| 講演名 | 2020-11-20 ［招待講演］絶縁膜原子層エッチングにおける加工特性の定量考察 久保井 信行(SSS), |
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| 抄録(和) | F系ガスを用いポリマー層が形成される絶縁膜の原子層エッチング(ALE)では必ずしもSelf-limitでないため、半導体製造の実用においては、加工メカニズムの理解と緻密な制御が非常に重要となる。本論文では、著者らがこれまで構築してきた絶縁膜の表面反応モデルに、デポジッションステップ時の残留Fやポリマー層中のFの影響を加味して現実的なALE反応をモデル化し、SiO2膜とSi3N4膜上でのポリマー膜厚の違いのメカニズムおよびサイクル時間の制御、ポリマー層と絶縁膜の界面でのイオンエネルギーの制御、低ダメージ化のためのイオンエネルギー単色化が重要であることを、従来のCWエッチングと対比しつつシミュレーション解析で定量的に初めて示した。また、SAC加工で課題となっているSiO2エッチレート改善の考察を行い、改善条件と限界を示した。 |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | 絶縁膜 / 原子層エッチング / エッチレート / 選択比 / モデリング / シミュレーション |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | SDM2020-32 |
| 発行日 | 2020-11-12 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2020/11/19(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Virtual conference |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit simulation, etc. |
| 委員長氏名（和） | 平野 博茂(タワー パートナーズ セミコンダクター) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerPartners Semiconductor) |
| 副委員長氏名（和） | 大見 俊一郎(東工大) |
| 副委員長氏名（英） | Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ［招待講演］絶縁膜原子層エッチングにおける加工特性の定量考察 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | [Invited Talk] Insights into etching properties of atomic layer etching process for dielectric films |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 絶縁膜 |
| キーワード(2)（和/英） | 原子層エッチング |
| キーワード(3)（和/英） | エッチレート |
| キーワード(4)（和/英） | 選択比 |
| キーワード(5)（和/英） | モデリング |
| キーワード(6)（和/英） | シミュレーション |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 久保井 信行 / Nobuyuki Kuboi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社(略称：SSS) Sony Semiconductor Solutions Corporation(略称：SSS) |
| 発表年月日 | 2020-11-20 |
| 資料番号 | SDM2020-32 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | SDM-239 |
| ページ範囲 | pp.47-51(SDM), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2020-11-12 (SDM) |