| 講演名 | 2020-11-19 A model of dark current mechanism in barrier infrared photodetectors Yen Le Thi(Hanoi University of Science and Technology), Yoshinari Kamakura(Osaka Institute of Technology), Nobuya Mori(Graduate School of Engineering, Osaka University,), |
|---|---|
| PDFダウンロードページ |  PDFダウンロードページへ |
| 抄録(和) | The barrier infrared detector fabricated with InAs/GaSb type-II superlattice emerges as a solution to a significant reduction in dark current compared to conventional p-i-n photodetectors. In this study, the barrier photodetectors composed of a contact layer, a barrier layer, and an active region (n-type) are evaluated by simulating the two different engineered structures, i.e., pBn and nBn. Numerical simulation results suggest that both structures could be used to reduce the dark current and there exists optimum doping density. We discuss the physical mechanisms behind the observed characteristics. |
| 抄録(英) | The barrier infrared detector fabricated with InAs/GaSb type-II superlattice emerges as a solution to a significant reduction in dark current compared to conventional p-i-n photodetectors. In this study, the barrier photodetectors composed of a contact layer, a barrier layer, and an active region (n-type) are evaluated by simulating the two different engineered structures, i.e., pBn and nBn. Numerical simulation results suggest that both structures could be used to reduce the dark current and there exists optimum doping density. We discuss the physical mechanisms behind the observed characteristics. |
| キーワード(和) | infrared photodetector / superlattice / dark current |
| キーワード(英) | infrared photodetector / superlattice / dark current |
| 資料番号 | SDM2020-27 |
| 発行日 | 2020-11-12 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
|---|---|
| 開催期間 | 2020/11/19(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Virtual conference |
| テーマ（和） | プロセス・デバイス・回路シミュレーションおよび一般 |
| テーマ（英） | Process, Device, Circuit simulation, etc. |
| 委員長氏名（和） | 平野 博茂(タワー パートナーズ セミコンダクター) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerPartners Semiconductor) |
| 副委員長氏名（和） | 大見 俊一郎(東工大) |
| 副委員長氏名（英） | Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
|---|---|
| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A model of dark current mechanism in barrier infrared photodetectors |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | infrared photodetector / infrared photodetector |
| キーワード(2)（和/英） | superlattice / superlattice |
| キーワード(3)（和/英） | dark current / dark current |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | Yen Le Thi / Yen Le Thi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | Hanoi University of Science and Technology(略称：Hanoi University of Science and Technology) Hanoi University of Science and Technology(略称：Hanoi University of Science and Technology) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | Yoshinari Kamakura / Yoshinari Kamakura |
| 第 2 著者 所属（和/英） | Osaka Institute of Technology(略称：Osaka Institute of Technology) Osaka Institute of Technology(略称：Osaka Institute of Technology) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | Nobuya Mori / Nobuya Mori |
| 第 3 著者 所属（和/英） | Graduate School of Engineering, Osaka University,(略称：Graduate School of Engineering, Osaka University,) Graduate School of Engineering, Osaka University,(略称：Graduate School of Engineering, Osaka University,) |
| 発表年月日 | 2020-11-19 |
| 資料番号 | SDM2020-27 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | SDM-239 |
| ページ範囲 | pp.25-27(SDM), |
| ページ数 | 3 |
| 発行日 | 2020-11-12 (SDM) |