| 講演名 | 2020-11-26 InGaN量子井戸の発光温度消光の励起波長依存性 山口 拓海(金沢工大), 有賀 恭介(金沢工大), 森 恵人(金沢工大), 山口 敦史(金沢工大), |
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| 抄録(和) | 窒化物半導体発光層の内部量子効率は, 発光強度の温度依存性の実験結果から見積もられることが多い. これは, 極低温における内部量子効率が100%であると仮定し, 温度上昇に伴う発光強度の減少を内部量子効率の減少だけによるものとして算出する方法である. この方法は原理がわかりやすく, 測定も比較的簡便なので, よく用いられるが, 内部量子効率を正しく見積もるためにはさまざまな注意が必要である. 本研究では, 同一のInGaN量子井戸試料に対して, 様々な励起波長で発光強度の温度依存性を測定し, 励起波長によって見積もられる内部量子効率が全く異なることを示した. そして, この現象が, バンドギャップの温度変化に伴って励起キャリア密度が変化することに起因していることを半定量的に説明することができた. |
| 抄録(英) | Internal quantum efficiency in III-nitride semiconductor light emitting layers is usually estimated from the experimental results of the temperature dependence of photoluminescence intensity. In this method, the internal quantum efficiency at extremely low temperature is assumed as 100%, and the decrease in emission intensity with increasing temperature is considered to be caused only by the decrease in internal quantum efficiency. Since the principle of the method is easy to understand and the measurement is relatively simple, it is frequently used. However, the method cannot always provide accurate values of the internal quantum efficiency. In this study, we have measured the temperature dependence of emission intensity at various excitation wavelengths for the same InGaN quantum-well sample, and have shown that the estimated internal quantum efficiency strongly depends on the excitation wavelength. Furthermore, the experimental results have been semi-quantitatively reproduced by the simple theoretical model in which the temperature dependence of excited carrier density due to temperature-induced bandgap shift. |
| キーワード(和) | InGaN量子井戸 / 内部量子効率 / 発光温度消光 |
| キーワード(英) | InGaN quantum wells / Internal quantum efficiency / temperature-induced photoluminescence quenching |
| 資料番号 | ED2020-2,CPM2020-23,LQE2020-53 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | LQE / CPM / ED |
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| 開催期間 | 2020/11/26(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 窒化物半導体光・電デバイス、材料、関連技術、及び一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 八坂 洋(東北大) / 武山 真弓(北見工大) / 須原 理彦(都立大) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshi Yasaka(Tohoku Univ.) / Mayumi Takeyama(Kitami Inst. of Tech.) / Michihiko Suhara(TMU) |
| 副委員長氏名（和） | 梅沢 俊匡(NICT) / 中村 雄一(豊橋技科大) / 藤代 博記(東京理科大) |
| 副委員長氏名（英） | Toshitada Umezawa(NICT) / Yuichi Nakamura(Toyohashi Univ. of Tech.) / Hiroki Fujishiro(Tokyo Univ. of Science) |
| 幹事氏名（和） | 永井 正也(阪大) / 瀬川 徹(NTT) / 中澤 日出樹(弘前大) / 岩田 達哉(富山県立大) / 小谷 淳二(富士通研) |
| 幹事氏名（英） | Masaya Nagai(Osaka Univ.) / Toru Segawa(NTT) / Hideki Nakazawa(Hirosaki Univ.) / Tatsuya Iwata(Toyama Pref. Univ.) / Junji Kotani(Fjitsu Lab.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 藤田 和上(浜松ホトニクス) / 西山 伸彦(東工大) / 木村 康男(東京工科大) / 寺迫 智昭(愛媛大) / 廣瀬 文彦(山形大) / 堤 卓也(NTT) |
| 幹事補佐氏名（英） | Kazuue Fujita(Hamamatsu) / Nobuhiko Nishiyama(Tokyo Inst. of Tech.) / Yasuo Kimura(Tokyo Univ. of Tech.) / Tomoaki Terasako(Ehime Univ.) / Fumihiko Hirose(Yamagata Univ.) / Takuya Tsutsumi(NTT) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Lasers and Quantum Electronics / Technical Committee on Component Parts and Materials / Technical Committee on Electron Devices |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | InGaN量子井戸の発光温度消光の励起波長依存性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Excitation wavelength dependence of temperature-induced photoluminescence quenching in InGaN quantum wells |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | InGaN量子井戸 / InGaN quantum wells |
| キーワード(2)（和/英） | 内部量子効率 / Internal quantum efficiency |
| キーワード(3)（和/英） | 発光温度消光 / temperature-induced photoluminescence quenching |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 山口 拓海 / Takumi Yamaguchi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 有賀 恭介 / Kyosuke Ariga |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 森 恵人 / Keito Mori |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 山口 敦史 / Atushi A. Yamaguchi |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：KIT) |
| 発表年月日 | 2020-11-26 |
| 資料番号 | ED2020-2,CPM2020-23,LQE2020-53 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | ED-254,CPM-255,LQE-256 |
| ページ範囲 | pp.5-8(ED), pp.5-8(CPM), pp.5-8(LQE), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-11-19 (ED, CPM, LQE) |