伸彦(東工大) / 木村 康男(東京工科大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 堤 卓也(NTT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Kazuue Fujita(Hamamatsu) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Takuya Tsutsumi(NTT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | GaNトンネル接合を備えたLEDにおける横方向Mg活性化の最適化 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Optimization of lateral Mg activation in LEDs with GaN tunnel junctions |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaNトンネル接合 / GaN tunnel junctions |
| キーワード(2)（和/英） | 横方向Mg活性化 / lateral Mg activation |
| キーワード(3)（和/英） | 熱アニール / annealing |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 田先 美貴子 / Mikiko Tasaki |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 清原 一樹 / Kazuki Kiyohara |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小田原 麻人 / Mahito Odawara |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 伊藤 太一 / Taichi Ito |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 上山 智 / Satoshi Kamiyama |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 岩谷 素顕 / Motoaki Iwaya |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 赤﨑 勇 / Isamu Akasaki |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 発表年月日 | 2020-11-27 |
| 資料番号 | ED2020-18,CPM2020-39,LQE2020-69 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | ED-254,CPM-255,LQE-256 |
| ページ範囲 | pp.67-70(ED), pp.67-70(CPM), pp.67-70(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |