講演名 2020-10-05
Co2FeSi/MgO二層構造における垂直磁気異方性の評価
松下 瑛介(東工大), 高村 陽太(東工大), スタットラー 嘉也(東工大), 中川 茂樹(東工大),
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抄録(和) ハーフメタル強磁性体であるフルホイスラー合金 Co_2FeSi(CFS)/MgO 二層膜における垂直磁気異方性の起源を調査した.磁化特性の CFS 膜厚依存性から,薄膜内部の寄与を表す垂直磁気異方性定数が膜厚 0.4 nm か ら 1.4 nm において全て正であり,0.7 nm 以下で急増したことがわかった.これらの試料の断面構造を走査透過型電子顕微鏡で観察すると,CFS 層は極薄膜においても結晶化していたが,膜厚 0.7 nm 前後で有意な差は観測されなかった.一方で,1.4 nm の極薄膜 CFS 層における積層方向の原子間隔が,格子整合性から予測されるものとは大きく 異なるものであった.さらに,CFS 層内の Si がバッファ層に拡散していることも確認し,形成された CFS が非化学量論組成であることを示唆する結果が得られた.
抄録(英) We investigated the origin of perpendicular magnetic anisotropy in full-Heusler alloy Co_2FeSi(CFS)/MgO bilayers in which CFS is expected as half-metallic ferromagnets. From analysis of CFS-thickness dependence of magnetic properties, the perpendicular magnetic anisotropy constant of the bulk contribution was found to be positive in a wide range of CFS-thickness from 0.4 nm to 1.4 nm and was drastically increased in less than 0.7 nm. The cross-sectional structures of these samples were observed by a scanning transmission electron microscope. Crystalized CFS layers were observed even in ultrathin film region. However, no significant difference was not observed in around 0.7 nm. Surprisingly, the atomic distance for out-of-plane direction was much larger in 1.4 nm thick CFS layer compared to calculated value based on the expected epitaxial relationship. In addition, the interdiffusion of Si was confirmed from CFS layers to buffer layers, suggesting non-stoichiometric composition of CFS layers.
キーワード(和) フルホイスラー合金 / ハーフメタル強磁性体 / 垂直磁気異方性 / 界面磁気異方性 / 走査透過型電子顕微鏡 / 微細構造評価
キーワード(英) Full-Heusler alloy / Half-metallic ferromagnet / Perpendicular magnetic anisotropy / Interfacial magnetic anisotropy / Scanning transmission electron microscope / Investigation of microstructure
資料番号 MRIS2020-4
発行日 2020-09-28 (MRIS)

研究会情報
研究会 MRIS / ITE-MMS
開催期間 2020/10/5(から1日開催)
開催地(和) オンライン開催
開催地(英) Online
テーマ(和) ヘッド,スピントロニクス,固体メモリ, 媒体, 一般
テーマ(英) Recording Head, Spintronics, Solid State Memory, Media, etc.
委員長氏名(和) 吉田 周平(近畿大) / 町田 賢司(NHK)
委員長氏名(英) Shuhei Yoshida(Kinki Univ.) / Kenji Machida(NHK)
副委員長氏名(和)
副委員長氏名(英)
幹事氏名(和) 田河 育也(東北工大) / 荒井 礼子(産総研) / 島田 昌明(三菱電機) / 武者 敦史(富士フイルム) / 文仙 正俊(福岡大) / 船橋 信彦(NHK)
幹事氏名(英) Ikuya Tagawa(Tohoku Inst. of Tech.) / Hiroko Arai(AIST) / Masaaki Shimada(Mitsubishi Electric Corp.) / Atsushi Musha(Fujifilm Corp.) / Masatoshi Bunsen(Fukuoka Univ.) / Nobuhiko Funabashi(NHK)
幹事補佐氏名(和) 仲村 泰明(愛媛大) / 平山 義幸(サムスン日本研究所)
幹事補佐氏名(英) Yasuaki Nakamura(Ehime Univ.) / Yoshiyuki Hirayama(Samsung)

講演論文情報詳細
申込み研究会 Technical Committee on Magnetic Recording & Information Storage / Technical Group on Multi-media Storage
本文の言語 JPN
タイトル(和) Co2FeSi/MgO二層構造における垂直磁気異方性の評価
サブタイトル(和)
タイトル(英) Evaluation of perpendicular magnetic anisotropy in Co2FeSi/MgO bilayers
サブタイトル(和)
キーワード(1)(和/英) フルホイスラー合金 / Full-Heusler alloy
キーワード(2)(和/英) ハーフメタル強磁性体 / Half-metallic ferromagnet
キーワード(3)(和/英) 垂直磁気異方性 / Perpendicular magnetic anisotropy
キーワード(4)(和/英) 界面磁気異方性 / Interfacial magnetic anisotropy
キーワード(5)(和/英) 走査透過型電子顕微鏡 / Scanning transmission electron microscope
キーワード(6)(和/英) 微細構造評価 / Investigation of microstructure
第 1 著者 氏名(和/英) 松下 瑛介 / Eisuke Matsushita
第 1 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
第 2 著者 氏名(和/英) 高村 陽太 / Yota Takamura
第 2 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
第 3 著者 氏名(和/英) スタットラー 嘉也 / Yoshiya Stutler
第 3 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
第 4 著者 氏名(和/英) 中川 茂樹 / Shigeki Nakagawa
第 4 著者 所属(和/英) 東京工業大学(略称:東工大)
Tokyo Institute of Technology(略称:Tokyo Tech)
発表年月日 2020-10-05
資料番号 MRIS2020-4
巻番号(vol) vol.120
号番号(no) MRIS-180
ページ範囲 pp.16-19(MRIS),
ページ数 4
発行日 2020-09-28 (MRIS)