| 講演名 | 2020-11-26 光無線給電システムに向けたGaN系受光素子の検討 山本 皓介(名工大), Pradip Dalapati(名工大), 江川 孝志(名工大), 三好 実人(名工大), |
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| 抄録(和) | 半導体発光デバイスと受光デバイスを用いた光無線給電システムが注目されている。本研究では、光無線給電システムに適用可能なエネルギー変換効率の高い受光デバイスを目指し、有機金属気相成長法（MOCVD）を用いて、c面サファイア基板上にGaInN/GaN-多重量子井戸(MQW)を備えた受光素子構造をエピタキシャル成長させ、結晶評価及び分光感度測定、単色光照射下での電気特性の測定を行った。外部量子効率は波長382 nmで最大約74 %となり、入射光強度5 mW/cm2で波長382 nmの単色光照射下でI-V特性を測定したところ、短絡電流密度1.14 mA/cm2、開放電圧 2.23 V、変換効率約 32 %が得られた。シャント抵抗、シリーズ抵抗成分について課題が残るが、照射光強度の増大することで、開放電圧の向上が見られることからさらなる効率向上に期待が持てる。 |
| 抄録(英) | Aiming at a high-efficiency photodetectors for the optical wireless power transmission system consisting of semiconductor light-emitting devices and photodetectors, a photodetector epi-structure employing GaN/GaInN-MQWs was grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) on c-plane sapphire. Then, the epitaxial structure, spectral sensitivity and photo-electrical characteristics were evaluated. The maximum external quantum efficiency (EQE) was measured to be 74% at a wavelength of 382 nm, and the short-circuit current density of 1.14 mA/cm2, open-circuit voltage of 2.23 V and energy conversion efficiency of 32% was obtained at a 382-nm-wavelength light irradiation with a light power of 5mW/cm2. While there still are a few issues regarding shunt and series resistances, further improvement in enegry efficiency might be obtained under higher-power light irradiation. |
| キーワード(和) | GaInN-MQW / MOCVD |
| キーワード(英) | GaInN-MQW / MOCVD |
| 資料番号 | ED2020-5,CPM2020-26,LQE2020-56 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / CPM / ED |
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| 開催期間 | 2020/11/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 八坂 洋(東北大) / 武山 真弓(北見工大) / 須原 理彦(都立大) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshi Yasaka(Tohoku Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Michihiko Suhara(TMU) |
| 副委員長氏名（和） | 梅沢 俊匡(NICT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 藤代 博記(東京理科大) |
| 副委員長氏名（英） | Toshitada Umezawa(NICT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) |
| 幹事氏名（和） | 永井 正也(阪大) / 瀬川 徹(NTT) / 中澤 日出樹(弘前大) / 岩田 達哉(富山県立大) / 小谷 淳二(富士通研) |
| 幹事氏名（英） | Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Toru Segawa(NTT) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tatsuya Iwata(Toyama Pref. Univ.) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 藤田 和上(浜松ホトニクス) / 西山 伸彦(東工大) / 木村 康男(東京工科大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 堤 卓也(NTT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Kazuue Fujita(Hamamatsu) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Takuya Tsutsumi(NTT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 光無線給電システムに向けたGaN系受光素子の検討 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Examination of GaN-based photodetectors for optical wireless power transmission system |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaInN-MQW / GaInN-MQW |
| キーワード(2)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山本 皓介 / Kosuke Yamamoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NIT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | Pradip Dalapati / Pradip Dalapati |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NIT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi Egawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NIT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 三好 実人 / Makoto Miyoshi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NIT) |
| 発表年月日 | 2020-11-26 |
| 資料番号 | ED2020-5,CPM2020-26,LQE2020-56 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | ED-254,CPM-255,LQE-256 |
| ページ範囲 | pp.17-20(ED), pp.17-20(CPM), pp.17-20(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |