| 講演名 | 2020-12-02 積層構造によるAl2O3/GaN MOS特性の改善 曽根原 翔(奈良先端大), 上沼 睦典(奈良先端大), 浦岡 行治(奈良先端大), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | EID2020-9,SDM2020-43 |
| 発行日 | 2020-11-25 (EID, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID / SDM / ITE-IDY |
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| 開催期間 | 2020/12/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 / 半導体材料プロセス・デバイス研究会 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 山口 留美子(秋田大) / 平野 博茂(タワー パートナーズ セミコンダクター) |
| 委員長氏名（英） | Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) / Hiroshige Hirano(TowerPartners Semiconductor) |
| 副委員長氏名（和） | 山口 雅浩(東工大) / 石原 朋幸(ジャパンディスプレイ) / 大見 俊一郎(東工大) |
| 副委員長氏名（英） | Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Tomoyuki Ishihara(Japan Display) / Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 伊達 宗和(NTT) / 中田 充(NHK) / 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事氏名（英） | Munekazu Date(NTT) / Mitsuru Nakata(NHK) / Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 木村 睦(龍谷大) / 志賀 智一(電通大) / 小南 裕子(静岡大) / 水﨑 真伸(シャープ) / 神原 誠之(奈良先端大) / 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) / Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) / Hiroko Kominami(Shizuoka Univ.) / Masanobu Mizusaki(SHARP) / Masayuki Kanbara(NAIST) / Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electronic Information Displays / Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Group on Information Display |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 積層構造によるAl2O3/GaN MOS特性の改善 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Improvement of Al2O3/GaN MOS Characteristics using Bilayer Structure |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 曽根原 翔 / Sho Sonehara |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学(略称：奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology(略称：NAIST) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 上沼 睦典 / Mutsunori Uenuma |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学(略称：奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology(略称：NAIST) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 浦岡 行治 / Yukiharu Uraoka |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大学院大学(略称：奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology(略称：NAIST) |
| 発表年月日 | 2020-12-02 |
| 資料番号 | EID2020-9,SDM2020-43 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | EID-272,SDM-273 |
| ページ範囲 | pp.35-36(EID), pp.35-36(SDM), |
| ページ数 | 2 |
| 発行日 | 2020-11-25 (EID, SDM) |