| 講演名 | 2020-12-02 Cu2GeTe3を用いた相変化メモリ 赤根 詩穂里(龍谷大), 堀内 功(KOA), 木村 睦(龍谷大), |
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| 抄録(和) | 我々は「Cu2GeTe3:銅・ゲルマニウム・テルル(CGT)」を用いた相変化メモリ（PCRAM）についての研究を行なっている。従来の相変化メモリに「Ge2Sb2Te5:ゲルマニウム・アンチモン・テルル(GST)」が相変化材料として使われているが、GSTより高い温度で結晶化し、低い温度でアモルファス化するため、RESET動作の低エネルギー化を期待できるCGTを使用した。今回はCGTの膜厚が異なるデバイスを作製し、I-V特性を測定した。全てのデバイスでPCRAMの挙動を確認することができた。 |
| 抄録(英) | We are conducting research on Phase Change Random Access Memory (PCRAM) using “Cu2GeTe3: Copper-Germanium-Tellurium (CGT)”. The fast crystallization speed and good reversibility between the amorphous and crystalline states make “Ge2Sb2Te5:Germanium-Antimony-Tellurium(GST)” the most popular phase change material. CGT is expected to save energy because its amorphization temperature is lower and cllistallization temperature is higher than that of GST, was used as the phase change material of PCRAM. In this study, we fabricated PCRAM with different CGT film thickness and measured I-V characteristics. All devices showed resistive switching behavior caused by phase change of CGT. |
| キーワード(和) | 相変化メモリ / 相変化材料 / Cu2GeTe3 / アモルファス / 結晶 |
| キーワード(英) | PCRAM / phase change material / Cu2GeTe3 / amorphous / crystal |
| 資料番号 | EID2020-13,SDM2020-47 |
| 発行日 | 2020-11-25 (EID, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID / SDM / ITE-IDY |
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| 開催期間 | 2020/12/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 / 半導体材料プロセス・デバイス研究会 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 山口 留美子(秋田大) / 平野 博茂(タワー パートナーズ セミコンダクター) |
| 委員長氏名（英） | Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) / Hiroshige Hirano(TowerPartners Semiconductor) |
| 副委員長氏名（和） | 山口 雅浩(東工大) / 石原 朋幸(ジャパンディスプレイ) / 大見 俊一郎(東工大) |
| 副委員長氏名（英） | Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Tomoyuki Ishihara(Japan Display) / Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 伊達 宗和(NTT) / 中田 充(NHK) / 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事氏名（英） | Munekazu Date(NTT) / Mitsuru Nakata(NHK) / Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 木村 睦(龍谷大) / 志賀 智一(電通大) / 小南 裕子(静岡大) / 水﨑 真伸(シャープ) / 神原 誠之(奈良先端大) / 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) / Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) / Hiroko Kominami(Shizuoka Univ.) / Masanobu Mizusaki(SHARP) / Masayuki Kanbara(NAIST) / Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electronic Information Displays / Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Group on Information Display |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | Cu2GeTe3を用いた相変化メモリ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Phase Change Random Access memory using Cu2GeTe3 |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 相変化メモリ / PCRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 相変化材料 / phase change material |
| キーワード(3)（和/英） | Cu2GeTe3 / Cu2GeTe3 |
| キーワード(4)（和/英） | アモルファス / amorphous |
| キーワード(5)（和/英） | 結晶 / crystal |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 赤根 詩穂里 / Shihori Akane |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 龍谷大学(略称：龍谷大) Ryukoku University(略称：Ryukoku Univ) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 堀内 功 / Isao Horiuchi |
| 第 2 著者 所属（和/英） | KOA株式会社(略称：KOA) KOA corporation(略称：KOA Corp) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 木村 睦 / Mutsumi Kimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 龍谷大学(略称：龍谷大) Ryukoku University(略称：Ryukoku Univ) |
| 発表年月日 | 2020-12-02 |
| 資料番号 | EID2020-13,SDM2020-47 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | EID-272,SDM-273 |
| ページ範囲 | pp.50-53(EID), pp.50-53(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-25 (EID, SDM) |