| 講演名 | 2020-12-02 酸化物半導体Ga-Sn-Oを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタ 福井 智貴(龍谷大), 中川 滉貴(龍谷大), 木村 睦(龍谷大), |
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| 抄録(和) | 本研究では半導体層にアモルファスの酸化物半導体Ga-Sn-O(GTO)、絶縁膜層に強誘電体である(Bi,La)?Ti?O??(BLT)を用いて、強誘電体ゲート薄膜トランジスタ(FeTFT)を作製し、TFT特性を評価した。まずリーク電流を抑えTFT特性を得るために、BLTの良好な結晶性を実現するアニール条件の検討を行った。次に、良好なI-V特性を得るための最適なポストアニール条件を検討した。その結果、ポストアニール100℃で移動度1.58 cm?/Vs、SS値0.84 V、しきい値電圧Vth 5.05 V、オン電流ION 0.16 mA、ヒステリシス幅3.5 VのTFT特性、反時計回りのヒステリシスを確認した。 |
| 抄録(英) | We fabricated a ferroelectric-gate thin-film transistor (FeTFT) with an amorphous Ga-Sn-O (GTO) channel and a ferroelectric (Bi,La)?Ti?O?? (BLT) gate insulator, and evaluated the TFT characteristics and the crystallinity of BLT by X-ray diffraction (XRD). First, in order to decrease the leakage current and to obtain TFT characteristics , the annealing conditions for good crystalline of BLT-thin-film by the RF magnetron sputtering method were considered. In this study, the annealing was performed at three different temperature. Second, the post-annealing conditions of GTO thin film to obtain high-performance drain current versus gate voltage (I-V) characteristics were investigated to prepare the excellent a-GTO channel. As a result, a TFT with mobility 1.58 cm? / Vs, SS value 0.84 V, threshold voltage Vth 5.05 V, on-current ION 0.16 mA, and memory window 3.5 V TFT, and counterclockwise hysteresis were confirmed at post-annealing 100 ℃.We think that increasing the ferroelectricity of BLT will improve the on-current. This is because ferroelectric film can induce large charge density owing to the spontaneous polarization. |
| キーワード(和) | 酸化物半導体 / Ga-Sn-O(GTO) / 強誘電体 / (Bi,La)?Ti?O??(BLT) / 強誘電体ゲート薄膜トランジスタ(FeTFT) |
| キーワード(英) | Oxide Semiconductor / Ga-Sn-O(GTO) / Ferroelectric / (Bi,La)?Ti?O??(BLT) / Ferroelectric-gate thin-film Transistor (FeTFT) |
| 資料番号 | EID2020-14,SDM2020-48 |
| 発行日 | 2020-11-25 (EID, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID / SDM / ITE-IDY |
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| 開催期間 | 2020/12/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 / 半導体材料プロセス・デバイス研究会 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 山口 留美子(秋田大) / 平野 博茂(タワー パートナーズ セミコンダクター) |
| 委員長氏名（英） | Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) / Hiroshige Hirano(TowerPartners Semiconductor) |
| 副委員長氏名（和） | 山口 雅浩(東工大) / 石原 朋幸(ジャパンディスプレイ) / 大見 俊一郎(東工大) |
| 副委員長氏名（英） | Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Tomoyuki Ishihara(Japan Display) / Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 伊達 宗和(NTT) / 中田 充(NHK) / 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事氏名（英） | Munekazu Date(NTT) / Mitsuru Nakata(NHK) / Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 木村 睦(龍谷大) / 志賀 智一(電通大) / 小南 裕子(静岡大) / 水﨑 真伸(シャープ) / 神原 誠之(奈良先端大) / 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) / Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) / Hiroko Kominami(Shizuoka Univ.) / Masanobu Mizusaki(SHARP) / Masayuki Kanbara(NAIST) / Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electronic Information Displays / Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Group on Information Display |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 酸化物半導体Ga-Sn-Oを用いた強誘電体ゲート薄膜トランジスタ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Ferroelectric gate thin film transistor using oxide semiconductor Ga-Sn-O |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 酸化物半導体 / Oxide Semiconductor |
| キーワード(2)（和/英） | Ga-Sn-O(GTO) / Ga-Sn-O(GTO) |
| キーワード(3)（和/英） | 強誘電体 / Ferroelectric |
| キーワード(4)（和/英） | (Bi,La)?Ti?O??(BLT) / (Bi,La)?Ti?O??(BLT) |
| キーワード(5)（和/英） | 強誘電体ゲート薄膜トランジスタ(FeTFT) / Ferroelectric-gate thin-film Transistor (FeTFT) |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 福井 智貴 / Tomoki Fukui |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 龍谷大学(略称：龍谷大) Ryukoku Univercity(略称：Ryukoku Univ) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 中川 滉貴 / Kouki Nakagawa |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 龍谷大学(略称：龍谷大) Ryukoku Univercity(略称：Ryukoku Univ) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 木村 睦 / Mutsumi Kimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 龍谷大学(略称：龍谷大) Ryukoku Univercity(略称：Ryukoku Univ) |
| 発表年月日 | 2020-12-02 |
| 資料番号 | EID2020-14,SDM2020-48 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | EID-272,SDM-273 |
| ページ範囲 | pp.54-57(EID), pp.54-57(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-25 (EID, SDM) |