| 講演名 | 2020-12-02 IGZO薄膜を利用したシナプス素子の積層クロスポイントメモリ 岩城 江津子(龍谷大), 津野 拓海(奈良先端大), 木村 睦(龍谷大), |
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| 抄録(和) | 高集積化が容易な酸化物半導体を用いることでハードウェアによる大規模なニューラルネットワークの構築を目標とした研究,開発を行った.酸化物半導体であるIn-Ga-Zn-O(IGZO)の電気的特性をシナプス素子として用い,デバイスの材料や作成条件,測定条件を変えることで,最も生物のシナプス素子の経時劣化特性に近い条件を評価した. |
| 抄録(英) | We conducted research and development of a large hardware neural network by using oxide semiconductors of In-Ga-Zn-O (IGZO), it is easy to integrate. We used electrical characteristics of IGZO, which is an oxide semiconductor, as synapses, and by changing the state of the device and the state of the measurement, then we evaluated the conditions closest to the deterioration characteristics of the synaptic elements of living organisms over time. |
| キーワード(和) | ニューラルネットワーク / 酸化物半導体 / IGZO / クロスポイント / シナプス / 積層 |
| キーワード(英) | Neural network / Oxide semiconductor / IGZO / Cross point / Synapse / Laminate |
| 資料番号 | EID2020-4,SDM2020-38 |
| 発行日 | 2020-11-25 (EID, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID / SDM / ITE-IDY |
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| 開催期間 | 2020/12/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 / 半導体材料プロセス・デバイス研究会 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 山口 留美子(秋田大) / 平野 博茂(タワー パートナーズ セミコンダクター) |
| 委員長氏名（英） | Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) / Hiroshige Hirano(TowerPartners Semiconductor) |
| 副委員長氏名（和） | 山口 雅浩(東工大) / 石原 朋幸(ジャパンディスプレイ) / 大見 俊一郎(東工大) |
| 副委員長氏名（英） | Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Tomoyuki Ishihara(Japan Display) / Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 伊達 宗和(NTT) / 中田 充(NHK) / 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事氏名（英） | Munekazu Date(NTT) / Mitsuru Nakata(NHK) / Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 木村 睦(龍谷大) / 志賀 智一(電通大) / 小南 裕子(静岡大) / 水﨑 真伸(シャープ) / 神原 誠之(奈良先端大) / 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) / Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) / Hiroko Kominami(Shizuoka Univ.) / Masanobu Mizusaki(SHARP) / Masayuki Kanbara(NAIST) / Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electronic Information Displays / Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Group on Information Display |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | IGZO薄膜を利用したシナプス素子の積層クロスポイントメモリ |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Stacked cross-point memory of synaptic elements using IGZO thin film |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | ニューラルネットワーク / Neural network |
| キーワード(2)（和/英） | 酸化物半導体 / Oxide semiconductor |
| キーワード(3)（和/英） | IGZO / IGZO |
| キーワード(4)（和/英） | クロスポイント / Cross point |
| キーワード(5)（和/英） | シナプス / Synapse |
| キーワード(6)（和/英） | 積層 / Laminate |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 岩城 江津子 / Etsuko Iwagi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 龍谷大学(略称：龍谷大) Ryukoku University(略称：RU) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 津野 拓海 / Takumi Tsuno |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 奈良先端科学技術大(略称：奈良先端大) Nara Institute of Science and Technology(略称：NAIST) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 木村 睦 / Mutsumi Kimura |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 龍谷大学(略称：龍谷大) Ryukoku University(略称：RU) |
| 発表年月日 | 2020-12-02 |
| 資料番号 | EID2020-4,SDM2020-38 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | EID-272,SDM-273 |
| ページ範囲 | pp.13-16(EID), pp.13-16(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-25 (EID, SDM) |