| 講演名 | 2020-10-22 A two-step wet etching process for the integration of PdEr/HfO2 gate stack structure on the gate-first Schottky barrier MOSFET マイリグ レンジ マーク ドミンセル(東工大), 有賀 雄一郎(東工大), 大見 俊一郎(東工大), |
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| 抄録(和) | |
| 抄録(英) | |
| キーワード(和) | |
| キーワード(英) | |
| 資料番号 | SDM2020-17 |
| 発行日 | 2020-10-15 (SDM) |
| 研究会情報 | |
| 研究会 | SDM |
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| 開催期間 | 2020/10/22(から1日開催) |
| 開催地（和） | オンライン開催 |
| 開催地（英） | virtual conference |
| テーマ（和） | プロセス科学と新プロセス技術 |
| テーマ（英） | Process Science and New Process Technology |
| 委員長氏名（和） | 平野 博茂(タワー パートナーズ セミコンダクター) |
| 委員長氏名（英） | Hiroshige Hirano(TowerPartners Semiconductor) |
| 副委員長氏名（和） | 大見 俊一郎(東工大) |
| 副委員長氏名（英） | Shunichiro Ohmi(Tokyo Inst. of Tech.) |
| 幹事氏名（和） | 森 貴洋(産総研) / 小林 伸彰(日大) |
| 幹事氏名（英） | Takahiro Mori(AIST) / Nobuaki Kobayashi(Nihon Univ.) |
| 幹事補佐氏名（和） | 野田 泰史(パナソニック) / 諏訪 智之(東北大) |
| 幹事補佐氏名（英） | Taiji Noda(Panasonic) / Tomoyuki Suwa(Tohoku Univ.) |
| 講演論文情報詳細 | |
| 申込み研究会 | Technical Committee on Silicon Device and Materials |
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| 本文の言語 | ENG |
| タイトル（和） | |
| サブタイトル（和） | |
| タイトル（英） | A two-step wet etching process for the integration of PdEr/HfO2 gate stack structure on the gate-first Schottky barrier MOSFET |
| サブタイトル（和） | |
| キーワード(1)（和/英） | |
| 第 1 著者 氏名（和/英） | マイリグ レンジ マーク ドミンセル / Rengie Mark D. Mailig |
| 第 1 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 2 著者 氏名（和/英） | 有賀 雄一郎 / Yuichiro Aruga |
| 第 2 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 第 3 著者 氏名（和/英） | 大見 俊一郎 / Shun-ichiro Ohmi |
| 第 3 著者 所属（和/英） | 東京工業大学(略称：東工大) Tokyo Institute of Technology(略称：Tokyo Tech) |
| 発表年月日 | 2020-10-22 |
| 資料番号 | SDM2020-17 |
| 巻番号（vol） | vol.120 |
| 号番号（no） | SDM-205 |
| ページ範囲 | pp.16-19(SDM), |
| ページ数 | 4 |
| 発行日 | 2020-10-15 (SDM) |