| 講演名 | 2020-12-02 非結晶Ga-Sn-O薄膜熱電変換素子の特性評価 山本 佑平(龍谷大), 荒牧 達也(龍谷大), 伊藤 良(龍谷大), 木村 睦(龍谷大), |
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| 抄録(和) | 工場や自動車、PC などから発生する排熱の多くは未利用の状態である. 熱電変換素子はその熱エネルギーを電気エネルギーに変換することが可能であり、クリーンな発電方法として注目されている. そのなかで透明性やフレキシブル性を持つ熱電材料は窓ガラスを利用した発電や IoT センサなどへの応用が可能である。そこで我々は透明性とフレキシブル性を持つレアメタルフリー酸化物半導体の GTO 薄膜を用いて薄膜熱電変換素子の研究を行っている. 本研究では本研究では GTO 熱電変換素子のアニール，スパッタ時の酸素流量比の依存性の評価を行った．100℃〜400℃の低温でのアニールをサンプルに施すとアニール温度 200℃までは導電率の向上が見られ、アニール温度が 300℃を越すと導電率が減少することが確認された. |
| 抄録(英) | Most of the exhaust heat generated from factories, automobiles, PCs, etc. is unused. Thermoelectric conversion device can convert the heat energy into electrical energy. And it’s attracting attention as a clean power generation method. Among them, thermoelectric materials with transparency and flexibility can be applied to power generation using window glass and IoT sensors. Therefore, we are researching thin film thermoelectric conversion devices using GTO thin films which are transparent, flexible and rare metal-free oxide semiconductors. In this study, we evaluated the dependence of the oxygen flow ratio during sputtering and temperature post-annealing after film formation of the GTO thermoelectric conversion device. The sample was annealed at a low temperature of 100 °C to 400 °C. The conductivity improved until the temperature after annealing reached 200°C. After that, when the annealing temperature exceeded 300°C, the conductivity decreased. |
| キーワード(和) | 熱電変換素子 / ゼーベック効果 / 酸化物半導体 / 透明酸化物半導体 |
| キーワード(英) | Thermoelectric conversion device / Seebeck effect / Oxide semiconductor / Transparent oxide semiconductor |
| 資料番号 | EID2020-3,SDM2020-37 |
| 発行日 | 2020-11-25 (EID, SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | EID / SDM / ITE-IDY |
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| 開催期間 | 2020/12/2(から1日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | シリコン関連材料の作製と評価およびディスプレイ技術 / 半導体材料プロセス・デバイス研究会 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 山口 留美子(秋田大) / 平野 博茂(タワー パートナーズ セミコンダクター) |
| 委員長氏名（英） | Rumiko Yamaguchi(Akita Univ.) / Hiroshige Hirano(TowerPartners Semiconductor) |
| 副委員長氏名（和） | 山口 雅浩(東工大) / 石原 朋幸(ジャパンディスプレイ) / 大見 俊一郎(東工大) |
| 副委員長氏名（英） | Masahiro Yamaguchi(Tokyo Inst. of Tech.) / Tomoyuki Ishihara(Japan Display) / Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 伊達 宗和(NTT) / 中田 充(NHK) / 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事氏名（英） | Munekazu Date(NTT) / Mitsuru Nakata(NHK) / Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 木村 睦(龍谷大) / 志賀 智一(電通大) / 小南 裕子(静岡大) / 水﨑 真伸(シャープ) / 神原 誠之(奈良先端大) / 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Mutsumi Kimura(Ryukoku Univ.) / Tomokazu Shiga(Univ. of Electro-Comm.) / Hiroko Kominami(Shizuoka Univ.) / Masanobu Mizusaki(SHARP) / Masayuki Kanbara(NAIST) / Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Electronic Information Displays / Technical Committee on Silicon Device and Materials / Technical Group on Information Display |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | 非結晶Ga-Sn-O薄膜熱電変換素子の特性評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Characterization of amorphous Ga-Sn-O thin film thermoelectric conversion element |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | 熱電変換素子 / Thermoelectric conversion device |
| キーワード(2)（和/英） | ゼーベック効果 / Seebeck effect |
| キーワード(3)（和/英） | 酸化物半導体 / Oxide semiconductor |
| キーワード(4)（和/英） | 透明酸化物半導体 / Transparent oxide semiconductor |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山本 佑平 / Yuhei Yamamoto |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 龍谷大学(略称：龍谷大) Ryukoku University(略称：Ryukoku Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 荒牧 達也 / Tatuya Aramaki |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 龍谷大学(略称：龍谷大) Ryukoku University(略称：Ryukoku Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 伊藤 良 / Ryo Ito |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 龍谷大学(略称：龍谷大) Ryukoku University(略称：Ryukoku Univ.) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 木村 睦 / Mutumi Kimura |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 龍谷大学(略称：龍谷大) Ryukoku University(略称：Ryukoku Univ.) |
| 発表年月日 | 2020-12-02 |
| 資料番号 | EID2020-3,SDM2020-37 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | EID-272,SDM-273 |
| ページ範囲 | pp.9-12(EID), pp.9-12(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-25 (EID, SDM) |