| 講演名 | 2020-12-02 TiN電極を用いたTa2O5-ReRAM素子におけるデジタルおよびアナログ抵抗変化の共存 山田 和尚(京大), 木本 恒暢(京大), 西 佑介(京大/舞鶴高専), |
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| 抄録(和) | 本研究では、Ni/Ta2O5/TiN積層構造を有する素子の抵抗変化現象について調べた．同一の素子において、異なる二種類の抵抗変化特性が発現した．初期状態の素子をフォーミングさせると、その後の電圧印加により急峻な変化を有するデジタル抵抗変化特性を示した．一方で、フォーミングをさせず、初期状態の素子への電圧印加により特殊な状態へ遷移した素子は、その後の電圧印加により緩やかな変化を有するアナログ抵抗変化特性を示した．素子の電気的特性およびTa2O5層の酸素空孔の分布などから、それぞれの動作モデルについて検討をおこなった． |
| 抄録(英) | In this study, we have investigated the resistive switching (RS) characteristics of Ni/Ta2O5/TiN stack structure devices. Two different RS characteristics were observed in the same device. After forming, it showed abrupt (digital) RS characteristics. On the other hand, the device that transitioned to a particular state by the application of voltage to the initial state showed gradual (analog) RS characteristics. Based on the electrical characteristics of the devices and the distribution of oxygen vacancies in the Ta2O5 layer, we propose an RS operation model. |
| キーワード(和) | ReRAM / TiN / Ta2O5 / 電極材料 |
| キーワード(英) | ReRAM / Titanium nitride / Tantalum oxide / Electrode materials |
| 資料番号 | EID2020-11,SDM2020-45 |
| 発行日 | 2020-11-25 (EID, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID / SDM / ITE-IDY |
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| 開催期間 | 2020/12/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 / 半導体材料プロセス・デバイス研究会 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 山口 留美子(秋田大) / 平野 博茂(タワー パートナーズ セミコンダクター) |
| 委員長氏名（英） | Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) / Hiroshige Hirano(TowerPartners Semiconductor) |
| 副委員長氏名（和） | 山口 雅浩(東工大) / 石原 朋幸(ジャパンディスプレイ) / 大見 俊一郎(東工大) |
| 副委員長氏名（英） | Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Tomoyuki Ishihara(Japan Display) / Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 伊達 宗和(NTT) / 中田 充(NHK) / 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事氏名（英） | Munekazu Date(NTT) / Mitsuru Nakata(NHK) / Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 木村 睦(龍谷大) / 志賀 智一(電通大) / 小南 裕子(静岡大) / 水﨑 真伸(シャープ) / 神原 誠之(奈良先端大) / 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) / Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) / Hiroko Kominami(Shizuoka Univ.) / Masanobu Mizusaki(SHARP) / Masayuki Kanbara(NAIST) / Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electronic Information Displays / Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Group on Information Display |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | TiN電極を用いたTa2O5-ReRAM素子におけるデジタルおよびアナログ抵抗変化の共存 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Coexistence of digital and analog resistive switching in Ta2O5-based ReRAM cells with TiN electrodes. |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ReRAM / ReRAM |
| キーワード(2)（和/英） | TiN / Titanium nitride |
| キーワード(3)（和/英） | Ta2O5 / Tantalum oxide |
| キーワード(4)（和/英） | 電極材料 / Electrode materials |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山田 和尚 / Kazutaka Yamada |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都大学(略称：京大) Kyoto University(略称：Kyoto Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 木本 恒暢 / Tsunenobu Kimoto |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都大学(略称：京大) Kyoto University(略称：Kyoto Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 西 佑介 / Yusuke Nishi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都大学/舞鶴工業高等専門学校(略称：京大/舞鶴高専) Kyoto University/National Institute of Technology, Maizuru College(略称：Kyoto Univ./NIT, Maizuru College) |
| 発表年月日 | 2020-12-02 |
| 資料番号 | EID2020-11,SDM2020-45 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | EID-272,SDM-273 |
| ページ範囲 | pp.42-45(EID), pp.42-45(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-25 (EID, SDM) |