講演名 2020-11-17
LSIの領域毎の信号値遷移確率に基づく電力評価に関する研究
大庭 涼(九工大), 星野 竜(九工大), 宮瀬 紘平(九工大), 温 暁青(九工大), 梶原 誠司(九工大),
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抄録(和) LSIテストでは通常動作時に比べて信号値遷移が多く発生するため,消費電力が増加する.消費電力が増加すると過度なIR-dropが発生し,遅延値が過度に増大し誤テストを引き起こす原因となる.過度なIR-dropは回路全体に発生するのではなく,信号値遷移が密集しているエリアで発生する.よって,誤テストの原因となる過度なIR-dropを効率的に削減するためには,信号値遷移が密集するエリアをLSIの設計時に特定し対処することが重要である.本稿では,LSI設計データの論理ゲートの組合せに対する信号値遷移確率に着目することで,信号値遷移が密集しやすいエリアを特定する手法を提案する.
抄録(英) Power consumption in LSI testing is higher than in functional mode since more switching activities occur. High power consumption causes excessive IR-drop and excessive delay, resulting in test malfunction. Excessive IR-drop does not uniformly occur in the whole area of circuit, but in certain areas where many switching activities occur. Therefore, it is important for efficient reduction of excessive IR-drop to locate areas where many switching activities occur during LSI testing. In this work, we propose a method to locate areas where many switching activities occur by focusing on the probability calculation for the combination of several logic gates in LSI design data.
キーワード(和) 実速度テスト / テスト時の消費電力 / IR-Drop / 遷移遅延故障テスト / 誤テスト / 信号値遷移確率
キーワード(英) at-speed testing / test power / IR-drop / transition delay test / test malfunction / probability of switching activity
資料番号 VLD2020-13,ICD2020-33,DC2020-33,RECONF2020-32
発行日 2020-11-10 (VLD, ICD, DC, RECONF)

研究会情報
研究会 VLD / DC / RECONF / ICD / IPSJ-SLDM
開催期間 2020/11/17(から2日開催)
開催地(和) オンライン開催
開催地(英) Online
テーマ(和) デザインガイア2020 -VLSI設計の新しい大地-
テーマ(英) Design Gaia 2020 -New Field of VLSI Design-
委員長氏名(和) 福田 大輔(富士通研) / 高橋 寛(愛媛大) / 柴田 裕一郎(長崎大) / 永田 真(神戸大) / 中村 祐一(NEC)
委員長氏名(英) Daisuke Fukuda(Fujitsu Labs.) / Hiroshi Takahashi(Ehime Univ.) / Yuichiro Shibata(Nagasaki Univ.) / Makoto Nagata(Kobe Univ.) / Yuichi Nakamura(NEC)
副委員長氏名(和) 小林 和淑(京都工繊大) / 土屋 達弘(阪大) / 佐野 健太郎(理研) / 山口 佳樹(筑波大) / 高橋 真史(キオクシア)
副委員長氏名(英) Kazutoshi Kobayashi(Kyoto Inst. of Tech.) / Tatsuhiro Tsuchiya(Osaka Univ.) / Kentaro Sano(RIKEN) / Yoshiki Yamaguchi(Tsukuba Univ.) / Masafumi Takahashi(masafumi2.takahashi@kioxia.com)
幹事氏名(和) 桜井 祐市(日立) / 兼本 大輔(大阪大学) / 新井 雅之(日大) / 難波 一輝(千葉大) / 三好 健文(イーツリーズ・ジャパン) / 小林 悠記(NEC) / 柘植 政利(ソシオネクスト) / 廣瀬 哲也(阪大) / 瀬戸 謙修(東京都市大) / 密山 幸男(高知工科大) / 君家 一紀(三菱電機) / 廣本 正之(富士通研)
幹事氏名(英) Yuichi Sakurai(Hitachi) / Daisuke Kanemoto(Osaka Univ.) / Masayuki Arai(Nihon Univ.) / Kazuteru Namba(Chiba Univ.) / Takefumi Miyoshi(e-trees.Japan) / Yuuki Kobayashi(NEC) / Masatoshi Tsuge(Socionext) / Tetsuya Hirose(Osaka Univ.) / Kenshu Seto(Tokyo City Univ.) / Yukio Mitsuyama(Kochi Univ. of Tech.) / Kazuki Oya(Mitsubishi Electric) / Masayuki Hiromoto(Fujistu Lab.)
幹事補佐氏名(和) 西元 琢真(日立) / / 中原 啓貴(東工大) / 竹村 幸尚(インテル) / 新居 浩二(TSMCデザインテクノロジージャパン) / 宮地 幸祐(信州大) / 久保木 猛(九大)
幹事補佐氏名(英) Takuma Nishimoto(Hitachi) / / Hiroki Nakahara(Tokyo Inst. of Tech.) / Yukitaka Takemura(INTEL) / Koji Nii(TSMC) / Kosuke Miyaji(Shinshu Univ.) / Takeshi Kuboki(Kyushu Univ.)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on VLSI Design Technologies / Technical Committee on Dependable Computing / Technical Committee on Reconfigurable Systems / Technical Committee on Integrated Circuits and Devices / Special Interest Group on System and LSI Design Methodology
本文の言語 JPN
タイトル(和) LSIの領域毎の信号値遷移確率に基づく電力評価に関する研究
サブタイトル(和)
タイトル(英) Power Analysis Based on Probability Calculation of Small Regions in LSI
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) 実速度テスト / at-speed testing
キーワード(2)(和/英) テスト時の消費電力 / test power
キーワード(3)(和/英) IR-Drop / IR-drop
キーワード(4)(和/英) 遷移遅延故障テスト / transition delay test
キーワード(5)(和/英) 誤テスト / test malfunction
キーワード(6)(和/英) 信号値遷移確率 / probability of switching activity
第 1 著者 氏名(和/英) 大庭 涼 / Ryo Oba
第 1 著者 所属(和/英) 九州工業大学(略称:九工大)
Kyushu Institute of Technology(略称:Kyutech)
第 2 著者 氏名(和/英) 星野 竜 / Ryu Hoshino
第 2 著者 所属(和/英) 九州工業大学(略称:九工大)
Kyushu Institute of Technology(略称:Kyutech)
第 3 著者 氏名(和/英) 宮瀬 紘平 / Kohei Miyase
第 3 著者 所属(和/英) 九州工業大学(略称:九工大)
Kyushu Institute of Technology(略称:Kyutech)
第 4 著者 氏名(和/英) 温 暁青 / Xiaoqing Wen
第 4 著者 所属(和/英) 九州工業大学(略称:九工大)
Kyushu Institute of Technology(略称:Kyutech)
第 5 著者 氏名(和/英) 梶原 誠司 / Seiji Kajihara
第 5 著者 所属(和/英) 九州工業大学(略称:九工大)
Kyushu Institute of Technology(略称:Kyutech)
発表年月日 2020-11-17
資料番号 VLD2020-13,ICD2020-33,DC2020-33,RECONF2020-32
巻番号(vol) vol.120
号番号(no) VLD-234,ICD-235,DC-236,RECONF-237
ページ範囲 pp.12-17(VLD), pp.12-17(ICD), pp.12-17(DC), pp.12-17(RECONF),
ページ数 6
発行日 2020-11-10 (VLD, ICD, DC, RECONF)