| 講演名 | 2020-10-07 ノーマリオフGaN HEMTを用いたレクテナ用ゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性 高橋 英匡(名大), 安藤 裕二(名大), 土屋 洋一(名工大), 分島 彰男(名工大), 林 宏暁(三菱電機), 柳生 栄治(三菱電機), 桔川 洸一(金沢工大), 坂井 尚貴(金沢工大), 伊東 健治(金沢工大), 須田 淳(名大), |
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| 抄録(和) | 無線電力伝送用デバイスとして、ノーマリオフ型のGaN HEMTのゲート電極とオーミック電極を短絡したゲーテッドアノード型ダイオード(GAD)を用いた新規レクテナを開発中である。本研究ではワイドリセスゲート型のGaN GADを作製し、その電気的特性のリセス長依存性を調べた。作製したHEMTの代表的なDC特性は閾値電圧Vthが+0.3 V、最大ドレイン電流Imax = 300 mA/mmである。本HEMTを使って作製したGADは、順方向電流If = 350 mA/mm、逆方向耐圧 BVr = 40 Vの特性を示した。本デバイスから抽出したSPICEモデルを使って5.8 GHzでのブリッジ型整流器の性能予測をしたところ、ゲート幅0.8 mmのGADにて整流効率が81 %, DC出力が10Wの良好な特性が得られた。 |
| 抄録(英) | As a device for wireless power transmission, we are developing a new rectenna that uses a gated anode diode (GAD) that short-circuits the gate electrode and ohmic electrode of a normally-off type GaN HEMT. In this study, a wide recess gate type GaN GAD was prepared and the recess length dependence of its electrical characteristics was investigated. Typical DC characteristics of the HEMT are a threshold voltage Vth of +0.3 V and a maximum drain current Imax = 300 mA / mm. The GAD using this HEMT showed the characteristics of forward current If = 350 mA / mm and reverse breakdown voltage BVr = 40 V. When the performance of the bridge type rectifier at 5.8 GHz was predicted using the SPICE model extracted from this device, good characteristics with a rectifier efficiency of 81% and a DC output of 10 W were obtained with a GAD with a gate width of 0.8 mm. |
| キーワード(和) | GaN HEMT / ダイオード / レクテナ / 無線電力伝送 |
| キーワード(英) | GaN HEMT / Diode / Rectenna / Wireless power transmission |
| 資料番号 | WPT2020-19 |
| 発行日 | 2020-09-30 (WPT) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | WPT / EE |
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| 開催期間 | 2020/10/7(から1日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | Online |
| テーマ（和） | 電力変換技術・無線電力伝送・一般 |
| テーマ（英） | |
| 委員長氏名（和） | 石崎 俊雄(龍谷大) / 末次 正(福岡大) |
| 委員長氏名（英） | Toshio Ishizaki(Ryukoku Univ.) / Tadashi Suetsugu(Fukuoka Univ.) |
| 副委員長氏名（和） | / 関屋 大雄(千葉大) / 廣瀬 圭一(NTTファシリティーズ) |
| 副委員長氏名（英） | / Hiroo Sekiya(Chiba Univ.) / Keiichi Hirose(NTT Facilities) |
| 幹事氏名（和） | 藤本 孝文(長崎大) / 藤森 和博(岡山大) / 坂井 栄治(崇城大) / 松井 信正(長崎総科大) |
| 幹事氏名（英） | Takafumi Fujimoto(Nagasaki Univ.) / Kazuhiro Fujimori(Okayama Univ.) / Eiji Sakai(Sojo Univ.) / Nobumasa Matsui(Nagasaki Inst. of Applied Science) |
| 幹事補佐氏名（和） | 加賀谷 修(AGC) / 成末 義哲(東大) / 米澤 遊(富士通アドバンストテクノロジ) / 古川 雄大(福岡大学) / 湯淺 一史(NTTファシリティーズ) |
| 幹事補佐氏名（英） | Osamu Kagaya(AGC) / Yoshiaki Narusue(Univ. of Tokyo) / Yuu Yonezawa(FUJITSU Advanced Technologies) / Yudai Furukawa(Fukuoka Univ.) / Kazufumi Yuasa(NTT Facilities) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Wireless Power Transfer / Technical Committee on Energy Engineering in Electronics and Communications |
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| 本文の言語 | JPN |
| タイトル（和） | ノーマリオフGaN HEMTを用いたレクテナ用ゲーテッドアノード型ダイオードの電気的特性 |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | Electrical Characteristics of Gated-Anode Diode for Rectenna Using Normally-Off GaN HEMT |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | GaN HEMT / GaN HEMT |
| キーワード(2)（和/英） | ダイオード / Diode |
| キーワード(3)（和/英） | レクテナ / Rectenna |
| キーワード(4)（和/英） | 無線電力伝送 / Wireless power transmission |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | 高橋 英匡 / Hidemasa Takahashi |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 安藤 裕二 / Yuji Ando |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 土屋 洋一 / Yoichi Tsuchiya |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NITECH) |
| 第 4 著者 氏名（和/英） | 分島 彰男 / Akio Wakejima |
| 第 4 著者 所属（和/英） | 名古屋工業大学(略称：名工大) Nagoya Institute of Technology(略称：NITECH) |
| 第 5 著者 氏名（和/英） | 林 宏暁 / Hiroaki Hayashi |
| 第 5 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 6 著者 氏名（和/英） | 柳生 栄治 / Eiji Yagyu |
| 第 6 著者 所属（和/英） | 三菱電機株式会社(略称：三菱電機) Mitsubishi Electric Corporation(略称：Mitsubishi Electric) |
| 第 7 著者 氏名（和/英） | 桔川 洸一 / Koichi Kikkawa |
| 第 7 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：Kanazawa Institute of Tech) |
| 第 8 著者 氏名（和/英） | 坂井 尚貴 / Naoki Sakai |
| 第 8 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：Kanazawa Institute of Tech) |
| 第 9 著者 氏名（和/英） | 伊東 健治 / Kenji Itoh |
| 第 9 著者 所属（和/英） | 金沢工業大学(略称：金沢工大) Kanazawa Institute of Technology(略称：Kanazawa Institute of Tech) |
| 第 10 著者 氏名（和/英） | 須田 淳 / Jun Suda |
| 第 10 著者 所属（和/英） | 名古屋大学(略称：名大) Nagoya University(略称：Nagoya Univ.) |
| 発表年月日 | 2020-10-07 |
| 資料番号 | WPT2020-19 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | WPT-182 |
| ページ範囲 | pp.1-5(WPT), |
| ページ数 | 5 |
| 発行日 | 2020-09-30 (WPT) |