| 講演名 | 2020-11-17 SONOS Flashセルを用いた不揮発SRAMの設計と回路シミュレーションによる評価 浦部 孝樹(京都工繊大), 新居 浩二(京都工繊大), 小林 和淑(京都工繊大), |
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| 抄録(和) | 本稿では SONOS Flash を用いた不揮発の SRAM メモリについてレイアウト設計を行い, その特性について回路シミュレーションを行う. 結果, NV-SRAM の面積は SRAM と比べ 47% 増加するが, 動作速度は 1% 以内の増加に抑えることが可能である. NV-SRAM は待機時に電源を完全に OFF にすることが可能なので, 退避・復帰時に必要な電力を考慮しても, 動作時間の 15% 以上の待機時間があれば電力を削減可能である. |
| 抄録(英) | In this paper, we designed a layout of a nonvolatile SRAM memory using the SONOS Flash memory, and investigated its characteristics. As a result of circuit simulations, the area of NV-SRAM increases by 47% compared to SRAM, but the operating speed increases by less than 1%. Because NV-SRAM can be turned off during standby, so the power consumptioncan be reduced if the standby time is 15% or more of the operating time. |
| キーワード(和) | SRAM / 回路シミュレーション / 不揮発メモリ / BET |
| キーワード(英) | SRAM / Circuit Symulation / Nonvolatile memory / Break Even Time |
| 資料番号 | VLD2020-11,ICD2020-31,DC2020-31,RECONF2020-30 |
| 発行日 | 2020-11-10 (VLD, ICD, DC, RECONF) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | VLD / DC / RECONF / ICD / IPSJ-SLDM |
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| 開催期間 | 2020/11/17(から2日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | デザインガイア2020 -VLSI設計の新しい大地- |
| テーマ（英） | Design Gaia 2020 -New Field of VLSI Design- |
| 委員長氏名（和） | 福田 大輔(富士通研) / 高橋 寛(愛媛大) / 柴田 裕一郎(長崎大) / 永田 真(神戸大) / 中村 祐一(NEC) |
| 委員長氏名（英） | Daisuke Fukuda(Fujitsu Labs.) / Hiroshi Takahashi(Ehime Univ.) / Yuichiro Shibata(Nagasaki Univ.) / Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Yuichi Nakamura(NEC) |
| 副委員長氏名（和） | 小林 和淑(京都工繊大) / 土屋 達弘(阪大) / 佐野 健太郎(理研) / 山口 佳樹(筑波大) / 高橋 真史(キオクシア) |
| 副委員長氏名（英） | Kazutoshi Kobayashi(Kyoto Inst. of Tech.) / Tatsuhiro Tsuchiya(Osaka Univ.) / Kentaro Sano(RIKEN) / Yoshiki Yamaguchi(Tsukuba Univ.) / Masafumi Takahashi(masafumi2.takahashi@kioxia.com) |
| 幹事氏名（和） | 桜井 祐市(日立) / 兼本 大輔(大阪大学) / 新井 雅之(日大) / 難波 一輝(千葉大) / 三好 健文(イーツリーズ・ジャパン) / 小林 悠記(NEC) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 廣瀬 哲也(阪大) / 瀬戸 謙修(東京都市大) / 密山 幸男(高知工科大) / 君家 一紀(三菱電機) / 廣本 正之(富士通研) |
| 幹事氏名（英） | Yuichi Sakurai(Hitachi) / Daisuke Kanemoto(Osaka Univ.) / Masayuki Arai(Nihon Univ.) / Kazuteru Namba(Chiba Univ.) / Takefumi Miyoshi(e-trees.Japan) / Yuuki Kobayashi(NEC) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Tetsuya Hirose(Osaka Univ.) / Kenshu Seto(Tokyo City Univ.) / Yukio Mitsuyama(Kochi Univ. of Tech.) / Kazuki Oya(Mitsubishi Electric) / Masayuki Hiromoto(Fujistu Lab.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 西元 琢真(日立) / / 中原 啓貴(東工大) / 竹村 幸尚(インテル) / 新居 浩二(TSMCデザインテクノロジージャパン) / 宮地 幸祐(信州大) / 久保木 猛(九大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Takuma Nishimoto(Hitachi) / / Hiroki Nakahara(Tokyo Inst. of Tech.) / Yukitaka Takemura(INTEL) / Koji Nii(TSMC) / Kosuke Miyaji(Shinshu Univ.) / Takeshi Kuboki(Kyushu Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on VLSI Design Technologies / Technical Committee on Dependable Computing / Technical Committee on Reconfigurable Systems / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Special Interest Group on System and LSI Design Methodology |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | SONOS Flashセルを用いた不揮発SRAMの設計と回路シミュレーションによる評価 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Design of Nonvolatile SRAM Using SONOS Flash Cell and its Evaluation by Circuit Simulation |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | SRAM / SRAM |
| キーワード(2)（和/英） | 回路シミュレーション / Circuit Symulation |
| キーワード(3)（和/英） | 不揮発メモリ / Nonvolatile memory |
| キーワード(4)（和/英） | BET / Break Even Time |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 浦部 孝樹 / Takaki Urabe |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学(略称：京都工繊大) Kyoto Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 新居 浩二 / Koji Nii |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学(略称：京都工繊大) Kyoto Institute of Technology(略称：KIT) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 小林 和淑 / Kazutoshi Kobayashi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 京都工芸繊維大学(略称：京都工繊大) Kyoto Institute of Technology(略称：KIT) |
| 発表年月日 | 2020-11-17 |
| 資料番号 | VLD2020-11,ICD2020-31,DC2020-31,RECONF2020-30 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | VLD-234,ICD-235,DC-236,RECONF-237 |
| ページ範囲 | pp.1-5(VLD), pp.1-5(ICD), pp.1-5(DC), pp.1-5(RECONF), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2020-11-10 (VLD, ICD, DC, RECONF) |