| 講演名 | 2020-11-26 エピタキシャルAlInN膜のp/n導電性制御に関する研究 中林 泰希(名工大), 高田 華果(名工大), 江川 孝志(名工大), 三好 実人(名工大), 竹内 哲也(名城大), |
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| 抄録(和) | 本研究では、有機金属気相成長法(MOCVD)によるAlInN膜成長において、Si及びMgドープによる導電性制御、ならびに組成傾斜による分極ドーピングについて検討を行った。サファイア基板上のc面GaN上にSi濃度約8 × 10^18 cm^-3を有した厚さ300nmのSiドープAlInNをほぼ格子整合して成長させた。伝送線路モデル(TLM)を応用した縦方向導電性評価を行ったところ、n-AlInNの縦方向抵抗率が5.8×10^-4 Ωcm^2となることを確認した。次に、c面GaN/サファイア上に目標膜厚100nmのMgドープAlInNを成長させたところ、約1.5 × 10^19 cm^-3の高いMg濃度をもった表面平坦なAlInN膜を得ることが出来た。また、分極効果による正孔生成を狙い、c面GaN/サファイア上に組成傾斜したAlInNを100nm成長したところ、InNモル分率の組成幅が0.14〜0.19であって、温度依存性の小さい正孔伝導を示す組成傾斜AlInN膜を得ることができた。 |
| 抄録(英) | In this study, we attempted the p/n conductivity control of epitaxial AlInN films grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) by means of the impurity-doping of Si and Mg atoms and the polarization-doping. First, The Si-doped AlInN films with a Si concentration of approximately 8 × 10^18 cm^-3 with a thickness of 300 nm were grown nearly lattice-matched to c-plane GaN-on-sapphire templates. By using TLM method, the vertical direction resistivity of the 300-nm-thick n-type AlInN film was estimated to be 5.8×10^-4 Ωcm^2. Then, Mg doped AlInN films with a thickness of approximately 100 nm were grown on c-plane GaN-on-sapphire templates, the AlInN film showed a relative smooth surface at a high Mg concentration of approximately 1.5 × 10^19 cm^-3. Finally, graded AlInN films with a thickness of 100 nm were grown on c-plane GaN-on-sapphire templates, aiming at the generation of polarization-induced holes. It was confirmed that an AlInN film was grown with an InN molar fraction variation ranging from 0.14 to 0.19. The Hall effect measurement showed less temperature dependence of holes, which confirmed the generation of polarization-induced holes. |
| キーワード(和) | n-AlInN / MgドープAlInN / 分極ドーピング / 組成傾斜AlInN / MOCVD |
| キーワード(英) | n-type AlInN / Mg doped AlInN / polarization-doping / graded AlInN / MOCVD |
| 資料番号 | ED2020-4,CPM2020-25,LQE2020-55 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / CPM / ED |
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| 開催期間 | 2020/11/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 八坂 洋(東北大) / 武山 真弓(北見工大) / 須原 理彦(都立大) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshi Yasaka(Tohoku Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Michihiko Suhara(TMU) |
| 副委員長氏名（和） | 梅沢 俊匡(NICT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 藤代 博記(東京理科大) |
| 副委員長氏名（英） | Toshitada Umezawa(NICT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) |
| 幹事氏名（和） | 永井 正也(阪大) / 瀬川 徹(NTT) / 中澤 日出樹(弘前大) / 岩田 達哉(富山県立大) / 小谷 淳二(富士通研) |
| 幹事氏名（英） | Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Toru Segawa(NTT) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tatsuya Iwata(Toyama Pref. Univ.) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 藤田 和上(浜松ホトニクス) / 西山 伸彦(東工大) / 木村 康男(東京工科大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 堤 卓也(NTT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Kazuue Fujita(Hamamatsu) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Takuya Tsutsumi(NTT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | エピタキシャルAlInN膜のp/n導電性制御に関する研究 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Study on p/n conductivity control of epitaxial AlInN films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | n-AlInN / n-type AlInN |
| キーワード(2)（和/英） | MgドープAlInN / Mg doped AlInN |
| キーワード(3)（和/英） | 分極ドーピング / polarization-doping |
| キーワード(4)（和/英） | 組成傾斜AlInN / graded AlInN |
| キーワード(5)（和/英） | MOCVD / MOCVD |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 中林 泰希 / Taiki Nakabayashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute Of Technology(略称：NIT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 高田 華果 / Haruka Takada |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute Of Technology(略称：NIT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 江川 孝志 / Takashi Egawa |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute Of Technology(略称：NIT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 三好 実人 / Makoto Miyoshi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute Of Technology(略称：NIT) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 竹内 哲也 / Tetsuya Takeuchi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 名城大学(略称：名城大) Meijo University(略称：Meijo Univ.) |
| 発表年月日 | 2020-11-26 |
| 資料番号 | ED2020-4,CPM2020-25,LQE2020-55 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | ED-254,CPM-255,LQE-256 |
| ページ範囲 | pp.13-16(ED), pp.13-16(CPM), pp.13-16(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |