| 講演名 | 2020-11-20 ［招待講演］第一原理バンド計算を基盤とした原子層チャネルトンネルトランジスタのTCADシミュレーション 浅井 栄大(産総研), 黒田 龍哉(阪大), 福田 浩一(産総研), 服部 淳一(産総研), 池上 努(産総研), 森 伸也(阪大), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | SDM2020-34 |
| 発行日 | 2020-11-12 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2020/11/19(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Virtual conference |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit simulation, etc. |
| 委員長氏名（和） | 平野 博茂(タワー パートナーズ セミコンダクター) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerPartners Semiconductor) |
| 副委員長氏名（和） | 大見 俊一郎(東工大) |
| 副委員長氏名（英） | Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］第一原理バンド計算を基盤とした原子層チャネルトンネルトランジスタのTCADシミュレーション |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] TCAD simulation for atomic layer channel Tunnel FETs based on ab-initio band calculation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 浅井 栄大 / Hiderhiro Asai |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 黒田 龍哉 / Tatsuya Kuroda |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 大阪大学(略称：阪大) Osaka university(略称：Osaka Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 福田 浩一 / Koichi Fukuda |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 服部 淳一 / Junichi Attori |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 池上 努 / Tsutomu Ikegami |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 産業技術総合研究所(略称：産総研) National Institute of Advanced Industrial Science and Technology(略称：AIST) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 森 伸也 / Nobuya Mori |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 大阪大学(略称：阪大) Osaka university(略称：Osaka Univ.) |
| 発表年月日 | 2020-11-20 |
| 資料番号 | SDM2020-34 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | SDM-239 |
| ページ範囲 | pp.58-62(SDM), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2020-11-12 (SDM) |